+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Транзисторы биполярные

Цены приведены с учетом НДС

2Т3130Б-9
Транзисторы 2Т3130Б-9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих низкочастотных усилителей, в высокочастотных усилителях, генераторах, стабилизаторах напряжения герметизированной аппаратуры.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,1 г.
Корпус типа: КТ-46А.
Технические условия: аА0.339.569 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т3130Б-9:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 150 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 200... 500;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 12 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц
2Т3130В-9
Транзисторы 2Т3130В-9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих низкочастотных усилителей, в высокочастотных усилителях, генераторах, стабилизаторах напряжения герметизированной аппаратуры.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,1 г.
Корпус типа: КТ-46А.
Технические условия: аА0.339.569 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т3130В-9:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 150 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 200... 500;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 12 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц
2Т3130Г-9
Транзисторы 2Т3130Г-9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих низкочастотных усилителей, в высокочастотных усилителях, генераторах, стабилизаторах напряжения герметизированной аппаратуры.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,1 г.
Корпус типа: КТ-46А.
Технические условия: аА0.339.569 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т3130Г-9:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 400... 1000;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 12 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц
2Т3130Д-9
Транзисторы 2Т3130Д-9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих низкочастотных усилителей, в высокочастотных усилителях, генераторах, стабилизаторах напряжения герметизированной аппаратуры.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,1 г.
Корпус типа: КТ-46А.
Технические условия: аА0.339.569 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т3130Д-9:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 150 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 200... 500;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 12 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц
2Т3130Е-9
Транзисторы 2Т3130Е-9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих низкочастотных усилителей, в высокочастотных усилителях, генераторах, стабилизаторах напряжения герметизированной аппаратуры.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,1 г.
Корпус типа: КТ-46А.
Технические условия: аА0.339.569 ТУ.
2Т3132А-2
Транзисторы 2Т3132А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в СВЧ маломощных усилителя диапазона частот 1...7,2 ГГц герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.
Транзистор 2Т3132А-5 выпускается в виде кристаллов без кристаллодержателя и без выводов.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в держателе не более 0,2 г, кристалла - не более 0,002 г.
Тип корпуса: КТ-21.
Технические условия: аА0.339.300 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т3132А-2:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 70 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5,5 ГГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 10 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 1 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8,5 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 15... 150;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 5,5 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 2,5 дБ на частоте 3,6 ГГц
2Т3132Б-2
Транзисторы 2Т3132Б-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в СВЧ маломощных усилителя диапазона частот 1...7,2 ГГц герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.
Транзистор 2Т3132А-5 выпускается в виде кристаллов без кристаллодержателя и без выводов.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в держателе не более 0,2 г, кристалла - не более 0,002 г.
Тип корпуса: КТ-21.
Технические условия: аА0.339.300 ТУ
2Т3132В-2
Транзисторы 2Т3132В-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в СВЧ маломощных усилителя диапазона частот 1...7,2 ГГц герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.
Транзистор 2Т3132А-5 выпускается в виде кристаллов без кристаллодержателя и без выводов.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в держателе не более 0,2 г, кристалла - не более 0,002 г.
Тип корпуса: КТ-21.
Технические условия: аА0.339.300 ТУ
2Т3132Г-2
Транзисторы 2Т3132Г-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в СВЧ маломощных усилителя диапазона частот 1...7,2 ГГц герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.
Транзистор 2Т3132А-5 выпускается в виде кристаллов без кристаллодержателя и без выводов.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в держателе не более 0,2 г, кристалла - не более 0,002 г.
Тип корпуса: КТ-21.
Технические условия: аА0.339.300 ТУ
2Т313А
Транзисторы кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.
Транзисторы 2Т313А, 2Т313Б, КТ313А, КТ313Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-7.
Технические условия: ЩЫ0.336.049 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т313А:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 350 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 30... 120;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 12 пФ
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,3 Ом
119.18 руб
2Т313Б
Транзисторы кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.
Транзисторы 2Т313А, 2Т313Б, КТ313А, КТ313Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-7.
Технические условия: ЩЫ0.336.049 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т313Б:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 350 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 80... 300;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 12 пФ
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,3 Ом
205.32 руб
2Т3152А
