1НТ251
Новинки
Артикул:
1НТ251
Номенклатурный номер: 50167
1НТ251
Купить:
1 254.00 руб.
Цена с НДС
Спросить о 1НТ251
-
+
Цена в зависимости от вида прёмки «ОТК», «ВП», «ОСМ», «ОС» и года выпуска изделия может отличаться от цены интернет-магазина
1НТ251
Транзисторные матрицы 1НТ251, состоящие из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключательных транзисторов.
Предназначены для применения в переключающих устройствах электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускается в прямоугольном металлостеклянном корпусе для монтажа на печатную плату.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе.
Масса сборки не более 0,4 г.
Тип корпуса: 401.14-6.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:
- приемка «ВП» И93.456.000ТУ;
- приемка «ОС» И93.456.000ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.
Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
- 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
- 100000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзисторной сборки 1НТ251:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 400 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 45 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 800 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 6 мкА (45В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30...150;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1000 Ом.
Расшифровка условного обозначения интегральной микросхемы специального назначения:
1НТ251
1 - цифра, указывает группу по технологическому исполнению, где 1 - полупроводниковая микросхема (матрица);
НТ - буквы, обозначают подгруппу и вид функционального назначения микросхемы, где НТ - наборы транзисторов;
25 - цифры, определяют номер разработки конкретного типа исполнения. В совокупности первый и третий элементы обозначают номер серии;
1 - цифра определяет условный номер разработки микросхемы в данной серии по определённому функциональному признаку.
Транзисторные матрицы 1НТ251, состоящие из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключательных транзисторов.
Предназначены для применения в переключающих устройствах электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускается в прямоугольном металлостеклянном корпусе для монтажа на печатную плату.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе.
Масса сборки не более 0,4 г.
Тип корпуса: 401.14-6.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:
- приемка «ВП» И93.456.000ТУ;
- приемка «ОС» И93.456.000ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.
Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
- 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
- 100000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзисторной сборки 1НТ251:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 400 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 45 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 800 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 6 мкА (45В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30...150;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1000 Ом.
Расшифровка условного обозначения интегральной микросхемы специального назначения:
1НТ251
1 - цифра, указывает группу по технологическому исполнению, где 1 - полупроводниковая микросхема (матрица);
НТ - буквы, обозначают подгруппу и вид функционального назначения микросхемы, где НТ - наборы транзисторов;
25 - цифры, определяют номер разработки конкретного типа исполнения. В совокупности первый и третий элементы обозначают номер серии;
1 - цифра определяет условный номер разработки микросхемы в данной серии по определённому функциональному признаку.
- Характеристики
- Задать вопрос
- Предприятие ВПК России
-
Характеристики
Технические характеристики транзисторных сборок 1НТ251, 1НТ251А, 1НТ251А2:
Тип
транзисторной
сборкиСтруктура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП
maxТ
maxIК
maxIК. И.
maxUКЭR max UКБ0 max UЭБ0 max РК max h21Э UКЭ
нас.IКБО IЭБО IКЭR f гp. СК СЭ мА мА В В В Вт В мкА мкА мкА МГц пФ пФ °С °С 1НТ251 n-p-n 400 800 45 45 4 0,4 30…150 <1 <6 <10 - >200 <15 <50 150 -60…+125 1НТ251А n-p-n 400 800 45 45 4 0,4 30…150 <1 <6 <10 - >200 <15 <50 150 -60…+125 1НТ251А2 n-p-n 400 800 45 45 4 0,4 30…150 <1 <6 <10 - >200 <15 <50 150 -60…+125
Условные обозначения электрических параметров транзисторных сборок:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость коллекторного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.Транзисторные матрицы 1НТ251 Размер: 125,3 кб -
Задать вопросЕсли вам необходима консультация профессионалов или у вас возникли вопросы, обращайтесь в службу поддержки компании.
Вы можете задать вопрос специалистам нашей компании и получить оперативный ответ. -
Предприятие ВПК России
ООО компания «Электроника и связь» - квалифицированный поставщик электронной компонентной базы отечественного и иностранного производства.
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ (вооружений, военной и специальной техники) группы 59 по ЕК 001-2020 - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ Р ИСО 9001-2015, ГОСТ РВ 0015-002-2020.
В соответствии с постановлением Правительства Российской Федерации от 20 февраля 2004 года N 96 «О сводном реестре организаций оборонно-промышленного комплекса»
ООО компания «Электроника и связь» включена Минпромторгом РФ в сводный реестр предприятий оборонно-промышленного комплекса.
Номер в реестре: 2042.