+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Транзисторы полевые

Цены приведены с учетом НДС

2П303И
Транзисторы 2П303И кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты 2П303Д, 2П303Е, 2П303И и низкой 2П303А, 2П303Б, 2П303В частот с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы 2П303Г в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Технические условия: АЕЯР.432140.203 ТУ.
2П304А
Транзисторы 2П304А кремниевые диффузорно-планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа.
Предназначены для применения в усилителях с высоким входным сопротивлением и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: КТ-1-14.
Технические условия: СБ3.365.106 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2П304А:
• Структура транзистора: с изолированным затвором, с индуцированным p-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт;
• Uзи пор - Пороговое напряжение транзистора - напряжение между затвором и истоком: не менее 5 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 30 мА
• Iс и - Импульсные ток стока (постоянный): 60 мА;
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 0,2 мкА;
• S - Крутизна характеристики: не менее 4 мА/В;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 9 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ;
• С22и - Выходная емкость транзистора - емкость между стоком и истоком: не более 6 пФ;
• Rcи отк - Сопротивление сток-исток в открытом состоянии: не более 100 Ом
282.02 руб
2П305А
Транзисторы 2П305А кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Предназначены для работы во входных каскадах усилителей высокой частоты до 250 МГц, усилителях с высоким входным сопротивлением и  других схемах аппаратуры специального назначения..
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Технические условия: АЕЯР.432140.536 ТУ

Основные технические характеристики транзистора 2П305А:
• Структура транзистора: с изолированным затвором и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 150 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не менее 6 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 15 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 15 мА
• S - Крутизна характеристики: 6... 10 мА/В;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 5 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 0,8 пФ;
• Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 13 дБ на частоте 250 МГц;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 6,5 дБ на частоте 250 МГц
127.44 руб
2П305А-2
Транзисторы 2П305А-2 кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре в усилителях высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.
Бескорпусные с гибкими выводами на кристаллодержателе и защитным покрытием.
Каждый транзистор упаковывается в сопроводительную тару, позволяющую без извлечения из нее производить измерение электрических параметров.
Тип прибора указывается на сопроводительной таре.
Масса транзистора не более 0,005 г.
Технические условия: ТФ0.336.001 ТУ/Д4.
2П305Б
Транзисторы 2П305Б кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Предназначены для работы во входных каскадах усилителей высокой частоты до 250 МГц, усилителях с высоким входным сопротивлением и  других схемах аппаратуры специального назначения..
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Технические условия: АЕЯР.432140.536 ТУ

Основные технические характеристики транзистора 2П305Б:
• Структура транзистора: с изолированным затвором и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 150 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не менее 6 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 15 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 15 мА
• S - Крутизна характеристики: 6... 10 мА/В;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 5 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 0,8 пФ;
• Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 13 дБ на частоте 250 МГц;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 6,5 дБ на частоте 250 МГц
127.44 руб
2П305В
Транзисторы 2П305В кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Предназначены для работы во входных каскадах усилителей высокой частоты до 250 МГц, усилителях с высоким входным сопротивлением и  других схемах аппаратуры специального назначения..
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Технические условия: АЕЯР.432140.536 ТУ

Основные технические характеристики транзистора 2П305В:
• Структура транзистора: с изолированным затвором и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 150 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не менее 6 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 15 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 15 мА
• S - Крутизна характеристики: 6... 10 мА/В;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 5 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 0,8 пФ;
• Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 13 дБ на частоте 250 МГц;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 6,5 дБ на частоте 250 МГц
155.76 руб
2П305Г
Транзисторы 2П305Г кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Предназначены для работы во входных каскадах усилителей высокой частоты до 250 МГц, усилителях с высоким входным сопротивлением и  других схемах аппаратуры специального назначения..
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Технические условия: АЕЯР.432140.536 ТУ