Транзисторы 2Т3152А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.
Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания и преобразователях.
Транзисторы выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,6 г.
Корпус типа КТ-1-7.
Технические условия: аА0.339.457 ТУ.
2Т3152Б
Транзисторы 2Т3152Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.
Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания и преобразователях.
Транзисторы выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,6 г.
Корпус типа КТ-1-7.
Технические условия: аА0.339.457 ТУ.
2Т3152В
Транзисторы 2Т3152В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.
Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания и преобразователях.
Транзисторы выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,6 г.
Корпус типа КТ-1-7.
Технические условия: аА0.339.457 ТУ.
2Т3152Г
Транзисторы 2Т3152Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.
Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания и преобразователях.
Транзисторы выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,6 г.
Корпус типа КТ-1-7.
Технические условия: аА0.339.457 ТУ.
2Т3162А
Транзисторы 2Т3162А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилительных и переключающих устройствах ВЧ и СВЧ диапазонов длин волн.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами 2Т3162А и в бескорпусном оформлении на пластине, кристаллы неразделенные 2Т3162А-5.
Тип прибора указывается на корпусе и в этикетке.
Масса транзистора 2Т3162А не более 0,5 г, 2Т3162А-5 - 0,0025 г.
Тип корпуса: КТ-1-7.
Технические условия: ЩТ3.365.060 ТУ.
2Т316А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (2Т316Г, 2Т316Д, КТ316Г, КТ316Д) и переключающих устройствах (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316А-5, КТ316А, КТ316Б, КТ316В).
Выпускаются:
   - в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д, КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д);
   - в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов (2Т316А-5).
Тип приборов 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д, КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д указывается на корпусе, тип 2Т316А-5 указывается в этикетке.
Масса транзистора
   - не более 0,5 г в пластмассовом корпусе,
   - не более 0,002 г в кристалле.
Тип корпуса: КТ-1-7.
Технические условия: СБ0.336.019 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т316А:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 600 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 10 В (3кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...60;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 3 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом
2Т316Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (2Т316Г, 2Т316Д, КТ316Г, КТ316Д) и переключающих устройствах (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316А-5, КТ316А, КТ316Б, КТ316В).
Выпускаются:
   - в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д, КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д);
   - в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов (2Т316А-5).
Тип приборов 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д, КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д указывается на корпусе, тип 2Т316А-5 указывается в этикетке.
Масса транзистора
   - не более 0,5 г в пластмассовом корпусе,
   - не более 0,002 г в кристалле.
Тип корпуса: КТ-1-7.
Технические условия: СБ0.336.019 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т316Б:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 800 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 10 В (3кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40...120;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 3 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом
112.10 руб
2Т316В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (2Т316Г, 2Т316Д, КТ316Г, КТ316Д) и переключающих устройствах (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316А-5, КТ316А, КТ316Б, КТ316В).
Выпускаются:
   - в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д, КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д);
   - в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов (2Т316А-5).
Тип приборов 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д, КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д указывается на корпусе, тип 2Т316А-5 указывается в этикетке.
Масса транзистора
   - не более 0,5 г в пластмассовом корпусе,
   - не более 0,002 г в кристалле.
Тип корпуса: КТ-1-7.
Технические условия: СБ0.336.019 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т316В:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 800 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 10 В (3кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40...120;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 3 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом
119.18 руб
2Т316Г
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (2Т316Г, 2Т316Д, КТ316Г, КТ316Д) и переключающих устройствах (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316А-5, КТ316А, КТ316Б, КТ316В).
Выпускаются:
   - в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д, КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д);
   - в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов (2Т316А-5).
Тип приборов 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д, КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д указывается на корпусе, тип 2Т316А-5 указывается в этикетке.
Масса транзистора
   - не более 0,5 г в пластмассовом корпусе,
   - не более 0,002 г в кристалле.
Тип корпуса: КТ-1-7.
Технические условия: СБ0.336.019 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т316Г:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 600 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 10 В (3кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...100;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 3 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом
105.02 руб
Выводить по: 20


Мы рекомендуем:



ООО Компания "Электроника и связь" ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 ЕКПС Вооруженных Сил РФ - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ ISO 9001-2011, ГОСТ РВ 0015-002-2012, СРПП ВТ.