+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Диодные сборки и матрицы

Цены приведены с учетом НДС

КД270ЕС
Диод КД270ЕС кремниевый, эпитаксиальный, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.
Тип корпуса: КТ-28-2.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Технические условия: АДБК.432120.382 ТУ.
2Д910В-1
Диодные матрицы, состоящие из одного (2Д910А-1, КД910А-1), двух (2Д910Б-1, КД910Б-1), трех (2Д910В-1, КД910В-1) кремниевых, пленарных диодов, с общим анодом.
Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре в схемах диодно-транзисторной логики (в формирователях, ограничителях, детекторах сигналов, модуляторах и демодуляторах, шифраторах и дешифраторах).
Бескорпусные, с гибкими выводами, без кристаллодержателя.
Тип матриц приводится на упаковочном листе групповой тары.
Матрицы маркируются на индивидуальной таре цветным кодом:
   - 2Д910А-1, КД910А-1 - одной красной точкой;
   - 2Д910Б-1, КД910Б-1 - двумя красными точками;
  -  2Д910В-1, КД910В-1 - тремя красными точками.
Масса матрицы не более 0,01 г.
Технические условия: АЕЯР.432120.440 ТУ.
2Д910Б-1
Диодные матрицы, состоящие из одного (2Д910А-1, КД910А-1), двух (2Д910Б-1, КД910Б-1), трех (2Д910В-1, КД910В-1) кремниевых, пленарных диодов, с общим анодом.
Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре в схемах диодно-транзисторной логики (в формирователях, ограничителях, детекторах сигналов, модуляторах и демодуляторах, шифраторах и дешифраторах).
Бескорпусные, с гибкими выводами, без кристаллодержателя.
Тип матриц приводится на упаковочном листе групповой тары.
Матрицы маркируются на индивидуальной таре цветным кодом:
   - 2Д910А-1, КД910А-1 - одной красной точкой;
   - 2Д910Б-1, КД910Б-1 - двумя красными точками;
  -  2Д910В-1, КД910В-1 - тремя красными точками.
Масса матрицы не более 0,01 г.
Технические условия: АЕЯР.432120.440 ТУ.
2ДС807А
Диодная сборка из четырех изолированных диодов на общей подложке с временем восстановления обратного сопротивления 4 нс.
Технические условия: аА0.339.653 ТУ.
2ДС523АМ
Диодные сборки, состоящие каждая из двух (2ДС523А, 2ДС523Б, 2ДС523АМ, 2ДС523БМ) или четырех (2ДС523В, 2ДС523Г, 2ДС523ВМ, 2ДС523ГМ) кремниевых, планарно-эпитаксиальных импульсных диодов, с раздельными выводами.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Сборки 2ДС523АМ, 2ДС523БМ, 2ДС523ВМ,2ДС523ГМ выпускаются с индивидуальном стеклянной герметизацией каждого диода внутри корпуса.
Сборки 2ДС523А, 2ДС523АМ, 2ДС523В, 2ДС523ВМ имеют на корпусе обозначения 2ДС523 и маркируются одной цветной точкой.
Сборки 2ДС523Б, 2ДС523БМ, 2ДС523Г, 2ДС523ГМ имеют обозначение 2ДС523 без точки.
Начало маркировки (цифра 2 или буква К) соответствует стороне выводов отрицательной полярности.
Масса сборок:
   - 2ДС523А, 2ДС523Б, 2ДС523АМ, 2ДС523БМ не более 0,12 г.
   - 2ДС523В, 2ДС523Г, 2ДС523ВМ, 2ДС523ГМ не более 0,24 г.
Технические условия: ТТ3.362.143ТУ/Д1.

