+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Диоды выпрямительные

Цены приведены с учетом НДС

Диоды Д237Б кремниевые, диффузионные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 2 г.
Технические условия: ТР3.362.021 ТУ.
374.06 руб
2Д220Д1
Диоды кремниевые, диффузионные.
Предназначены для применения в выпрямительных и преобразовательных устройствах в диапазоне частот 1...50 кГц
технические условия: аА0.339.076ТУ/Д1.
Тип корпуса: КД-10.
2Д213Б-6
Диоды 2Д213Б-6 кремниевые, диффузионные, бескорпусные.
Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Диоды 2Д213А-6 отмечены одной цветной точкой, 2Д213Б-6 - двумя.
Масса не более 0,8 г
Технические условия: АЕЯР.432120.272ТУ.
2Д213А-6
Диоды 2Д213А-6 кремниевые, диффузионные, бескорпусные.
Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Диоды 2Д213А-6 отмечены одной цветной точкой, 2Д213Б-6 - двумя.
Масса не более 0,8 г
Технические условия: АЕЯР.432120.272ТУ.
2Д2997В
Диоды 2Д2997В кремниевые, эпитаксиально-диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами (металлическое основание корпуса соединено с отрицательным электродом).
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 4 г.
Тип корпуса: КД-23.
Технические условия: аА0.339.585 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д2997В:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В;
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 100 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 30 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 100 А;
• fд - Рабочая частота диода: 100 кГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 30 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 25 мА при Uoбp 50 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: не более 0,2 мкс
2Д215Г
Диоды 2Д215Г кремниевые диффузионные выпрямительные в металлостеклянном корпусе.
Предназначены для работы в аппаратуре специального назначения.
Тип корпуса: КД29-С.
Технические условия ТР3.362.095ТУ Д3.
272.58 руб
2Д2992В
Диоды 2Д2992В кремниевые, эпитаксиально-диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц во вторичных источниках электропитания.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе в гибкими выводами.
Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса.
Тип диода приводится на корпусе.
Масса диода не более 4 г.
Тип корпуса: КД-23.
Технические условия: аА0.339.585 ТУ.
2Д2992Б
Диоды 2Д2992Б кремниевые, эпитаксиально-диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц во вторичных источниках электропитания.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе в гибкими выводами.
Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса.
Тип диода приводится на корпусе.
Масса диода не более 4 г.
Тип корпуса: КД-23.
Технические условия: аА0.339.585 ТУ.
2Д2992А
Диоды 2Д2992А кремниевые, эпитаксиально-диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц во вторичных источниках электропитания.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе в гибкими выводами.
Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса.
Тип диода приводится на корпусе.
Масса диода не более 4 г.
Тип корпуса: КД-23.
Технические условия: аА0.339.585 ТУ.
2Д251В
Диоды 2Д251В кремниевые, эпитаксиально-планарные.
Предназначены для применения во вторичных источниках электропитания на частотах 10...200 кГц.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 8 г.
Тип корпуса: КД-11.
Технические условия: аА0.339.375 ТУ.
1 180.00 руб
2Д251Б
Диоды 2Д251Б кремниевые, эпитаксиально-планарные.
Предназначены для применения во вторичных источниках электропитания на частотах 10...200 кГц.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 8 г.
Тип корпуса: КД-11.
Технические условия: аА0.339.375 ТУ.
1 357.00 руб
2Д251А
Диоды 2Д251А кремниевые, эпитаксиально-планарные.
Предназначены для применения во вторичных источниках электропитания на частотах 10...200 кГц.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 8 г.
Тип корпуса: КД-11.
Технические условия: аА0.339.375 ТУ.
1 062.00 руб
2Д235Б
Диоды кремниевые, планарно-диффузионные, с барьером Шотки.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 4000 кГц.
Выпускаются в стеклянном корпусе.
