+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Транзисторы полевые

Цены приведены с учетом НДС

2П769А-9
Транзистор 2П769А-9 полевой n-канальный переключательный с рассеиваемой мощностью не более 42 Вт и максимальной рабочей частотой до 30 МГц.
Транзистор предназначен для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями.
Технические условия: АЕЯР.432140.220 ТУ.
Корпус металлопластмассовый КТ-89.
2П7229А
Транзистор 2П7229А полевой p-канальный с рассеиваемой мощностью не более 150 Вт и максимальной рабочей частотой до 30 МГц.
Технические условия: АЕЯР.432140.558 ТУ.
Корпус металлопластмассовый КТ-28-2.
3П930В-2
Транзисторы полевые арсенидгаллиевые эпитаксиально-планарные с каналом n-типа и барьером Шоттки генераторные.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности в диапазоне 5,7-6,3 ГГц.
Бескорпусные на металлическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 10 г.
• Технические условия: аА0.339.735 ТУ.
2 124.00 руб
3П930Б-2
Транзисторы полевые арсенидгаллиевые эпитаксиально-планарные с каналом n-типа и барьером Шоттки генераторные.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности в диапазоне 5,7-6,3 ГГц.
Бескорпусные на металлическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 10 г.
• Технические условия: аА0.339.735 ТУ.
2 124.00 руб
3П930А-2
Транзисторы полевые арсенидгаллиевые эпитаксиально-планарные с каналом n-типа и барьером Шоттки генераторные.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности в диапазоне 5,7-6,3 ГГц.
Бескорпусные на металлическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 10 г.
• Технические условия: аА0.339.735 ТУ.
2 124.00 руб
3П915Б-2
Транзисторы полевые 3П915Б-2 арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с барьером Шоттки и каналом n-типа сверхвысокочастотные генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности и автогенераторах на частотах до 8 ГГц в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с гибкими выводами на металлокерамическом кристаллодержателе.
Тип прибора указывается на крышке кристаллодержателя.
Масса транзистора не более 5 г.
• Технические условия: аА0.339.415 ТУ.
1 027.78 руб
3П604Г1-2
Транзисторы полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с затвором в виде барьера Шотки и каналом n-типа генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты на частотах до 18 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках.
Транзисторы 3П604А-2, 3П604Б-2, 3П604В-2, 3П604Г-2, 3П604А1-2, 3П604Б1-2, 3П604В1-2, 3П604Г1-2 бескорпусные на металлокерамическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
На транзисторы 3П604А1-2, 3П604Б1-2, 3П604В1-2, 3П604Г1-2 дополнительно устанавливается керамический колпачок, закрывающий кристалл.
Транзисторы 3П604А-5, 3П604Б-5, 3П604В-5, 3П604Г-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Транзисторы маркируются цветными точками:
   - 3П604А-2, 3П604А1-2 - одной красной,
   - 3П604Б-2, 3П604Б1-2 - одной синей,
   - 3П604В-2, 3П604В1-2 - одной черной,
   - 3П604Г-2, 3П604Г1-2 - одной белой.  
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,3 г, кристалла не более 0,004 г.
Тип корпуса: КТ-75.
Технические условия: аА0.339.476 ТУ.
1 534.00 руб
3П604Г-2
Транзисторы полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с затвором в виде барьера Шотки и каналом n-типа генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты на частотах до 18 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках.
Транзисторы 3П604А-2, 3П604Б-2, 3П604В-2, 3П604Г-2, 3П604А1-2, 3П604Б1-2, 3П604В1-2, 3П604Г1-2 бескорпусные на металлокерамическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
На транзисторы 3П604А1-2, 3П604Б1-2, 3П604В1-2, 3П604Г1-2 дополнительно устанавливается керамический колпачок, закрывающий кристалл.
Транзисторы 3П604А-5, 3П604Б-5, 3П604В-5, 3П604Г-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Транзисторы маркируются цветными точками:
   - 3П604А-2, 3П604А1-2 - одной красной,
   - 3П604Б-2, 3П604Б1-2 - одной синей,
   - 3П604В-2, 3П604В1-2 - одной черной,
   - 3П604Г-2, 3П604Г1-2 - одной белой.  
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,3 г, кристалла не более 0,004 г.
Тип корпуса: КТ-75.
Технические условия: аА0.339.476 ТУ.
1 534.00 руб
3П604В1-2
Транзисторы полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с затвором в виде барьера Шотки и каналом n-типа генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты на частотах до 18 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках.
Транзисторы 3П604А-2, 3П604Б-2, 3П604В-2, 3П604Г-2, 3П604А1-2, 3П604Б1-2, 3П604В1-2, 3П604Г1-2 бескорпусные на металлокерамическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
На транзисторы 3П604А1-2, 3П604Б1-2, 3П604В1-2, 3П604Г1-2 дополнительно устанавливается керамический колпачок, закрывающий кристалл.