Основные технические характеристики диода 2ДС523АМ:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 20 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 20 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 5 мкА при Uoбp 50 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 4 нс;
• Сд - Общая емкость: 2 пФ
2Д919А
Диодные матрицы, состоящие каждая из двух кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов, с барьером Шоттки и общим катодом.
Предназначены для применения в низковольтных источниках вторичного электропитания на частотах 10...200 кГц.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами.
Тип сборки приводятся на корпусе.
Масса сборки не более 6 г.
2Д918Г-1
Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диодные матрицы полупроводниковые (ДМП) 2Д918Б-1, 2Д918Г-1 предназначены для применения в неремонтируемых гибридных схемах, блоках и
аппаратуре, обеспечивающей герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Диодные матрицы, состоящие из двух (2Д918Б-1, КД918Б-1) и четырех (2Д918-Г1, КД918Г-1) кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов, с общим анодом.
Бескорпусные, с гибкими выводами.
Тип прибора и знак полярности приводятся на индивидуальной таре.
Масса матрицы не более 5 г.
Технические условия: ДР3.362.036 ТУ.
2Д918Б-1
Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диодные матрицы полупроводниковые (ДМП) 2Д918Б-1, 2Д918Г-1 предназначены для применения в неремонтируемых гибридных схемах, блоках и
аппаратуре, обеспечивающей герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Диодные матрицы, состоящие из двух (2Д918Б-1, КД918Б-1) и четырех (2Д918Г-1, КД918Г-1) кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов, с общим анодом.
Бескорпусные, с гибкими выводами.
Тип прибора и знак полярности приводятся на индивидуальной таре.
Масса матрицы не более 5 г.
Технические условия: ДР3.362.036 ТУ.
2Д908А-1
Диодные матрицы, состоящие из восьми кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов, с общим катодом.
Предназначены для применения в импульсных быстродействующих переключающих схемах.
Выпускаются в металлостеклянных (2Д908А, КД908А) и металлокерамических (2Д908А-1, КД908АМ) корпусах с гибкими выводами.
Тип корпуса
• металлостеклянный корпус 4112.12-1 для 2Д908А;
• металлический корпус Н04.16-2В для 2Д908А1,2Д908АМ.
Тип прибора приводится на корпусе.
Вывод 1 матриц 2Д908А-1, КД908АМ маркируется точкой.
Масса матрицы не более 0,63 г.
Технические условия: дР3.362.026 ТУ.
2Д904В-1
Диодные матрицы, состоящие из одного (2Д904А-1, КД904А-1), двух (2Д904Б-1, КД904Б-1), трех (2Д904В-1, КД904В-1), четырех (2Д904Г-1, 2Д904Е-1, КД904Г-1, КД904Е-1) кремниевых, планарных диодов, с общим анодом.
Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные, с гибкими выводами.
Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на индивидуальной таре.
Масса матрицы не более 0,01 г.
Технические условия: 3.362.133 ТУ.
2Д904Б-1
Диодные матрицы, состоящие из одного (2Д904А-1, КД904А-1), двух (2Д904Б-1, КД904Б-1), трех (2Д904В-1, КД904В-1), четырех (2Д904Г-1, 2Д904Е-1, КД904Г-1, КД904Е-1) кремниевых, планарных диодов, с общим анодом.
Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные, с гибкими выводами.
Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на индивидуальной таре.
Масса матрицы не более 0,01 г.
Технические условия: 3.362.133 ТУ.
2Д904А-1
Диодные матрицы, состоящие из одного (2Д904А-1, КД904А-1), двух (2Д904Б-1, КД904Б-1), трех (2Д904В-1, КД904В-1), четырех (2Д904Г-1, 2Д904Е-1, КД904Г-1, КД904Е-1) кремниевых, планарных диодов, с общим анодом.
Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные, с гибкими выводами.
Тип прибора и схема соединения электродов с выводами приводятся на индивидуальной таре.
Масса матрицы не более 0,01 г.
Технические условия: 3.362.133 ТУ.
2Д901В-1
