+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Транзисторы биполярные

Цены приведены с учетом НДС

1Т403Б
Транзисторы 1Т403Б германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 4 г.
Технические условия: СИ3.365.023 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 1Т403Б:
• Структура: p-n-p
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 4 Вт;
• fmax - Максимальная частота генерации: 0,008 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 20 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1250 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 50 мкА при 45 В;
• h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 50...150 при 5В, 0,1 А;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется
1Т403В
Транзисторы 1Т403В германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 4 г.
Технические условия: СИ3.365.023 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 1Т403В:
• Структура: p-n-p
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт;
• fmax - Максимальная частота генерации: 0,008 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 20 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1250 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 50 мкА при 60 В;
• h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 20...60 при 5В, 0,1 А;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется
1Т403Г
Транзисторы 1Т403Г германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 4 г.
Технические условия: СИ3.365.023 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 1Т403Г:
• Структура: p-n-p
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 4 Вт;
• fmax - Максимальная частота генерации: 0,008 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 20 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1250 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 50 мкА при 60 В;
• h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 50...150 при 5В, 0,1 А;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется
1Т403Д
Транзисторы 1Т403Д германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 4 г.
Технические условия: СИ3.365.023 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 1Т403Д:
• Структура: p-n-p
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 4 Вт;
• fmax - Максимальная частота генерации: 0,008 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 30 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1250 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 50 мкА при 60 В;
• h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 50...150 при 5В, 0,1 А;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется
1Т403Е
Транзисторы 1Т403Е германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 4 г.
Технические условия: СИ3.365.023 ТУ.
1Т403Ж
Транзисторы 1Т403Ж германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 4 г.
Технические условия: СИ3.365.023 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 1Т403Ж:
• Структура: p-n-p
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 4 Вт;
• fmax - Максимальная частота генерации: 0,008 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 20 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1250 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 50 мкА при 80 В;
• h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 20...60 при 5В, 0,1 А;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется
1Т403И
Транзисторы 1Т403И германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 4 г.
Технические условия: СИ3.365.023 ТУ.
127.44 руб
1Т612А-4
Транзисторы 1Т612А-4 германиевые планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для усиления и генерирования сигналов сверхвысоких частот в схеме с общей базой.
Бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с металлизированными контактами выступами и покрытым эмалью кристаллом.
Выпускаются в индивидуальной таре-спутнике. Тип прибора указывается на таре.
Масса транзистора не более 0,2 г.

Основные технические характеристики транзистора 1Т612А-4:
• Структура: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 570 мВт;
• fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1500 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 12 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,2 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 120 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 200 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 3,5 пФ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менне 0,2 Вт на частоте 2 ГГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 7 пс
1Т806А
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные.
Транзисторы 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В предназначены для применения в импульсных устройствах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора не более 28 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-20.
Технические условия: ЮФ3.365.009 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 1Т806А:
• Структура: p-n-p
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 10 МГц;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А;
• h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 10...100;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,04 Ом
1Т806Б
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные.
Транзисторы 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В предназначены для применения в импульсных устройствах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора не более 28 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-20.
Технические условия: ЮФ3.365.009 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 1Т806Б:
• Структура: p-n-p
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 10 МГц;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А;
• h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 10...100;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,04 Ом
1Т806В
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные.
Транзисторы 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В предназначены для применения в импульсных устройствах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора не более 28 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-20.
Технические условия: ЮФ3.365.009 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 1Т806В:
• Структура: p-n-p
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 10 МГц;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А;
• h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 10...100;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,04 Ом
1Т813А
Транзисторы 1Т813А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора не более 28 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-20.
Технические условия: ЮФ3.365.026 ТУ.
1Т813Б
Транзисторы 1Т813Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора не более 28 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-20.
Технические условия: ЮФ3.365.026 ТУ.
1Т813В
Транзисторы 1Т813В германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора не более 28 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-20.
Технические условия: ЮФ3.365.026 ТУ.
1Т905А
Транзисторы 1Т905А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в переключающих и импульсных усилительных устройствах, в выходных каскадах усилителей мощности низкой частоты.
Выпускаются в металлическом со стеклянными изоляторами 1Т905А и металлопластмассовом ГТ905А, ГТ905Б корпусах с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзисторов 1Т905А не более 4,5 г (с крепежным фланцем не более 6 г), ГТ905А, ГТ905Б не более 7 г.
Технические условия: СА3.365.011 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 1Т905А:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора:  6 Вт;
• fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 30 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 75 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 35...100;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 200 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,17 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 300 пс
1Т906А
Транзисторы 1Т906А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в преобразователях напряжения, переключающих и импульсных усилительных каскадах радиоэлектронных устройств.
Выпускаются в металлическом со стеклянными изоляторами 1Т906А, ГТ906А и металлопластмассовом ГТ906АМ корпусах с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзисторов 1Т906А, ГТ906А не более 4,5 г (с крепежным фланцем не более 6 г), ГТ906АМ не более 7 г.
Технические условия: СА3.365.011 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 1Т906А:
• Структура: p-n-p
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 15 Вт;
• fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 30 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 75 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 1,4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 8 мА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 30...150;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 5000 пс
132.16 руб
1Т910АД
Транзистор 1Т910АД германиевый диффузионно-сплавной структуры p-n-p переключательный.
Предназначен для применения в мостовых преобразователях напряжения и других переключающих каскадах радиоэлектронных устройств.
Выпускается в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Вывод эмиттера отмечен синей точкой на корпусе.
Масса транзистора не более 5 г.
Технические условия: СА3.365.013 ТУ.
2Т117А
Транзисторы 2Т117А кремниевые эпитаксиально-планарные однопереходные с базой n-типа.
Транзисторы 2Т117А, 2Т117Б, 2Т117В, 2Т117Г предназначены для применения в маломощных генераторах.
Выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе и этикетке.
Масса транзистора не более 0,45 г.
Тип корпуса: КТ1-7.
Технические условия: ТТ3.365.000 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т117А:
• Структура транзистора: n-база
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;
• fmax - Максимальная частота генерации: 0,2 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 30 В;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 0,5... 0,7
132.16 руб
2Т117Б
Транзисторы 2Т117Б кремниевые эпитаксиально-планарные однопереходные с базой n-типа.
Транзисторы 2Т117А, 2Т117Б, 2Т117В, 2Т117Г предназначены для применения в маломощных генераторах.
Выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе и этикетке.
Масса транзистора не более 0,45 г.
Тип корпуса: КТ1-7.
Технические условия: ТТ3.365.000 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т117Б:
• Структура транзистора: n-база
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;
• fmax - Максимальная частота генерации: 0,2 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 30 В;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 0,65... 0,9
2Т117В
Транзисторы 2Т117В кремниевые эпитаксиально-планарные однопереходные с базой n-типа.
Транзисторы 2Т117А, 2Т117Б, 2Т117В, 2Т117Г предназначены для применения в маломощных генераторах.
Выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе и этикетке.
Масса транзистора не более 0,45 г.
Тип корпуса: КТ1-7.
Технические условия: ТТ3.365.000 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т117В:
• Структура транзистора: n-база
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;
• fmax - Максимальная частота генерации: 0,2 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 30 В;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 0,5... 0,7
Выводить по: 20


Мы рекомендуем:



ООО Компания "Электроника и связь" ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 ЕКПС Вооруженных Сил РФ - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ ISO 9001-2011, ГОСТ РВ 0015-002-2012, СРПП ВТ.