+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Транзисторы биполярные

Цены приведены с учетом НДС

Транзистор 2Т944А кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n усилительный.
Предназначен для применения в линейных широкополосных усилителях мощности иа частотах 1,5-30 МГц при напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с жесткими выводами и монтажным винтом.
Масса транзистора не более 40 г.
Тип корпуса: КТ-5 (ТО-63).
Технические условия: аА0.339.059 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т944А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 70 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 105 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 12,5 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 80 мА (100В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 80;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 350 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 10 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 100 Вт на частоте 30 МГц
6 844.00 руб
2Т881Д
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилительных и переключательных устройствах.
Транзисторы 2Т881А, 2Т881Б, 2Т881В, 2Т881Г, 2Т881Д выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Транзисторы 2Т881А-5, 2Т881Г-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 2 г, кристалла не более 0,01 г.
Тип корпуса: КТ-2 (ТО-39).
Технические условия: аА0.339.644 ТУ.
374.06 руб
2Т825В-2
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Транзисторы 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г,
Тип корпуса: КТ-28 (ТО-220).
Технические условия: аА0.339.556 ТУ.
2Т682Б-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 3,6 ГГц.
Предназначены для применения в малошумящих усилителях с расширенным динамическим диапазоном в составе гибридных интегральных микросхем, микросборок.
Транзисторы 2Т682А-2, 2Т682Б-2, КТ682А-2, КТ682Б-2 бескорпусные на металлокерамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами.
Транзисторы маркируются цветными точками:
   - КТ682А-2 - одна зеленая,
   - КТ682Б-2 - две зеленые,
   - 2Т682А-2 - знаком «V» синего цвета у базового вывода,
   - 2Т682Б-2 - знаком «V» черного цвета у базового вывода.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,13.
Тип корпуса: КТ-22.
Технические условия: аА0.339.663 ТУ.
1 298.00 руб
2Т321Г
Транзисторы 2Т321Г кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные.
Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,2 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Технические условия: аА0.339.248 ТУ.
КТ315В-1
Транзисторы КТ315В-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы соответствующего типономинала.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: КТ-26.
Технические условия: ЖК3.365.200 ТУ/02.
2Т3123А-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Транзисторы 2Т3123А-2, 2Т3123Б-2, 2Т3123В-2, КТ3123А-2, КТ3123Б-2, КТ3123В-2 выполнены на керамическом негерметизированном держателе, размеры которого соответствуют корпусу КТ-22-2.
Масса транзисторов не более 0,1 г.
Технические условия: аА0.339.191 ТУ.
2 950.00 руб
1Т403Е
Транзисторы 1Т403Е германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 4 г.
Технические условия: СИ3.365.023 ТУ.
2Т935Б-1
Мощный кремниевый n-p-n транзистор 2Т935Б-1 в металлостеклянном корпусе КТ-19А-3 с планарными выводами.
Предназначен для работы в импульсных устройствах радиоаппаратуры, преобразователях напряжения DC-DC при уровне входного напряжения до 70В, других устройствах радиоаппаратуры с питанием от аккумуляторов.
Корпус типа КТ-19А-3.
Технические условия: аА0.339.006 ТУ.
2 360.00 руб
2Т935Б
Мощный кремниевый n-p-n транзистор 2Т935Б в металлостеклянном корпусе КТ-97В с неизолированным фланцем и планарными выводами.
Предназначен для работы в импульсных устройствах радиоаппаратуры, преобразователях напряжения DC-DC при уровне входного напряжения до 70В, других устройствах радиоаппаратуры с питанием от аккумуляторов.
Корпус типа КТ-97В.
Технические условия: аА0.339.006ТУ.
2 360.00 руб
2Т837Д
Транзисторы 2Т837Д кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные.
Транзисторы 2Т837А, 2Т837Б, 2Т837В, 2Т837Г, 2Т837Д, 2Т837Е предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: КТ-28-2.
Технические условия: аА0.339.411 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т837Д:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30... 150;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом
2Т382Б
Транзисторы 2Т382А, 2Т382Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц.
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот.
Выпускаются в металлокерамическом с гибкими полосковыми выводами.
На крышке корпуса наносится условная маркировка цветным кодом:
   - 2Т382А - одна черная точка;
   - 2Т382Б - одна красная точка;
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-14.
Технические условия: СБ3.365.123 ТУ.
2Т368А-9
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для использования во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты.
Транзисторы 2Т368А9, 2Т368Б9, КТ368А9, КТ368Б9 выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора в миниатюрном пластмассовом корпусе указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,1 г,
Тип корпуса: КТ-46А.
Технические условия: аА0.339.608 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т368А-9:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 900 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 50...300;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,7 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 3,3 дБ на частоте 60 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 15 пс
2Т324Д-1
