+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Диоды выпрямительные

Цены приведены с учетом НДС

2Д251В
Диоды 2Д251В кремниевые, эпитаксиально-планарные.
Предназначены для применения во вторичных источниках электропитания на частотах 10...200 кГц.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 8 г.
Тип корпуса: КД-11.
Технические условия: аА0.339.375 ТУ.
1 180.00 руб
Диоды 2Д2990А кремниевые, эпитаксиально-диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 200 кГц в аппаратуре с общей герметизацией.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Положительный электрод соединен с металлическим основанием корпуса.
Тип диода приводится на корпусе.
Масса диода не более 4 г.
Тип корпуса: КД-23.

Основные технические характеристики диода 2Д2990А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 600 В;
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 650 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 20 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 100 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,4 В при Inp 20 А;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 150 нс;
• fmax - Максимальная рабочая частота диода: 200 кГц
2Д2992А
Диоды 2Д2992А кремниевые, эпитаксиально-диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц во вторичных источниках электропитания.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе в гибкими выводами.
Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса.
Тип диода приводится на корпусе.
Масса диода не более 4 г.
Тип корпуса: КД-23.
Технические условия: аА0.339.585 ТУ.
2Д2992Б
Диоды 2Д2992Б кремниевые, эпитаксиально-диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц во вторичных источниках электропитания.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе в гибкими выводами.
Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса.
Тип диода приводится на корпусе.
Масса диода не более 4 г.
Тип корпуса: КД-23.
Технические условия: аА0.339.585 ТУ.
2Д2992В
Диоды 2Д2992В кремниевые, эпитаксиально-диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц во вторичных источниках электропитания.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе в гибкими выводами.
Отрицательный электрод соединен с металлическим основанием корпуса.
Тип диода приводится на корпусе.
Масса диода не более 4 г.
Тип корпуса: КД-23.
Технические условия: аА0.339.585 ТУ.
2Д2997А
Диоды 2Д2997А кремниевые, эпитаксиально-диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами (металлическое основание корпуса соединено с отрицательным электродом).
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 4 г.
Тип корпуса: КД-23.
Технические условия: аА0.339.585 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д2997А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 200 В;
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 250 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 30 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 100 А;
• fд - Рабочая частота диода: 100 кГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 30 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 25 мА при Uoбp 200 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: не более 0,2 мкс
2Д2997Б
Диоды 2Д2997Б кремниевые, эпитаксиально-диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами (металлическое основание корпуса соединено с отрицательным электродом).
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 4 г.
Тип корпуса: КД-23.
Технические условия: аА0.339.585 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д2997Б:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В;
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 290 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 30 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 100 А;
• fд - Рабочая частота диода: 100 кГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 30 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 25 мА при Uoбp 100 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: не более 0,2 мкс
2Д2997В
Диоды 2Д2997В кремниевые, эпитаксиально-диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами (металлическое основание корпуса соединено с отрицательным электродом).
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 4 г.
Тип корпуса: КД-23.
Технические условия: аА0.339.585 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д2997В:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В;
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 100 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 30 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 100 А;
• fд - Рабочая частота диода: 100 кГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 30 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 25 мА при Uoбp 50 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: не более 0,2 мкс
Диоды 2Д2998А кремниевые, эпитаксиально-планарные, с барьером Шотки.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой от 10 до 200 кГц в низковольтных вторичных источниках электропитания.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 6 г.
Тип корпуса: КД-11.
Технические условия: аА0.339.369 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д2998А:
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 15 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 30 А;
• fд - Рабочая частота диода: 10... 200 кГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,6 В при Inp 30 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 20 мА при Uoбp 15 В
Диоды 2Д2998Б кремниевые, эпитаксиально-планарные, с барьером Шотки.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой от 10 до 200 кГц в низковольтных вторичных источниках электропитания.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 6 г.
Тип корпуса: КД-11.
Технические условия: аА0.339.369 ТУ.
Диоды 2Д2998В кремниевые, эпитаксиально-планарные, с барьером Шотки.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой от 10 до 200 кГц в низковольтных вторичных источниках электропитания.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 6 г.
Тип корпуса: КД-11.
Технические условия: аА0.339.369 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д2998В:
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 35 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 30 А;
• fд - Рабочая частота диода: 10... 200 кГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,68 В при Inp 30 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 20 мА при Uoбp 25 В
Диоды 2Д2999А кремниевые, эпитаксиально-диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами (металлическое основание корпуса соединено с отрицательным электродом).
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 4 г.
Тип корпуса: КД-23.
Технические условия: аА0.339.422 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д2999А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 200 В;
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 250 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 20 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 100 А;
• fд - Рабочая частота диода: 100 кГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 20 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 200 мкА при Uoбp 250 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: не более 0,2 мкс
Диоды 2Д2999Б кремниевые, эпитаксиально-диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами (металлическое основание корпуса соединено с отрицательным электродом).
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 4 г.
Тип корпуса: КД-23.
Технические условия: аА0.339.422 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д2999Б:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В;
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 200 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 20 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 100 А;
• fд - Рабочая частота диода: 100 кГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 20 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 200 мкА при Uoбp 200 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: не более 0,2 мкс
Д206
Диоды Д206 кремниевые, сплавные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 1 кГц.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 2 г.

