+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Микросхемы

Цены приведены с учетом НДС

100ЛП116
Микросхема 100ЛП116 представляет собой 3 дифференциальных приемника с линии.
Содержит 32 интегральных элемента.
Корпус типа 402.16-6.
Масса не более 1,5 г.
Микросхема изготовлена по биполярной ЭСЛ технологии.
Технические условия: И63.088.068-10 ТУ.

Предельно допустимые режимы эксплуатации:
- Напряжение питания ...... -6 В, -7 В (в течении 5 мс)
- Максимальное входное напряжение ...... 0 В
- Минимальное входное напряжение ...... -5,5 В
- Максимальный выходной ток ...... 40 мА
- Предельно допустимая температура кристалла ...... 125 °С
- Температура окружающей среды ...... -10 +70 °С
100ЛП216
Микросхема 100ЛП216 представляет собой 3 приемника с линии.
Содержит 44 интегральных элемента.
Корпус типа 402.16-6.
Масса не более 1,5 г.
Микросхема изготовлена по биполярной ЭСЛ технологии.
Технические условия: И63.088.068-20 ТУ.

Предельно допустимые режимы эксплуатации:
- Напряжение питания ...... -6 В, -7 В (в течении 5 мс)
- Максимальное входное напряжение ...... 0 В
- Минимальное входное напряжение ...... -5,5 В
- Максимальный выходной ток ...... 40 мА
- Предельно допустимая температура кристалла ...... 125 °С
- Температура окружающей среды ...... -10 +70 °С
100ЛС118
Микросхема 100ЛС118 представляет собой 2 логических элемента ИЛИ-И.
Содержит 50 интегральных элементов.
Корпус типа 402.16-6.
Масса не более 1,5 г.
Микросхема изготовлена по биполярной ЭСЛ технологии.
Технические условия: И63.088.068ТУ5.

Предельно допустимые режимы эксплуатации:
- Напряжение питания ...... -6 В, -7 В (в течении 5 мс)
- Максимальное входное напряжение ...... 0 В
- Минимальное входное напряжение ...... -5,5 В
- Максимальный выходной ток ...... 40 мА
- Предельно допустимая температура кристалла ...... 125 °С
- Температура окружающей среды ...... -10 +70 °С
100ПУ124
Микросхема 100ПУ124 представляет собой преобразователь уровня.
Содержит 128 интегральных элементов.
Корпус типа 402.16-6.
Масса не более 1,5 г.
Микросхема изготовлена по биполярной ЭСЛ технологии.
Технические условия: И63.088.068-17ТУ.

Предельно допустимые режимы эксплуатации:
- Напряжение питания ...... -6 В, -7 В (в течении 5 мс)
- Максимальное входное напряжение ...... 0 В
- Минимальное входное напряжение ...... -5,5 В
- Максимальный выходной ток ...... 40 мА
- Предельно допустимая температура кристалла ...... 125 °С
- Температура окружающей среды ...... -10 +70 °С
100ПУ125
Микросхема 100ПУ125 представляет собой преобразователь уровня.
Содержит 88 интегральных элементов.
Корпус типа 402.16-6.
Масса не более 1,5 г.
Микросхема изготовлена по биполярной ЭСЛ технологии.
Технические условия: И63.088.068-24ТУ.

Предельно допустимые режимы эксплуатации:
- Напряжение питания ...... -6 В, -7 В (в течении 5 мс)
- Максимальное входное напряжение ...... 0 В
- Минимальное входное напряжение ...... -5,5 В
- Максимальный выходной ток ...... 40 мА
- Предельно допустимая температура кристалла ...... 125 °С
- Температура окружающей среды ...... -10 +70 °С
100РУ145
Микросхема 100РУ145 изготовлена по биполярной ЭСЛ технологии.
Корпус типа 402.16-6.
Масса не более 1,5 г.
Технические условия: И63.088.068-29ТУ.

Предельно допустимые режимы эксплуатации:
- Напряжение питания ...... -6 В, -7 В (в течении 5 мс)
- Максимальное входное напряжение ...... 0 В
- Минимальное входное напряжение ...... -5,5 В
- Максимальный выходной ток ...... 40 мА
- Предельно допустимая температура кристалла ...... 125 °С
- Температура окружающей среды ...... -10 +70 °С
100РУ410А
Микросхема 100РУ410А изготовлена по биполярной ЭСЛ технологии.
Корпус типа 402.16-6.
Масса не более 1,5 г.
Технические условия: И63.088.068-27 ТУ.