Маркируются цветным (белым - 2Д235А, красным - 2Д235Б) кольцом со стороны отрицательного вывода (катода).
Масса диода 0,3 г.
Технические условия аА0.339.575 ТУ.
103.84 руб
2Д231Г
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные.
Предназначены для применения во вторичных источниках электропитания на частотах 20...200 кГц (2Д231А, 2Д231Б, 2Д251А, 2Д251Б, 2Д251В) и 10...200 кГц (2Д231В, 2Д231Г, 2Д251Г, 2Д251Д, 2Д251Е).
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 8 г.
Тип корпуса: КД-11.
Технические условия: аА0.339.375 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д231Г:
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 200 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 150 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 А;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 50 нс;
• fmax - Максимальная рабочая частота диода: 200 кГц
1 770.00 руб
2Д231В
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные.
Предназначены для применения во вторичных источниках электропитания на частотах 20...200 кГц (2Д231А, 2Д231Б, 2Д251А, 2Д251Б, 2Д251В) и 10...200 кГц (2Д231В, 2Д231Г, 2Д251Г, 2Д251Д, 2Д251Е).
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 8 г.
Тип корпуса: КД-11.
Технические условия: аА0.339.375 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д231В:
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 150 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 150 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 А;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 50 нс;
• fmax - Максимальная рабочая частота диода: 200 кГц
2 242.00 руб
2Д231Б
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные.
Предназначены для применения во вторичных источниках электропитания на частотах 20...200 кГц (2Д231А, 2Д231Б, 2Д251А, 2Д251Б, 2Д251В) и 10...200 кГц (2Д231В, 2Д231Г, 2Д251Г, 2Д251Д, 2Д251Е).
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 8 г.
Тип корпуса: КД-11.
Технические условия: аА0.339.375 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д231Б:
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 200 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 150 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 А;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 50 нс;
• fmax - Максимальная рабочая частота диода: 200 кГц
1 770.00 руб
2Д230Л
Диоды кремниевые, диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой 1...50 кГц (2Д230А, 2Д230Б, 2Д230В, 2Д230Г) и 50Гц... 20кГц (2Д230Д, 2Д230Е, 2Д230Ж, 2Д230И).
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводится на корпусе.
Масса диода не более 6 г, с комплектующими деталями не более 7,5 г.
Тип корпуса: КД-11.
Технические условия аА0.339.465 ТУ.
118.00 руб
2Д230К
Диоды кремниевые, диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой 1...50 кГц (2Д230А, 2Д230Б, 2Д230В, 2Д230Г) и 50Гц... 20кГц (2Д230Д, 2Д230Е, 2Д230Ж, 2Д230И).
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводится на корпусе.
Масса диода не более 6 г, с комплектующими деталями не более 7,5 г.
Тип корпуса: КД-11.
Технические условия аА0.339.465 ТУ.
363.44 руб
2Д230Ж
Диоды кремниевые, диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой 1...50 кГц (2Д230А, 2Д230Б, 2Д230В, 2Д230Г) и 50Гц... 20кГц (2Д230Д, 2Д230Е, 2Д230Ж, 2Д230И).
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводится на корпусе.
Масса диода не более 6 г, с комплектующими деталями не более 7,5 г.
Тип корпуса: КД-11.
Технические условия аА0.339.465 ТУ.
103.84 руб
2Д230Е
Диоды кремниевые, диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой 1...50 кГц (2Д230А, 2Д230Б, 2Д230В, 2Д230Г) и 50Гц... 20кГц (2Д230Д, 2Д230Е, 2Д230Ж, 2Д230И).
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводится на корпусе.
Масса диода не более 6 г, с комплектующими деталями не более 7,5 г.
Тип корпуса: КД-11.
Технические условия аА0.339.465 ТУ.
Выводить по: 20


Справочник, технические характеристики, параметры, маркировка:



ООО Компания "Электроника и связь" ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 ЕКПС Вооруженных Сил РФ - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ ISO 9001-2011, ГОСТ РВ 0015-002-2012, СРПП ВТ.