Основные технические характеристики транзистора 2П305Г:
• Структура транзистора: с изолированным затвором и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 150 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не менее 6 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 15 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 15 мА
• S - Крутизна характеристики: 6... 10 мА/В;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 5 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 0,8 пФ;
• Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 13 дБ на частоте 250 МГц;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 6,5 дБ на частоте 250 МГц
127.44 руб
2П306А
Транзисторы 2П306А, 2П306Б, 2П306В, 2П306Г, 2П306Д, 2П306Е кремниевые диффузионно-планарные полевые с двумя изолированными затворами, каналом n-типа и нормированным участком переходной характеристики.
Предназначены для применения в преобразовательных и усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Технические условия: ТФ0.336.003 ТУ.
2П306Б
Транзисторы 2П306А, 2П306Б, 2П306В, 2П306Г, 2П306Д, 2П306Е кремниевые диффузионно-планарные полевые с двумя изолированными затворами, каналом n-типа и нормированным участком переходной характеристики.
Предназначены для применения в преобразовательных и усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Технические условия: ТФ0.336.003 ТУ.
2П306В
Транзисторы 2П306А, 2П306Б, 2П306В, 2П306Г, 2П306Д, 2П306Е кремниевые диффузионно-планарные полевые с двумя изолированными затворами, каналом n-типа и нормированным участком переходной характеристики.
Предназначены для применения в преобразовательных и усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Технические условия: ТФ0.336.003 ТУ.
2П307А
Транзисторы 2П307А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы КП307Ж в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Технические условия: Ц23.365.008 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2П307А:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 250 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 0,5... 3 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 30 мА
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 9 мА;
• S - Крутизна характеристики: 4... 9 мА/В (10В);
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 5 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1,5 пФ
2П307Б
Транзисторы 2П307Б кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы КП307Ж в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Технические условия: Ц23.365.008 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2П307Б:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 250 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 1... 5 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 30 мА
• Iс нач - Начальный ток стока:  1...5 мА;
• S - Крутизна характеристики: 5... 10 мА/В (10В);
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 5 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1,5 пФ
2П307Г
Транзисторы 2П307Г кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы КП307Ж в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Технические условия: Ц23.365.008 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2П307Г:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 250 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 1,5... 6 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 30 мА
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 6 мА;
• S - Крутизна характеристики: 6... 12 мА/В (10В);
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 5 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1,5 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 6 дБ на частоте 400 МГц
2П308А-1
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока, в переключающих устройствах и коммутаторах с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы 2П308А-1, 2П308Б-1, 2П308В-1, 2П308Г-1, 2П308Д-1 бескорпусные с гибкими выводами и с защитным покрытием без кристаллодержателя.
Каждый транзистор упаковывается в сопроводительную тару, позволяющую производить измерение электрических параметров без их извлечения.
Тип прибора указывается на сопроводительной таре.
Масса транзистора не более 0,005 г.
Технические условия: АЕЯР.432140.526 ТУ.
Транзисторы 2П308А9, 2П308Б9, 2П308В9, 2П308Г9, 2П308Д9, 2П308Е9 выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается а этикетке.
Масса транзистора не более 0,1 г.
Тип корпуса: КТ-46А (SOT-23).
Технические условия: аА0.339.618 ТУ.
2П312А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных усилительных и преобразовательных каскадах сверхвысокочастотного диапазона.
Транзисторы 2П312А, 2П312Б выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами.
Маркируются цветными точками:
   - 2П312А - одной желтой,
   - 2П312Б - одной синей.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Тип корпуса: КТ-23.
Технические условия: ЖК3.365.262 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2П312А:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 100 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 2... 8 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 20 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 25 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 25 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 25 мА
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 25 мА;
• S - Крутизна характеристики: 4... 5,8 мА/В (15В);
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 4 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1 пФ;
• Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 2 дБ на частоте 400 МГц;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4 дБ на частоте 400 МГц
225.38 руб
2П312Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных усилительных и преобразовательных каскадах сверхвысокочастотного диапазона.
Транзисторы 2П312А, 2П312Б выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами.
Маркируются цветными точками:
   - 2П312А - одной желтой,
   - 2П312Б - одной синей.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Тип корпуса: КТ-23.
Технические условия: ЖК3.365.262 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2П312Б:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 100 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 0,8... 6 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 20 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 25 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 25 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 7 мА
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 7 мА;
• S - Крутизна характеристики: 2... 5 мА/В (15В);
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 4 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1 пФ;
• Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 2 дБ на частоте 400 МГц;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 6 дБ на частоте 400 МГц
155.76 руб
2П313А
Транзисторы 2П313А кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: КТ-13.
Технические условия: ТФ0.336.008 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2П313А:
• Структура транзистора: с изолированным затвором и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 120 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не менее 6 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 15 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 15 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 10 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 15 мА
• S - Крутизна характеристики: 5... 10 мА/В (15В);
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 8,8 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 0,8 пФ;
• fр - рабочая частота транзистора: 300 МГц
2П313Б
Транзисторы 2П313Б кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: КТ-13.
Технические условия: ТФ0.336.008 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2П313Б:
• Структура транзистора: с изолированным затвором и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 120 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не менее 6 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 15 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 15 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 10 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 15 мА
• S - Крутизна характеристики: 5... 10 мА/В (10В; 5мА);
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6,8 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 0,8 пФ;
• fр - рабочая частота транзистора: 300 МГц
2П322А
Транзисторы  2П322А кремниевые диффузно-планарные полевые с двумя затворами на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения в усилителях исмесительных каскадах на частот до 400 МГц.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,7 г.
Корпусное исполнение: 301.6-1.
Технические условия: аА0.339.215ТУ.
1 770.00 руб
2П341А
Транзисторы 2П341А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором в виде p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей.
Корпус металлокерамический с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 0,08 г.
Тип корпуса: КТ-23 .
Технические условия: аА0.339.789 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2П341А:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 150 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 3 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 15 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 15 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 10 В;
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 20 мА;
• S - Крутизна характеристики: 15... 30 мА/В (5В);
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 5 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1 пФ;
• С22и - Выходная емкость транзистора - емкость между стоком и истоком: 1,6 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 2,8 дБ на частоте 400 МГц.
2 360.00 руб
Выводить по: 20


Мы рекомендуем:



ООО Компания "Электроника и связь" ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 ЕКПС Вооруженных Сил РФ - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ ISO 9001-2011, ГОСТ РВ 0015-002-2012, СРПП ВТ.