Предельно допустимые режимы эксплуатации:
- Напряжение питания ...... -6 В, -7 В (в течении 5 мс)
- Максимальное входное напряжение ...... 0 В
- Минимальное входное напряжение ...... -5,5 В
- Максимальный выходной ток ...... 40 мА
- Предельно допустимая температура кристалла ...... 125 °С
- Температура окружающей среды ...... -10 +70 °С
100РУ415
Микросхема 100РУ415 изготовлена по биполярной ЭСЛ технологии.
Корпус типа: 402.16-6.
Технические условия: И63.088.068-29ТУ.

Предельно допустимые режимы эксплуатации:
- Напряжение питания ...... -6 В, -7 В (в течении 5 мс)
- Максимальное входное напряжение ...... 0 В
- Минимальное входное напряжение ...... -5,5 В
- Максимальный выходной ток ...... 40 мА
- Предельно допустимая температура кристалла ...... 125 °С
- Температура окружающей среды ...... -10 +70 °С
100ТМ131
Микросхема 100ТМ131 представляет собой 2 D-триггера.
Содержит 138 интегральных элементов.
Корпус типа 402.16-6.
Масса не более 1,5 г.
Микросхема изготовлена по биполярной ЭСЛ технологии.
Технические условия: И63.088.068-10ТУ.

Предельно допустимые режимы эксплуатации:
- Напряжение питания ...... -6 В, -7 В (в течении 5 мс)
- Максимальное входное напряжение ...... 0 В
- Минимальное входное напряжение ...... -5,5 В
- Максимальный выходной ток ...... 40 мА
- Предельно допустимая температура кристалла ...... 125 °С
- Температура окружающей среды ...... -10 +70 °С
100ТМ134
Микросхема 100ТМ134 представляет собой 2 D-триггера.
Содержит 131 интегральный элемент.
Корпус типа 402.16-6.
Масса не более 1,5 г.
Микросхема изготовлена по биполярной ЭСЛ технологии.
Технические условия: И63.088.068-06ТУ.

Предельно допустимые режимы эксплуатации:
- Напряжение питания ...... -6 В, -7 В (в течении 5 мс)
- Максимальное входное напряжение ...... 0 В
- Минимальное входное напряжение ...... -5,5 В
- Максимальный выходной ток ...... 40 мА
- Предельно допустимая температура кристалла ...... 125 °С
- Температура окружающей среды ...... -10 +70 °С
100ТМ231
Микросхема 100ТМ231 представляет собой 2 D-триггера.
Содержит 138 интегральных элементов.
Корпус типа 402.16-6.
Масса не более 1,5 г.
Микросхема изготовлена по биполярной ЭСЛ технологии.
Технические условия: И63.088.068-20ТУ.


Предельно допустимые режимы эксплуатации:
- Напряжение питания ...... -6 В, -7 В (в течении 5 мс)
- Максимальное входное напряжение ...... 0 В
- Минимальное входное напряжение ...... -5,5 В
- Максимальный выходной ток ...... 40 мА
- Предельно допустимая температура кристалла ...... 125 °С
- Температура окружающей среды ...... -10 +70 °С
101КТ1А
Микросхемы 101КТ1А представляют собой прерыватели сигналов.
Содержат 2 интегральных элемента (транзистора).
Корпус типа 301.8-2.
Масса не более 1,5 г.
Технические условия: И63.365.003ТУ.

Предельно допустимые режимы эксплуатации:
Коммутируемое напряжение:
  - 101КТ1А, 101КТ1Б .......... < 6,3 В
  - 101КТ1В, 101КТ1Г .......... < 3 В
Коммутируемый ток .......... < 10 мА
Ток управления .......... < 10 мА
Обратное напряжение коллектор-база .......... < 3,5 В
Обратное напряжение эмиттер-база:
  - 101КТ1А, 101КТ1Б .......... < 6,5В
  - 101КТ1В, 101КТ1Г .......... < 3,5 В
Допустимое значение статического потенциала .......... 200 В
Температура окружающей среды .......... -45 +70°С
101КТ1Б
Микросхемы 101КТ1Б представляют собой прерыватели сигналов.
Содержат 2 интегральных элемента (транзистора).
Корпус типа 301.8-2.
Масса не более 1,5 г.
Технические условия: И63.365.003ТУ.

Предельно допустимые режимы эксплуатации:
Коммутируемое напряжение:
  - 101КТ1А, 101КТ1Б .......... < 6,3 В
  - 101КТ1В, 101КТ1Г .......... < 3 В
Коммутируемый ток .......... < 10 мА
Ток управления .......... < 10 мА
Обратное напряжение коллектор-база .......... < 3,5 В
Обратное напряжение эмиттер-база:
  - 101КТ1А, 101КТ1Б .......... < 6,5В
  - 101КТ1В, 101КТ1Г .......... < 3,5 В
Допустимое значение статического потенциала .......... 200 В
Температура окружающей среды .......... -45 +70°С
101КТ1В
Микросхемы 101КТ1В представляют собой прерыватели сигналов.
Содержат 2 интегральных элемента (транзистора).
Корпус типа 301.8-2.
Масса не более 1,5 г.
Технические условия: И63.365.003ТУ.

