+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Транзисторы биполярные

Цены приведены с учетом НДС

1Т308А
Транзисторы 1Т308А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,2 г.
Технические условия: ЖК3.365.120 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 1Т308А:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой:  не менее 90 МГц
• Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В
• Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...75 (1В; 10мА)
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 (5В)
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 400 пс
1Т308Б
Транзисторы 1Т308Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,2 г.
Технические условия: ЖК3.365.120 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 1Т308Б:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой:  не менее 120 МГц;
• Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;
• Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 50...120 (1В; 10мА);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 (5В);
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 24 Ом;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 400 пс
1Т308В
Транзисторы 1Т308В германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в автогенераторах, усилителях мощности, импульсных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,2 г.
Технические условия: ЖК3.365.120 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 1Т308В:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой:  не менее 120 МГц;
• Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;
• Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 80...150 (1В; 10мА);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 (5В);
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 24 Ом;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 8 дБ (1,6 МГц);
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 400 пс
1Т311А
Транзисторы 1Т311А германиевые планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Технические условия: ЖК3.365.158 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 1Т311А:
• Структура: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой:  более 300 МГц;
• Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 12 В;
• Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 15...180 при 3В; 5мА;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,5 при 5В пФ ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 20 Ом.
1Т311Б
Транзисторы 1Т311Б германиевые планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Технические условия: ЖК3.365.158 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 1Т311Б:
• Структура: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой:  более 300 МГц;
• Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 12 В;
• Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 30...180 при 3В; 5мА;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,5 при 5В пФ ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 20 Ом;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется
1Т311Г
Транзисторы 1Т311Г германиевые планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Технические условия: ЖК3.365.158 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 1Т311Г:
• Структура: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой:  более 450 МГц;
• Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 12 В;
• Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 30...80 при 3В; 5мА;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,5 при 5В пФ ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 20 Ом.
1Т311Д
Транзисторы 1Т311Д германиевые планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Технические условия: ЖК3.365.158 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 1Т311Д:
• Структура: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой:  более 600 МГц;
• Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 12 В;
• Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 60...180 при 3В; 5мА;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,5 при 5В пФ ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 20 Ом.
1Т311К
Транзисторы 1Т311К германиевые планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Технические условия: ЖК3.365.158 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 1Т311В:
• Структура: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой:  1500 МГц;
• Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 12 В;
• Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 60...180 при 3В; 5мА;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,5 при 5В пФ ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 20 Ом.
1Т313А
Транзисторы 1Т313А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Технические условия: ЖК3.365.161 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 1Т313А:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт;
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой:  не менее 300 МГц;
• Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 12 В;
• Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,7 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА при 12В;
• h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 20...250 при 5В; 5мА;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,5 пФ при 5В;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 4,6 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 75 пс
1Т313Б
Транзисторы 1Т313Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Технические условия: ЖК3.365.161 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 1Т313Б:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт;
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой:  не менее 450 МГц;
• Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 12 В;
• Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,7 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА при 12В;
• h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 10...75 при 5В; 5мА;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,5 пФ при 5В;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 4,6 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 40 пс
1Т313В
Транзисторы 1Т313В германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Технические условия: ЖК3.365.161 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 1Т313В:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт;
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой:  не менее 350 МГц;
• Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 12 В;
• Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,7 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА при 12В;
• h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 30...230 при 5В; 5мА;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,5 пФ при 5В;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 4,6 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 75 пс
1Т320А
Транзисторы 1Т320А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,2 г.
Технические условия: ЩП3.365.011 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 1Т320А:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт;
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой:  не менее 160 МГц;
• Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;
• Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА при 20 В;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40...100 при 1В; 10мА;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 пФ при 5В;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 8,5 Ом;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 500 пс
1Т321Б
Транзисторы 1Т321Б германиевые конверсионные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Вывод эмиттера на буртике корпуса маркируется цветной меткой.
Масса транзистора не более 2,2 г.
Технические условия: ЩТ3.365.027 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 1Т321Б:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 160 мВт;
• Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 20 Вт;
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой:  не менее 60 МГц;
• Uкэо проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы: 40 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 2 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 500 мкА при 60 В;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40...120 при 3В, 0,5мА;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 550 пФ при 10В;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,5 Ом;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 600 пс
1Т321Е
Транзисторы 1Т321Е германиевые конверсионные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Вывод эмиттера на буртике корпуса маркируется цветной меткой.
Масса транзистора не более 2,2 г.
Технические условия: ЩТ3.365.027 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 1Т321Е:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 160 мВт;
• Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 20 Вт;
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой:  не менее 60 МГц;
• Uкэо проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы: 30 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 2 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 500 мкА при 45 В;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 80...200 при 3В, 0,5мА;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 550 пФ при 10В;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,5 Ом;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 600 пс
1Т329А
Транзисторы 1Т329А германиевые планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц.
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Технические условия: ЩТ3.365.057 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 1Т329А:
• Структура: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 50 мВт;
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой:  не менее 1200 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 10 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,7 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА при 10 В;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 15...300 при 5В, 5мА;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2 пФ при 5В;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4 дБ на частоте 400 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 15 пс
101.48 руб
1Т329Б
Транзисторы 1Т329Б германиевые планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц.
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Технические условия: ЩТ3.365.057 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 1Т329Б:
• Структура: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 50 мВт;
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой:  не менее 1700 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 10 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,7 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА при 10 В;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 15...300 при 5В, 5мА;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2 пФ при 5В;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 6 дБ на частоте 400 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 30 пс
101.48 руб
1Т329В
Транзисторы 1Т329В германиевые планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц.
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Технические условия: ЩТ3.365.057 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 1Т329В:
• Структура: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 50 мВт;
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой:  не менее 990 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 10 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 1 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА при 10 В;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 15...300 при 5В, 5мА;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2 пФ при 5В;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 6 дБ на частоте 400 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс
101.48 руб
1Т341А
Транзисторы 1Т341А германиевые планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 ГГц.
Предназначены для применения в усилителях сверхвысокой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Технические условия на 1Т341А, 1Т341Б, 1Т341В: ЩТ3.365.065 ТУ.
Технические условия на ГТ341А, ГТ341Б, ГТ341В: ЩТ0.336.009 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 1Т341А:
• Структура: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 35 мВт;
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой:  не менее 1500 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 10 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА при 10 В;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 15...250 при 5В, 3мА;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,0 пФ при 5В;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4,5 дБ на частоте 1 ГГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 10 пс
1Т387А-2
Транзисторы 1Т387А-2 германиевые планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для усиления и генерирования сигналов сверхвысоких частот.
Бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами и керамической крышкой.
Выпускаются в индивидуальной таре-спутнике.
Тип прибора указывается на таре.
На крышке транзистора наносится условная маркировка цветными точками:
  - 1Т387А-2 - черная;
  - 1Т387Б-2 - белая.
Масса транзистора не более 0,1 г.
1Т403А
Транзисторы 1Т403А германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 4 г.
Технические условия: СИ3.365.023 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 1Т403А:
• Структура: p-n-p
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 4 Вт;
• fmax - Максимальная частота генерации: 0,008 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 20 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1250 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 50 мкА при 45 В;
• h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 20...60 при 5В, 0,1 А;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется
Выводить по: 20


Мы рекомендуем:



ООО Компания "Электроника и связь" ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 ЕКПС Вооруженных Сил РФ - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ ISO 9001-2011, ГОСТ РВ 0015-002-2012, СРПП ВТ.