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в переключающих устройствах (2Т324А-1, 2Т324Б-1, 2Т324В-1, 2Т324Г-1, КТ324А-1, КТ324Б-1, КТ324В-1, КТ324Г-1) и усилителях высокой частоты (2Т324Д-1, 2Т324Е-1, КТ324Д-1,КТ324Е-1).
Бескорпусные без кристаллодержателя с гибкими выводами и защитным покрытием.
Выпускаются в сопроводительной таре.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,002 г.
Технические условия: СБ0.336.021 ТУ.
2Т980А
Транзисторы  2Т980А  кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные линейные.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности:  2Т980А , КТ980А в диапазоне частот 1,5...30 МГц, 2Т980Б, КТ980Б в диапазоне частот 30...80 МГц при напряжении питания 50 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 15 г.
Тип корпуса: КТ-19.
Технические условия: аА0.339.347 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора  2Т980А :
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 300 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 150 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мА (100В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 450 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 25 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 250 Вт на частоте 30 МГц
5 546.00 руб
2Т979А
Транзистор  2Т979А  кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n генераторный.
Предназначен для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах в схеме с общей базой на частотах 0,7...1,4 ГГц при напряжении питания 28 В в непрерывном режиме и 35...40 В в импульсном режиме.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Внутри корпуса имеются согласующие двухзвенные LС-звенья на входе и выходе транзистора.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 5 г.
Тип корпуса: КТ-57.
Технические условия: аА0.339.333 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора  2Т979А :
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 75 Вт;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора:  5 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 10 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мА (50В);
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 6 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 50 Вт на частоте 1,3 ГГц
7 670.00 руб
2Т951А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные линейные.
Транзистор 2Т951А, 2Т951В предназначен для применения в широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 30...80 МГц при напряжении питания 28 В, транзистор 2Т951Б в диапазоне частот 1,5...30 МГц при напряжении питания 28 В в герметизированной аппаратуре.
Транзисторы 2Т951А и 2Т951В выпускается в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами и монтажным винтом.
Транзистор 2Т951Б используется без фланца корпуса.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзисторов 2Т951А и 2Т951В не более 3,5 г, 2Т951Б без фланца не более 2 г.
Тип корпуса: КТ-17.
Технические условия: аА0.339.081 ТУ.
2 596.00 руб
2Т945А
Транзисторы  2Т945А  кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах.
Транзисторы  2Т945А , 2Т945Б, 2Т945В, 2Т945Г выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Транзистор  2Т945А-5 выпускаются в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г, кристалла не более 0,01 г.
Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).
Технические условия: аА0.339.155 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора  2Т945А :
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менне 51 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 200 В (10Ом);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 25 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 25 мА (150В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 60;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 200 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,17 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 1.1 мкс
770.54 руб
2Т939А
Транзисторы 2Т939А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях класса А с повышенными требованиями к линейности.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на этикетке.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТ-16-2.
Технические условия: аА0.339.150 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т939А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 4 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 2500 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 30 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,4 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА (30В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 200;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 5,5 пФ;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 9 пс
1 888.00 руб
2Т935А
Транзисторы 2Т935А кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах.
Транзисторы 2Т935А, КТ935А выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Транзистор 2Т935А-5 выпускаются в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлокерамическом корпусе не более 20 г, кристалла не более 0,01 г.
Тип корпуса: КТ-10.
Технические условия: аА0.339.006 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т935А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 51 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 80 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 30 мА (50В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 100;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 800 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,066 Ом
374.06 руб
Выводить по: 20


Справочник, технические характеристики, параметры, маркировка:



ООО Компания "Электроника и связь" ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 ЕКПС Вооруженных Сил РФ - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ ISO 9001-2011, ГОСТ РВ 0015-002-2012, СРПП ВТ.