+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Модули оптотиристорные

Цены приведены с учетом НДС

МТОТО-40-9
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n.
Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии.
Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей.
Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи.
Обозначение типономинала и схемы соединения оптотиристоров приводится на корпусе.
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии - 40А.
Повторяющееся импульсное обратное напряжение - 900В.
Длина - 92 мм
Ширина - 20 мм
Высота - 30 мм
Масса модуля - 200 г.
МТОТО-40-12
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n.
Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии.
Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей.
Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи.
Обозначение типономинала и схемы соединения оптотиристоров приводится на корпусе.
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии - 40А.
Повторяющееся импульсное обратное напряжение - 1400В.
Длина - 92 мм
Ширина - 20 мм
Высота - 30 мм
Масса модуля - 200 г.
МТОТО-160-12
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n.
Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии.
Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей.
Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи.
Обозначение типономинала и схемы соединения оптотиристоров приводится на корпусе.
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии - 160А.
Повторяющееся импульсное обратное напряжение - 1200В.
Длина - 94 мм
Ширина - 46 мм
Высота - 41 мм
Масса модуля - 500 г.
МТОТО-160-10
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n.
Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии.
Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей.
Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи.
Обозначение типономинала и схемы соединения оптотиристоров приводится на корпусе.
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии - 160А
Повторяющееся импульсное обратное напряжение - 1000В
Длина - 94 мм
Ширина - 46 мм
Высота - 41 мм
Масса модуля - 500 г.
МТОТО-100-6
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n.
Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии.
Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей.
Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи.
Обозначение типономинала и схемы соединения оптотиристоров приводится на корпусе.
Масса не более 300 г.
МТОТО-100-12
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n.
Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии.
Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей.
Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи.
Обозначение типономинала и схемы соединения оптотиристоров приводится на корпусе.
Масса не более 300 г.
МТО2-25-8
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n.
Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии.
Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей.
Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи.
Обозначение типономинала и схемы соединения оптотиристоров приводится на корпусе.
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии - 25А
Повторяющееся импульсное обратное напряжение - 800В
Длина - 92 мм
Ширина - 20 мм
Высота - 30 мм
Масса модуля - 200 г.
МТО2-25-12
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n.
Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии.
Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей.
Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи.
Обозначение типономинала и схемы соединения оптотиристоров приводится на корпусе.
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии - 25А
Повторяющееся импульсное обратное напряжение - 1200В
Длина - 92 мм
Ширина - 20 мм
Высота - 30 мм
Масса модуля - 200 г.
МТО2-25-11
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n.
Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии.
Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей.
Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи.
Обозначение типономинала и схемы соединения оптотиристоров приводится на корпусе.
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии - 25А
Повторяющееся импульсное обратное напряжение - 1100В
Длина - 92 мм
Ширина - 20 мм
Высота - 30 мм
Масса модуля - 200 г.
МТО2-25-10
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n.
Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии.
Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей.
Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи.
Обозначение типономинала и схемы соединения оптотиристоров приводится на корпусе.
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии - 25А
Повторяющееся импульсное обратное напряжение - 1000В
Длина - 92 мм
Ширина - 20 мм
Высота - 30 мм
Масса модуля - 200 г.
МТО2-10-9
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n.
Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии.
Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей.
Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи.
Обозначение типономинала и схемы соединения оптотиристоров приводится на корпусе.
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии - 10А
Повторяющееся импульсное обратное напряжение - 900В
Длина - 92 мм
Ширина - 20 мм
Высота - 30 мм
Масса модуля - 200 г.
МТО2-10-12
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных оптотиристоров p-n-p-n.
Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии.
Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей.
Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи.
Обозначение типономинала и схемы соединения оптотиристоров приводится на корпусе.
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии - 10А
Повторяющееся импульсное обратное напряжение - 1200В
Длина - 92 мм
Ширина - 20 мм
Высота - 30 мм
Масса модуля - 200 г.
МДТО4/3-80-12
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных диода p-n и оптотиристора p-n-p-n.
Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии.
Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей.
Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи.
Обозначение типономинала и схемы соединения оптотиристоров приводится на корпусе.
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии - 80А
Повторяющееся импульсное обратное напряжение - 1200В
Длина - 92 мм
Ширина - 20 мм
Высота - 30 мм
Масса модуля - 200 г.
МДТО4/3-80-11
Модуль силовой полупроводниковый на основе двух бескорпусных последовательно соединенных кремниевых диффузионных диода p-n и оптотиристора p-n-p-n.
Предназначен для применения в цепях постоянного и переменного токов частотой до 500 Гц преобразователей электроэнергии.
Цепь управления имеет гальваническую развязку с основной силовой цепью. Корпус модуля изолирован от токоведущих частей.
Модуль герметизирован в пластмассовом корпусе и имеет выводы для подключения к внешней электрической цепи.
Обозначение типономинала и схемы соединения оптотиристоров приводится на корпусе.
Максимально допустимый средний ток в открытом состоянии - 80А
Повторяющееся импульсное обратное напряжение - 1100В
Длина - 92 мм
Ширина - 20 мм
Высота - 30 мм
Масса модуля - 200 г.
Выводить по: 20


Справочник, технические характеристики, параметры, маркировка:



ООО Компания "Электроника и связь" ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 ЕКПС Вооруженных Сил РФ - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ ISO 9001-2011, ГОСТ РВ 0015-002-2012, СРПП ВТ.