Предельно допустимые режимы эксплуатации:
Коммутируемое напряжение:
  - 101КТ1А, 101КТ1Б .......... < 6,3 В
  - 101КТ1В, 101КТ1Г .......... < 3 В
Коммутируемый ток .......... < 10 мА
Ток управления .......... < 10 мА
Обратное напряжение коллектор-база .......... < 3,5 В
Обратное напряжение эмиттер-база:
  - 101КТ1А, 101КТ1Б .......... < 6,5В
  - 101КТ1В, 101КТ1Г .......... < 3,5 В
Допустимое значение статического потенциала .......... 200 В
Температура окружающей среды .......... -45 +70°С
104ЛИ1
Микросхема 104ЛИ1 представляет собой логическая схема И.
Корпус типа 401.14-4.
Масса не более 0,45 г.
106ИР2
Микросхемы 106ИР2 изготовлены по ТТЛ технологии.
Масса не более 0,35 г.
Тип корпуса: 401.14-3.
Рабочая температура: -60...+125°С.

Предельно допустимые режимы эксплуатации:
Напряжение питания .......... < 6 В
Напряжение на входе относительно «земли» .......... <5 В
Выходной втекающий ток    < 18 мА
Выходной вытекающий ток .......... < 15 мА
Максимальная емкость нагрузки .......... < 200 пФ
Мощность рассеяния без теплоотвода .......... < 100 мВт
Тепловое сопротивление кристалл-среда .......... 0,25 °С/мВт
Предельная температура кристалла .......... 150°С

Общие рекомендации по применению:
Максимальная температура пайки (260 ±5)°С, продолжительность пайки не более 3 с.
Число допускаемых перепаек выводов 2.
При работе микросхем неиспользуемые входы одного логического элемента рекомендуется объединять с одним из используемых входов или подключать к источнику постоянного напряжения через резистор сопротивлением не менее 1 кОм, при этом можно объединять любое количество входов к одному и тому же резистору. Следует учитывать, что при объединении неиспользуемых входов с одним из используемых нагрузочная способность по уровню лог.1 определяется числом подключаемых входов. Неиспользуемые входы можно также подключать и к выходам неиспользуемых вентилей; при этом входы последних следует подключать (заземлять) к низкому уровню. Монтаж микросхем производится только в обесточенном состоянии.
Допустимое значение статического потенциала 30 В.
179.36 руб
106ЛА3
Микросхемы 106ЛА3 изготовлены по ТТЛ технологии.
Масса не более 0,35 г.
Тип корпуса: 401.14-1.
Рабочая температура: -60...+125°С.

Предельно допустимые режимы эксплуатации:
Напряжение питания .......... < 6 В
Напряжение на входе относительно «земли» .......... <5 В
Выходной втекающий ток    < 18 мА
Выходной вытекающий ток .......... < 15 мА
Максимальная емкость нагрузки .......... < 200 пФ
Мощность рассеяния без теплоотвода .......... < 100 мВт
Тепловое сопротивление кристалл-среда .......... 0,25 °С/мВт
Предельная температура кристалла .......... 150°С

Общие рекомендации по применению:
Максимальная температура пайки (260 ±5)°С, продолжительность пайки не более 3 с.
Число допускаемых перепаек выводов 2.
При работе микросхем неиспользуемые входы одного логического элемента рекомендуется объединять с одним из используемых входов или подключать к источнику постоянного напряжения через резистор сопротивлением не менее 1 кОм, при этом можно объединять любое количество входов к одному и тому же резистору. Следует учитывать, что при объединении неиспользуемых входов с одним из используемых нагрузочная способность по уровню лог.1 определяется числом подключаемых входов. Неиспользуемые входы можно также подключать и к выходам неиспользуемых вентилей; при этом входы последних следует подключать (заземлять) к низкому уровню. Монтаж микросхем производится только в обесточенном состоянии.
Допустимое значение статического потенциала 30 В.
381.14 руб
106ЛА3А
Микросхемы 106ЛА3А изготовлены по ТТЛ технологии.
Масса не более 0,35 г.
Тип корпуса: 401.14-1.
Рабочая температура: -60...+125°С.

