+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Диоды выпрямительные

Цены приведены с учетом НДС

2Д230В
Диоды кремниевые, диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой 1... 50 кГц (2Д230А, 2Д230Б, 2Д230В, 2Д230Г) и 50 Гц... 20 кГц (2Д230Д, 2Д230Е, 2Д230Ж, 2Д230И).
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводится на корпусе.
Масса диода не более 6 г, с комплектующими деталями не более 7,5 г.
Тип корпуса: КД-11.
Технические условия аА0.339.465 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д230В:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 800 В;
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 800 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 3 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 60 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,5 В при Inp 3 А;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 500 нс
2Д230Г
Диоды кремниевые, диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой 1...50 кГц (2Д230А, 2Д230Б, 2Д230В, 2Д230Г) и 50 Гц...20 кГц (2Д230Д, 2Д230Е, 2Д230Ж, 2Д230И).
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводится на корпусе.
Масса диода не более 6 г, с комплектующими деталями не более 7,5 г.
Тип корпуса: КД-11.
Технические условия аА0.339.465 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д230Г:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 1000 В;
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 1000 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 3 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 60 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,5 В при Inp 3 А;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 500 нс
254.88 руб
2Д230Д
Диоды кремниевые, диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой 1...50 кГц (2Д230А, 2Д230Б, 2Д230В, 2Д230Г) и 50Гц... 20кГц (2Д230Д, 2Д230Е, 2Д230Ж, 2Д230И).
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводится на корпусе.
Масса диода не более 6 г, с комплектующими деталями не более 7,5 г.
Тип корпуса: КД-11.
Технические условия аА0.339.465 ТУ.
2Д230Е
Диоды кремниевые, диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой 1...50 кГц (2Д230А, 2Д230Б, 2Д230В, 2Д230Г) и 50Гц... 20кГц (2Д230Д, 2Д230Е, 2Д230Ж, 2Д230И).
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводится на корпусе.
Масса диода не более 6 г, с комплектующими деталями не более 7,5 г.
Тип корпуса: КД-11.
Технические условия аА0.339.465 ТУ.
2Д230Ж
Диоды кремниевые, диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой 1...50 кГц (2Д230А, 2Д230Б, 2Д230В, 2Д230Г) и 50Гц... 20кГц (2Д230Д, 2Д230Е, 2Д230Ж, 2Д230И).
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводится на корпусе.
Масса диода не более 6 г, с комплектующими деталями не более 7,5 г.
Тип корпуса: КД-11.
Технические условия аА0.339.465 ТУ.
103.84 руб
2Д230И
Диоды кремниевые, диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой 1...50 кГц (2Д230А, 2Д230Б, 2Д230В, 2Д230Г) и 50 Гц...20 кГц (2Д230Д, 2Д230Е, 2Д230Ж, 2Д230И).
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводится на корпусе.
Масса диода не более 6 г, с комплектующими деталями не более 7,5 г.
Тип корпуса: КД-11.
Технические условия аА0.339.465 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д230И:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 1000 В;
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 1000 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 3 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 60 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,3 В при Inp 3 А
264.32 руб
2Д230К
Диоды кремниевые, диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой 1...50 кГц (2Д230А, 2Д230Б, 2Д230В, 2Д230Г) и 50Гц... 20кГц (2Д230Д, 2Д230Е, 2Д230Ж, 2Д230И).
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводится на корпусе.
Масса диода не более 6 г, с комплектующими деталями не более 7,5 г.
Тип корпуса: КД-11.
Технические условия аА0.339.465 ТУ.
363.44 руб
2Д230Л
Диоды кремниевые, диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой 1...50 кГц (2Д230А, 2Д230Б, 2Д230В, 2Д230Г) и 50Гц... 20кГц (2Д230Д, 2Д230Е, 2Д230Ж, 2Д230И).
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводится на корпусе.
Масса диода не более 6 г, с комплектующими деталями не более 7,5 г.
Тип корпуса: КД-11.
Технические условия аА0.339.465 ТУ.
118.00 руб
2Д231А
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные.
Предназначены для применения во вторичных источниках электропитания на частотах 20...200 кГц (2Д231А, 2Д231Б, 2Д251А, 2Д251Б, 2Д251В) и 10...200 кГц (2Д231В, 2Д231Г, 2Д251Г, 2Д251Д, 2Д251Е).
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 8 г.
Тип корпуса: КД-11.
Технические условия: аА0.339.375 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д231А:
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 150 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 150 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 А;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 50 нс;
• fmax - Максимальная рабочая частота диода: 200 кГц
2 265.60 руб
2Д231Б
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные.
Предназначены для применения во вторичных источниках электропитания на частотах 20...200 кГц (2Д231А, 2Д231Б, 2Д251А, 2Д251Б, 2Д251В) и 10...200 кГц (2Д231В, 2Д231Г, 2Д251Г, 2Д251Д, 2Д251Е).
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 8 г.
Тип корпуса: КД-11.
Технические условия: аА0.339.375 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д231Б:
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 200 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 150 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 А;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 50 нс;
• fmax - Максимальная рабочая частота диода: 200 кГц
1 770.00 руб
2Д231В
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные.
Предназначены для применения во вторичных источниках электропитания на частотах 20...200 кГц (2Д231А, 2Д231Б, 2Д251А, 2Д251Б, 2Д251В) и 10...200 кГц (2Д231В, 2Д231Г, 2Д251Г, 2Д251Д, 2Д251Е).
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 8 г.
Тип корпуса: КД-11.
Технические условия: аА0.339.375 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д231В:
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 150 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 150 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 А;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 50 нс;
• fmax - Максимальная рабочая частота диода: 200 кГц
2 242.00 руб
2Д231Г
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные.
Предназначены для применения во вторичных источниках электропитания на частотах 20...200 кГц (2Д231А, 2Д231Б, 2Д251А, 2Д251Б, 2Д251В) и 10...200 кГц (2Д231В, 2Д231Г, 2Д251Г, 2Д251Д, 2Д251Е).
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 8 г.
Тип корпуса: КД-11.
Технические условия: аА0.339.375 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д231Г:
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 200 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 150 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 А;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 50 нс;
• fmax - Максимальная рабочая частота диода: 200 кГц
1 770.00 руб
2Д235А
Диоды кремниевые, планарно-диффузионные, с барьером Шотки.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 4000 кГц.
Выпускаются в стеклянном корпусе.
Маркируются цветным (белым - 2Д235А, красным - 2Д235Б) кольцом со стороны отрицательного вывода (катода).
Масса диода 0,3 г.
Технические условия аА0.339.575 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д235А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 40 В;
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 40 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 1 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 3 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,9 В при Inp 3 А
198.24 руб
2Д235Б
Диоды кремниевые, планарно-диффузионные, с барьером Шотки.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 4000 кГц.
Выпускаются в стеклянном корпусе.
Маркируются цветным (белым - 2Д235А, красным - 2Д235Б) кольцом со стороны отрицательного вывода (катода).
Масса диода 0,3 г.
Технические условия аА0.339.575 ТУ.
103.84 руб
2Д236А
Диоды 2Д236А кремниевые, диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц во вторичных источниках электропитания аппаратуры с общей герметизацией.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цветными точками со стороны положительного вывода: двумя - для 2Д236А, одной - для 2Д236Б.
Масса диода не более 1 г.
Технические условия: аА0.339.599 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д236А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 600 В;
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 600 В;
• Iпр ср max - Максимальный средний прямой ток: 1 А;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 1 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 30 А;
• fд - Рабочая частота диода: 100 кГц;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,115 мкс
410.64 руб
2Д236Б
Диоды 2Д236Б кремниевые, диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц во вторичных источниках электропитания аппаратуры с общей герметизацией.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цветными точками со стороны положительного вывода: двумя - для 2Д236А, одной - для 2Д236Б.
Масса диода не более 1 г.
Технические условия: аА0.339.599 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д236Б:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 800 В;
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 800 В;
• Iпр ср max - Максимальный средний прямой ток: 1 А;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 1 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 30 А;
• fд - Рабочая частота диода: 100 кГц;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,150 мкс