Транзисторы 3П604А-5, 3П604Б-5, 3П604В-5, 3П604Г-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Транзисторы маркируются цветными точками:
   - 3П604А-2, 3П604А1-2 - одной красной,
   - 3П604Б-2, 3П604Б1-2 - одной синей,
   - 3П604В-2, 3П604В1-2 - одной черной,
   - 3П604Г-2, 3П604Г1-2 - одной белой.  
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,3 г, кристалла не более 0,004 г.
Тип корпуса: КТ-75.
Технические условия: аА0.339.476 ТУ.
1 534.00 руб
3П604В-2
Транзисторы полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с затвором в виде барьера Шотки и каналом n-типа генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты на частотах до 18 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках.
Транзисторы 3П604А-2, 3П604Б-2, 3П604В-2, 3П604Г-2, 3П604А1-2, 3П604Б1-2, 3П604В1-2, 3П604Г1-2 бескорпусные на металлокерамическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
На транзисторы 3П604А1-2, 3П604Б1-2, 3П604В1-2, 3П604Г1-2 дополнительно устанавливается керамический колпачок, закрывающий кристалл.
Транзисторы 3П604А-5, 3П604Б-5, 3П604В-5, 3П604Г-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Транзисторы маркируются цветными точками:
   - 3П604А-2, 3П604А1-2 - одной красной,
   - 3П604Б-2, 3П604Б1-2 - одной синей,
   - 3П604В-2, 3П604В1-2 - одной черной,
   - 3П604Г-2, 3П604Г1-2 - одной белой.  
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,3 г, кристалла не более 0,004 г.
Тип корпуса: КТ-75.
Технические условия: аА0.339.476 ТУ.
1 534.00 руб
3П604Б1-2
Транзисторы полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с затвором в виде барьера Шотки и каналом n-типа генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты на частотах до 18 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках.
Транзисторы 3П604А-2, 3П604Б-2, 3П604В-2, 3П604Г-2, 3П604А1-2, 3П604Б1-2, 3П604В1-2, 3П604Г1-2 бескорпусные на металлокерамическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
На транзисторы 3П604А1-2, 3П604Б1-2, 3П604В1-2, 3П604Г1-2 дополнительно устанавливается керамический колпачок, закрывающий кристалл.
Транзисторы 3П604А-5, 3П604Б-5, 3П604В-5, 3П604Г-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Транзисторы маркируются цветными точками:
   - 3П604А-2, 3П604А1-2 - одной красной,
   - 3П604Б-2, 3П604Б1-2 - одной синей,
   - 3П604В-2, 3П604В1-2 - одной черной,
   - 3П604Г-2, 3П604Г1-2 - одной белой.  
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,3 г, кристалла не более 0,004 г.
Тип корпуса: КТ-75.
Технические условия: аА0.339.476 ТУ.
1 534.00 руб
3П604Б-2
Транзисторы полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с затвором в виде барьера Шотки и каналом n-типа генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты на частотах до 18 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках.
Транзисторы 3П604А-2, 3П604Б-2, 3П604В-2, 3П604Г-2, 3П604А1-2, 3П604Б1-2, 3П604В1-2, 3П604Г1-2 бескорпусные на металлокерамическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
На транзисторы 3П604А1-2, 3П604Б1-2, 3П604В1-2, 3П604Г1-2 дополнительно устанавливается керамический колпачок, закрывающий кристалл.
Транзисторы 3П604А-5, 3П604Б-5, 3П604В-5, 3П604Г-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Транзисторы маркируются цветными точками:
   - 3П604А-2, 3П604А1-2 - одной красной,
   - 3П604Б-2, 3П604Б1-2 - одной синей,
   - 3П604В-2, 3П604В1-2 - одной черной,
   - 3П604Г-2, 3П604Г1-2 - одной белой.  
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,3 г, кристалла не более 0,004 г.
Тип корпуса: КТ-75.
Технические условия: аА0.339.476 ТУ.
1 534.00 руб
3П604А1-2
Транзисторы полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с затвором в виде барьера Шотки и каналом n-типа генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты на частотах до 18 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках.
Транзисторы 3П604А-2, 3П604Б-2, 3П604В-2, 3П604Г-2, 3П604А1-2, 3П604Б1-2, 3П604В1-2, 3П604Г1-2 бескорпусные на металлокерамическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
На транзисторы 3П604А1-2, 3П604Б1-2, 3П604В1-2, 3П604Г1-2 дополнительно устанавливается керамический колпачок, закрывающий кристалл.
Транзисторы 3П604А-5, 3П604Б-5, 3П604В-5, 3П604Г-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Транзисторы маркируются цветными точками:
   - 3П604А-2, 3П604А1-2 - одной красной,
   - 3П604Б-2, 3П604Б1-2 - одной синей,
   - 3П604В-2, 3П604В1-2 - одной черной,
   - 3П604Г-2, 3П604Г1-2 - одной белой.  
