+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Транзисторы биполярные

Цены приведены с учетом НДС

2Т381В-1
Парные транзисторы 2Т381А-1, 2Т381Б-1, 2Т381В-1, 2Т381Д-1 состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n транзисторов с раздельными выводами.
Транзистор 2Т381Г-1 одиночный.
Бескорпусные без кристаллодержателя с гибкими выводами и защитным покрытием.
Поставляются в сопроводительной таре, позволяющей производить измерение электрических параметров без извлечения из нее транзисторов.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса каждого транзистора не более 0,01 г.
Технические условия: ХА3.365.018 ТУ.
2Т381Б-1
Парные транзисторы 2Т381А-1, 2Т381Б-1, 2Т381В-1, 2Т381Д-1 состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n транзисторов с раздельными выводами.
Транзистор 2Т381Г-1 одиночный.
Бескорпусные без кристаллодержателя с гибкими выводами и защитным покрытием.
Поставляются в сопроводительной таре, позволяющей производить измерение электрических параметров без извлечения из нее транзисторов.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса каждого транзистора не более 0,01 г.
Технические условия: ХА3.365.018 ТУ.
2Т381А-1
Парные транзисторы 2Т381А-1, 2Т381Б-1, 2Т381В-1, 2Т381Д-1 состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n транзисторов с раздельными выводами.
Транзистор 2Т381Г-1 одиночный.
Бескорпусные без кристаллодержателя с гибкими выводами и защитным покрытием.
Поставляются в сопроводительной таре, позволяющей производить измерение электрических параметров без извлечения из нее транзисторов.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса каждого транзистора не более 0,01 г.
Технические условия: ХА3.365.018 ТУ.
2Т317В-1
Транзисторы 2Т317В-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием.
Помещаются в возвратную тару, позволяющую производить измерение электрических параметров без извлечения из нее транзисторов.
Тип прибора и маркировочная точка коллектора приводятся на крышке возвратной тары.
Масса транзистора не более 0,01 г.
Технические условия: ГЕ3.365.002 ТУ.
2Т317Б-1
Транзисторы 2Т317Б-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием.
Помещаются в возвратную тару, позволяющую производить измерение электрических параметров без извлечения из нее транзисторов.
Тип прибора и маркировочная точка коллектора приводятся на крышке возвратной тары.
Масса транзистора не более 0,01 г.
Технические условия: ГЕ3.365.002 ТУ.
2Т317А-1
Транзисторы 2Т317А-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием.
Помещаются в возвратную тару, позволяющую производить измерение электрических параметров без извлечения из нее транзисторов.
Тип прибора и маркировочная точка коллектора приводятся на крышке возвратной тары.
Масса транзистора не более 0,01 г.
Технические условия: ГЕ3.365.002 ТУ.
2Т3162А
Транзисторы 2Т3162А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилительных и переключающих устройствах ВЧ и СВЧ диапазонов длин волн.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами 2Т3162А и в бескорпусном оформлении на пластине, кристаллы неразделенные 2Т3162А-5.
Тип прибора указывается на корпусе и в этикетке.
Масса транзистора 2Т3162А не более 0,5 г, 2Т3162А-5 - 0,0025 г.
Тип корпуса: КТ-1-7.
Технические условия: ЩТ3.365.060 ТУ.
2Т3130Е-9
Транзисторы 2Т3130Е-9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих низкочастотных усилителей, в высокочастотных усилителях, генераторах, стабилизаторах напряжения герметизированной аппаратуры.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,1 г.
Корпус типа: КТ-46А.
Технические условия: аА0.339.569 ТУ.
2Т3129Д-9
Транзисторы 2Т3129Д-9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в низкочастотных усилителях, генераторах, импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,1 г.
Технические условия: аА0.339.568 ТУ.
Тип корпуса: КТ-46А.
2Т3129Г-9
Транзисторы 2Т3129Г-9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в низкочастотных усилителях, генераторах, импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,1 г.
Тип корпуса: КТ-46А.
Технические условия: аА0.339.568 ТУ.
2Т307Г-1
Транзисторы 2Т307Г-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.
Бескорпусные, без кристаллодержателя с гибкими выводами и защитным покрытием.
Выпускаются в сопроводительной таре.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,002 г
Технические условия: СБ0.336.026 ТУ.
2Т307Б-1
Транзисторы 2Т307Б-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.
Бескорпусные, без кристаллодержателя с гибкими выводами и защитным покрытием.
Выпускаются в сопроводительной таре.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,002 г
Технические условия: СБ0.336.026 ТУ.
2Т201Д
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-р-n усилительные с ненормированным 2Т201А, 2Т201Б, 2Т201В, 2Т201Г, и нормированным 2Т201Д коэффициентом шума на частоте 1 кГц.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном  корпусе с гибкими выводами.
Тип транзистора в металлическом корпусе указывается на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 0,6 г.
Тип корпуса: КТ-1-7.
Технические условия: СБ0.336.046 ТУ.
2Т3152А
Транзисторы 2Т3152А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.
Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания и преобразователях.
Транзисторы выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,6 г.
Корпус типа КТ-1-7.
Технические условия: аА0.339.457 ТУ.
КТ361Б-2
Транзисторы КТ361Б-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26.
Технические условия: ФЫ0.336.201 ТУ/02.
2Т830В-1
Транзисторы 2Т830В-1 кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p.
Предназначены для применения в усилителях мощности, источниках вторичного электропитания, преобразователях.
Транзисторы бескорпусные с защитным покрытием и гибкими выводами.
Масса транзистора - не более 0,03 г.
Технические условия: аА0.339.406ТУ.
2Т665Б-9
Транзисторы 2Т665Б-9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркируются условными знаками:
   - 2Т665А9 - 2А,
   - 2Т665Б9 - 2Б,
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,1 г.
Тип корпуса: KT-47 (SOT-89).
Технические условия: аА0.339.559 ТУ.
П216
Транзисторы П216 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указан на корпусе.
Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.
Технические условия: СИ3.365.017 ТУ.
44.84 руб
2Т881Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилительных и переключательных устройствах.
Транзисторы 2Т881А, 2Т881Б, 2Т881В, 2Т881Г выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Транзисторы 2Т881А-5, 2Т881Г-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 2 г, кристалла не более 0,01 г.
Тип корпуса: КТ-2 (ТО-39).
Технические условия: аА0.339.644 ТУ.
389.40 руб
2Т862В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в схемах импульсных модуляторов, вторичных источниках электропитания, переключающих устройствах.
Транзисторы 2Т862Б, 2Т862В, 2Т862Г выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами типа КТ-57.
Транзистор 2Т862А в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами типа КТ-9.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора в металлокерамическом корпусе не более 6 г, в металлическом - не более 20 г.
Технические условия: аА0.339.571 ТУ.
1 168.20 руб
Выводить по: 20




Технические характеристики, параметры, маркировка:



ООО Компания "Электроника и связь" ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 ЕКПС Вооруженных Сил РФ - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ ISO 9001-2011, ГОСТ РВ 0015-002-2012, СРПП ВТ.