342.20 руб
2Д237А
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 300 кГц во вторичных источниках электропитания аппаратуры, защищенной от воздействия влаги.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цветными точками: одной - для 2Д237А, двумя - для 2Д237Б.
Масса диода не более 0,9 г.
Тип корпуса: КД-14А.
Технические условия: ТР3.362.021 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д237А:
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 100 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 1 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,3 В при Inp 1 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 5 мкА при Uoбp 100 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 50 нс
409.46 руб
2Д237Б
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 300 кГц во вторичных источниках электропитания аппаратуры, защищенной от воздействия влаги.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цветными точками: одной - для 2Д237А, двумя - для 2Д237Б.
Масса диода не более 0,9 г.
Тип корпуса: КД-14А.
Технические условия: ТР3.362.021 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д237Б:
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 200 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 1 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,3 В при Inp 1 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 5 мкА при Uoбp 100 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 50 нс
713.90 руб
2Д251А
Диоды 2Д251А кремниевые, эпитаксиально-планарные.
Предназначены для применения во вторичных источниках электропитания на частотах 10...200 кГц.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 8 г.
Тип корпуса: КД-11.
Технические условия: аА0.339.375 ТУ.
1 062.00 руб
2Д251Б
Диоды 2Д251Б кремниевые, эпитаксиально-планарные.
Предназначены для применения во вторичных источниках электропитания на частотах 10...200 кГц.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 8 г.
Тип корпуса: КД-11.
Технические условия: аА0.339.375 ТУ.
1 357.00 руб
Выводить по: 20


Мы рекомендуем:



ООО Компания "Электроника и связь" ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 ЕКПС Вооруженных Сил РФ - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ ISO 9001-2011, ГОСТ РВ 0015-002-2012, СРПП ВТ.