Диодные матрицы, состоящие из одного (2Д901А-1, КД901А-1), двух (2Д901Б-1, КД901Б-1), трех (2Д901В-1, КД901В-1) и четырех (2Д901Г-1, КД901Г-1) кремниевых, планарных диодов, с общим катодом.
Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные, с гибкими выводами.
Тип прибора приводится на индивидуальной таре.
У общего вывода (катода) в окне тары располагается знак полярности.
Масса матрицы не более 0,01 г.
Технические условия: ТТ3.362.116 ТУ.
2Д901Б-1
Диодные матрицы, состоящие из одного (2Д901А-1, КД901А-1), двух (2Д901Б-1, КД901Б-1), трех (2Д901В-1, КД901В-1) и четырех (2Д901Г-1, КД901Г-1) кремниевых, планарных диодов, с общим катодом.
Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные, с гибкими выводами.
Тип прибора приводится на индивидуальной таре.
У общего вывода (катода) в окне тары располагается знак полярности.
Масса матрицы не более 0,01 г.
Технические условия: ТТ3.362.116 ТУ.
2Д901А-1
Диодные матрицы, состоящие из одного (2Д901А-1, КД901А-1), двух (2Д901Б-1, КД901Б-1), трех (2Д901В-1, КД901В-1) и четырех (2Д901Г-1, КД901Г-1) кремниевых, планарных диодов, с общим катодом.
Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные, с гибкими выводами.
Тип прибора приводится на индивидуальной таре.
У общего вывода (катода) в окне тары располагается знак полярности.
Масса матрицы не более 0,01 г.
Технические условия: ТТ3.362.116 ТУ.
2Д901Г-1
Диодные матрицы, состоящие из одного (2Д901А-1, КД901А-1), двух (2Д901Б-1, КД901Б-1), трех (2Д901В-1, КД901В-1) и четырех (2Д901Г-1, КД901Г-1) кремниевых, планарных диодов, с общим катодом.
Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные, с гибкими выводами.
Тип прибора приводится на индивидуальной таре.
У общего вывода (катода) в окне тары располагается знак полярности.
Масса матрицы не более 0,01 г.
Технические условия: ТТ3.362.116 ТУ.
2Д222ЕС
Диодные сборки, состоящие каждая из двух кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов, с барьером Шоттки и общим катодом.
Предназначены для применения в низковольтных источниках вторичного электропитания на частотах 10...200 кГц.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами.
Тип сборки приводятся на корпусе.
Масса сборки не более 6 г.
Тип корпуса: 4116.4-2.
Технические условия: аА0.339.327 ТУ.
2Д222ГС
Диодные сборки, состоящие каждая из двух кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов, с барьером Шоттки и общим катодом.
Предназначены для применения в низковольтных источниках вторичного электропитания на частотах 10...200 кГц.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами.
Тип сборки приводятся на корпусе.
Масса сборки не более 6 г.
Тип корпуса: 4116.4-2.
Технические условия: аА0.339.327 ТУ.
2Д222ВС
Диодные сборки, состоящие каждая из двух кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов, с барьером Шоттки и общим катодом.
Предназначены для применения в низковольтных источниках вторичного электропитания на частотах 10...200 кГц.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами.
Тип сборки приводятся на корпусе.
Масса сборки не более 6 г.
Тип корпуса: 4116.4-2.
Технические условия: аА0.339.327 ТУ.
2Д222БС
Диодные сборки, состоящие каждая из двух кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов, с барьером Шоттки и общим катодом.
Предназначены для применения в низковольтных источниках вторичного электропитания на частотах 10...200 кГц.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами.
Тип сборки приводятся на корпусе.
Масса сборки не более 6 г.
Тип корпуса: 4116.4-2.
Технические условия: аА0.339.327 ТУ.
Выводить по: 20

Справочник, технические характеристики, параметры, маркировка:



ООО Компания "Электроника и связь" ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 ЕКПС Вооруженных Сил РФ - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ ISO 9001-2011, ГОСТ РВ 0015-002-2012, СРПП ВТ.