Предельно допустимые режимы эксплуатации:
Напряжение питания .......... < 6 В
Напряжение на входе относительно «земли» .......... <5 В
Выходной втекающий ток    < 18 мА
Выходной вытекающий ток .......... < 15 мА
Максимальная емкость нагрузки .......... < 200 пФ
Мощность рассеяния без теплоотвода .......... < 100 мВт
Тепловое сопротивление кристалл-среда .......... 0,25 °С/мВт
Предельная температура кристалла .......... 150°С

Общие рекомендации по применению:
Максимальная температура пайки (260 ±5)°С, продолжительность пайки не более 3 с.
Число допускаемых перепаек выводов 2.
При работе микросхем неиспользуемые входы одного логического элемента рекомендуется объединять с одним из используемых входов или подключать к источнику постоянного напряжения через резистор сопротивлением не менее 1 кОм, при этом можно объединять любое количество входов к одному и тому же резистору. Следует учитывать, что при объединении неиспользуемых входов с одним из используемых нагрузочная способность по уровню лог.1 определяется числом подключаемых входов. Неиспользуемые входы можно также подключать и к выходам неиспользуемых вентилей; при этом входы последних следует подключать (заземлять) к низкому уровню. Монтаж микросхем производится только в обесточенном состоянии.
Допустимое значение статического потенциала 30 В.
106ЛА4А
Микросхемы 106ЛА4А изготовлены по ТТЛ технологии.
Масса не более 0,35 г.
Тип корпуса: 401.14-1.
Рабочая температура: -60...+125°С.

Предельно допустимые режимы эксплуатации:
Напряжение питания .......... < 6 В
Напряжение на входе относительно «земли» .......... <5 В
Выходной втекающий ток    < 18 мА
Выходной вытекающий ток .......... < 15 мА
Максимальная емкость нагрузки .......... < 200 пФ
Мощность рассеяния без теплоотвода .......... < 100 мВт
Тепловое сопротивление кристалл-среда .......... 0,25 °С/мВт
Предельная температура кристалла .......... 150°С

Общие рекомендации по применению:
Максимальная температура пайки (260 ±5)°С, продолжительность пайки не более 3 с.
Число допускаемых перепаек выводов 2.
При работе микросхем неиспользуемые входы одного логического элемента рекомендуется объединять с одним из используемых входов или подключать к источнику постоянного напряжения через резистор сопротивлением не менее 1 кОм, при этом можно объединять любое количество входов к одному и тому же резистору. Следует учитывать, что при объединении неиспользуемых входов с одним из используемых нагрузочная способность по уровню лог.1 определяется числом подключаемых входов. Неиспользуемые входы можно также подключать и к выходам неиспользуемых вентилей; при этом входы последних следует подключать (заземлять) к низкому уровню. Монтаж микросхем производится только в обесточенном состоянии.
Допустимое значение статического потенциала 30 В.
106ЛА6
Микросхемы 106ЛА6 изготовлены по ТТЛ технологии.
Масса не более 0,35 г.
Тип корпуса: 401.14-1.
Рабочая температура: -60...+125°С.

Предельно допустимые режимы эксплуатации:
Напряжение питания .......... < 6 В
Напряжение на входе относительно «земли» .......... <5 В
Выходной втекающий ток    < 18 мА
Выходной вытекающий ток .......... < 15 мА
Максимальная емкость нагрузки .......... < 200 пФ
Мощность рассеяния без теплоотвода .......... < 100 мВт
Тепловое сопротивление кристалл-среда .......... 0,25 °С/мВт
Предельная температура кристалла .......... 150°С


Общие рекомендации по применению:
Максимальная температура пайки (260 ±5)°С, продолжительность пайки не более 3 с.
Число допускаемых перепаек выводов 2.
При работе микросхем неиспользуемые входы одного логического элемента рекомендуется объединять с одним из используемых входов или подключать к источнику постоянного напряжения через резистор сопротивлением не менее 1 кОм, при этом можно объединять любое количество входов к одному и тому же резистору. Следует учитывать, что при объединении неиспользуемых входов с одним из используемых нагрузочная способность по уровню лог.1 определяется числом подключаемых входов. Неиспользуемые входы можно также подключать и к выходам неиспользуемых вентилей; при этом входы последних следует подключать (заземлять) к низкому уровню. Монтаж микросхем производится только в обесточенном состоянии.
Допустимое значение статического потенциала 30 В.
135.70 руб
Выводить по: 20


Мы рекомендуем:



ООО Компания "Электроника и связь" ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 ЕКПС Вооруженных Сил РФ - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ ISO 9001-2011, ГОСТ РВ 0015-002-2012, СРПП ВТ.