Основные технические характеристики диода Д206:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 100 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 1 кГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 100 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 50 мкА при Uoбp 100 В
14.16 руб
Диоды Д210 кремниевые, сплавные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 1 кГц.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 2 г.

Основные технические характеристики диода Д210:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 500 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 100 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 1 кГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 100 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 50 мкА при Uoбp 500 В
18.88 руб
Диоды Д211 кремниевые, сплавные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 1 кГц.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 2 г.

Основные технические характеристики диода Д211:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 600 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 100 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 1 кГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 100 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 50 мкА при Uoбp 600 В
16.52 руб
Диоды Д214 кремниевые, диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 1,1 кГц.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 12 г, с комплектующими деталями не более 18 г.
Тип корпуса: КДЮ-11-4.
Технические условия: УЖ3.362.018 ТУ.

Основные технические характеристики диода Д214 :
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А;
• fд - Рабочая частота диода: 1,1 кГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,2 В при Inp 10 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 3 мА при Uoбp 100 В
110.92 руб
Диоды Д214А кремниевые, диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 1,1 кГц.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 12 г, с комплектующими деталями не более 18 г.
Тип корпуса: КДЮ-11-4.
Технические условия: УЖ3.362.018 ТУ.

Основные технические характеристики диода Д214А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А;
• fд - Рабочая частота диода: 1,1 кГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 3 мА при Uoбp 100 В
110.92 руб
Диоды Д214Б кремниевые, диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 1,1 кГц.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 12 г, с комплектующими деталями не более 18 г.
Тип корпуса: КДЮ-11-4.
Технические условия: УЖ3.362.018 ТУ.

Основные технические характеристики диода Д214Б:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 5 А;
• fд - Рабочая частота диода: 1,1 кГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,5 В при Inp 5 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 3 мА при Uoбp 100 В
103.84 руб
Диоды Д215 кремниевые, диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 1,1 кГц.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 12 г, с комплектующими деталями не более 18 г.
Тип корпуса: КДЮ-11-4.
Технические условия: УЖ3.362.018 ТУ.

Основные технические характеристики диода Д215:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 200 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А;
• fд - Рабочая частота диода: 1,1 кГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,2 В при Inp 10 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 3000 мкА при Uoбp 200 В
110.92 руб
Выводить по: 20


Мы рекомендуем:



ООО Компания "Электроника и связь" ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 ЕКПС Вооруженных Сил РФ - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ ISO 9001-2011, ГОСТ РВ 0015-002-2012, СРПП ВТ.