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,3 г, кристалла не более 0,004 г.
Тип корпуса: КТ-75.
Технические условия: аА0.339.476 ТУ.
1 534.00 руб
3П344А-2
Транзисторы полевые арсенидгаллиевые планарные с каналом n-типа и барьером Шоттки усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 4 ГГц.
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей (в том числе с расширенным динамическим диапазоном) в составе гибридных интегральных микросхем.
Транзисторы 3П344А-2, 3П344Б-2 бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами и керамической крышкой.
На крышку наносится условная маркировка черной точкой.
Транзисторы 3П344А-5, 3П344Б-5 выпускается в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,05 г, кристалла не более 0,0006 г.
Тип корпуса: КТ-21.
Технические условия:
  - 3П344А-2, 3П344Б-2: аА0.339.725ТУ,
  - 3П344А-5, 3П344Б-5: аА0.339.725ТУ/Д1.
3П328А-2
Транзисторы полевые арсенидгаллиевые планарные с двумя затворами с каналом n-типа и барьером Шоттки усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 8 ГГц.
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей в составе гибридных интегральных микросхем.
Транзисторы 3П328А-2, АП328А-2 бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами и керамической крышкой.
У транзистора 3П328А-2 на крышке наносится условная маркировка черной точкой.
Транзистор 3П328А-5 выпускается в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,1 г, кристалла не более 0,0002 г.
• Технические условия для 3П328А-2: аА0.339.424 ТУ.
• Тип корпуса: КТ-21.
3П326Б-2
Транзисторы полевые арсенидгаллиевые планарные с каналом n-типа и барьером Шоттки усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 17,4 ГГц.
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей герметизированной радиоприемной аппаратуры.
Транзисторы 3П326А-2, 3П326Б-2, 3П326А-2Н, 3П326Б-2Н бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами и металлической крышкой.
На ножке 3П326Б-2 наносится условная маркировка черной точкой, на транзистор 3П326А-2 условная маркировка не наносится.
Транзистор 3П326А-5 выпускается в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,1г, кристалла не более 0,0002г.
• Технические условия: аА0.339.476 ТУ.
3П326А-2
Транзисторы полевые арсенидгаллиевые планарные с каналом n-типа и барьером Шоттки усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 17,4 ГГц.
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей герметизированной радиоприемной аппаратуры.
Транзисторы 3П326А-2, 3П326Б-2, 3П326А-2Н, 3П326Б-2Н бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами и металлической крышкой.
На ножке 3П326Б-2 наносится условная маркировка черной точкой, на транзистор 3П326А-2 условная маркировка не наносится.
Транзистор 3П326А-5 выпускается в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,1г, кристалла не более 0,0002г.
• Технические условия: аА0.339.476 ТУ.
3П324Б-2
Транзисторы полевые арсенидгаллиевые с затвором в виде барьера Шотки с каналом n-типа усилительные.
Транзисторы 3П324А-2, 3П324Б-2 предназначены для применения в малошумящих усилителях в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках на частотах до 12 ГГц.
Транзисторы бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,02 .
Тип корпуса: КТ-21.
Технические условия: аА0.339.265 ТУ.
2П941Б
Транзисторы 2П941А, 2П941Б, 2П941В, 2П941Г, 2П941Д кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа генераторные.
Предназначены для применения в генераторах и усилителях СВЧ диапазона при напряжении питания 12 В.
Выпускаются в металлокерамических корпусах с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса:
   - 2П941А - КТ-25,
   - 2П941Б - КТ-55,
   - 2П941В, 2П941Г, 2П941Д - КТ-62.
Масса транзистора:
   - 2П941А не более 2 г,
   - 2П941Б не более 5 г,
   - 2П941В, 2П941Г, 2П941Д не более 10 г.
Технические условия: АЕЯР.432150.092 ТУ.
4 366.00 руб
2П941А
Транзисторы 2П941А, 2П941Б, 2П941В, 2П941Г, 2П941Д кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа генераторные.
Предназначены для применения в генераторах и усилителях СВЧ диапазона при напряжении питания 12 В.
Выпускаются в металлокерамических корпусах с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса:
   - 2П941А - КТ-25,
   - 2П941Б - КТ-55,
   - 2П941В, 2П941Г, 2П941Д - КТ-62.
Масса транзистора:
   - 2П941А не более 2 г,
   - 2П941Б не более 5 г,
   - 2П941В, 2П941Г, 2П941Д не более 10 г.
Технические условия: АЕЯР.432150.092 ТУ.
4 366.00 руб
Выводить по: 20


Справочник, технические характеристики, параметры, маркировка:



ООО Компания "Электроника и связь" ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 ЕКПС Вооруженных Сил РФ - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ ISO 9001-2011, ГОСТ РВ 0015-002-2012, СРПП ВТ.