+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Транзисторы полевые

Цены приведены с учетом НДС

2П350А
Транзисторы 2П350А, 2П350Б кремниевые диффузно-планарные полевые с двумя изолированными затворами и каналом n-типа.
Предназначены для применения в усилителях, генераторах и преобразователях сверхвысокой частот до 700 МГц.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,7 г.
Тип корпуса: КТ-1-14.
Технические условия: ЖК3.365.215 ТУ.
135.70 руб
2П350Б
Транзисторы 2П350А, 2П350Б кремниевые диффузно-планарные полевые с двумя изолированными затворами и каналом n-типа.
Предназначены для применения в усилителях, генераторах и преобразователях сверхвысокой частот до 700 МГц.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,7 г.
Тип корпуса: КТ-1-14.
Технические условия: ЖК3.365.215 ТУ.
135.70 руб
2П601А
Транзисторы 2П601А кремниевые планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа, универсальные.
Транзисторы 2П601А, 2П601Б, КП601А, КП601Б предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей, в генераторах и преобразователях высокой частоты.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1,5 г.
Тип корпуса: КТ-2-12.
Технические условия: аА0.339.197 ТУ.
1 534.00 руб
2П609А
Транзисторы 2П609А, 2П609Б полевые кремниевые эпитаксиально-планарные с затвором в виде обратно смещенного p-n перехода с каналом n-типа усилительные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты, в смесителях.
Транзисторы выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами и стеклянными изоляторами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: КТ-2-7.
Технические условия: АЕЯР.432140.095 ТУ.
934.56 руб
2П609Б
Транзисторы 2П609А, 2П609Б полевые кремниевые эпитаксиально-планарные с затвором в виде обратно смещенного p-n перехода с каналом n-типа усилительные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты, в смесителях.
Транзисторы выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами и стеклянными изоляторами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: КТ-2-7.
Технические условия: АЕЯР.432140.095 ТУ.
934.56 руб
2П701А
Транзисторы 2П701А, 2П701Б кремниевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа.
Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания, переключающих и импульсных устройствах, стабилизаторах и преобразователях напряжения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 6 г.
Тип корпуса: КТ-57.
Технические условия: аА0.339.497 ТУ.
1 180.00 руб
2П701Б
Транзисторы 2П701А, 2П701Б кремниевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа.
Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания, переключающих и импульсных устройствах, стабилизаторах и преобразователях напряжения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 6 г.
Тип корпуса: КТ-57.
Технические условия: аА0.339.497 ТУ.
1 180.00 руб
2П707Б
Транзисторы 2П707Б кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором с каналом n-типа переключательные.
Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г.
Тип корпуса: КТ-56.
Технические условия: АЕЯР.432140.160 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2П707Б:
• Структура транзистора: с изолированным затвором и n-каналом;
• Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 100 Вт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 5 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 600 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 20 В;
• Iс и - Импульсные ток стока (постоянный): 16,5 А;
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 25 мА;
• Iс ост - Остаточный ток стока: не более 1 мА;
• S - Крутизна характеристики: не менее 1500 мА/В (20В; 3А);
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 1600 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 45 пФ;
• Rcи отк - Сопротивление сток-исток в открытом состоянии: не более 2 Ом;
• tвыкл - Время выключения транзистора: не более 80 нс
1 888.00 руб
2П707В-2
Транзисторы 2П707В-2 кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором с каналом n-типа переключательные.
Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями.
Тип корпуса: КТ-28А-2.02.
Технические условия: АЕЯР.432140.273 ТУ.
2 242.00 руб
2П7229А
Транзистор 2П7229А полевой p-канальный с рассеиваемой мощностью не более 150 Вт и максимальной рабочей частотой до 30 МГц.
Технические условия: АЕЯР.432140.558 ТУ.
Корпус металлопластмассовый КТ-28-2.
2П7229Б
Транзистор 2П7229Б полевой p-канальный с рассеиваемой мощностью не более 150 Вт и максимальной рабочей частотой до 30 МГц.
Технические условия: АЕЯР.432140.558 ТУ.
Корпус металлопластмассовый КТ-28-2.
2П762А
Транзисторы 2П762А полевые кремниевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором с каналом n-типа переключательные.
Предназначены для применения в ключевых стабилизаторах, в модуляторах импульсных источников электропитания, в схемах электропривода, управления и коммутации бортовой аппаратуры.
Выпускаются:
- 2П762А, 2П762В, 2П762Д, 2П762Ж, 2П762И2, 2П762К, 2П762Л, 2П762М, 2П762Н в плоском металлокерамическом корпусе с ленточными выводами,
- 2П762Б1, 2П762Г1, 2П762Е1, в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами, 2П762И2 в металлокерамическом корпусе с ленточными выводами и винтом,
- 2П762Г1-5, 2П762Е1-5, 2П762И2-5 бескорпусные на общей пластине неразделенные с контактными площадками без выводов или разделенные на кристаллы.
Тип прибора указывается на корпусе или в этикетке.
Масса транзистора в плоском металлокерамическом корпусе не более 5 г, в металлическом - не более 15 г, в металлокерамическом с винтом - не более 9 г, кристалла - не более 0,015 г.
Корпусное исполнение транзистора 2П762А: КТ-57.
Технические условия: АЕЯР.432140.159ТУ.
4 484.00 руб
2П762Д
Транзисторы 2П762Д полевые кремниевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором с каналом n-типа переключательные.
Предназначены для применения в ключевых стабилизаторах, в модуляторах импульсных источников электропитания, в схемах электропривода, управления и коммутации бортовой аппаратуры.
Выпускаются:
- 2П762А, 2П762В, 2П762Д, 2П762Ж, 2П762И2, 2П762К, 2П762Л, 2П762М, 2П762Н в плоском металлокерамическом корпусе с ленточными выводами,
- 2П762Б1, 2П762Г1, 2П762Е1, в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами, 2П762И2 в металлокерамическом корпусе с ленточными выводами и винтом,
- 2П762Г1-5, 2П762Е1-5, 2П762И2-5 бескорпусные на общей пластине неразделенные с контактными площадками без выводов или разделенные на кристаллы.
Тип прибора указывается на корпусе или в этикетке.
Масса транзистора в плоском металлокерамическом корпусе не более 5 г, в металлическом - не более 15 г, в металлокерамическом с винтом - не более 9 г, кристалла - не более 0,015 г.
Корпусное исполнение транзистора 2П762Д: КТ-57.
Технические условия: АЕЯР.432140.159ТУ.
4 484.00 руб
2П762Н
Транзисторы 2П762Н полевые кремниевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором с каналом n-типа переключательные.
Предназначены для применения в ключевых стабилизаторах, в модуляторах импульсных источников электропитания, в схемах электропривода, управления и коммутации бортовой аппаратуры.
Выпускаются:
- 2П762А, 2П762В, 2П762Д, 2П762Ж, 2П762И2, 2П762К, 2П762Л, 2П762М, 2П762Н в плоском металлокерамическом корпусе с ленточными выводами,
- 2П762Б1, 2П762Г1, 2П762Е1, в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами, 2П762И2 в металлокерамическом корпусе с ленточными выводами и винтом,
- 2П762Г1-5, 2П762Е1-5, 2П762И2-5 бескорпусные на общей пластине неразделенные с контактными площадками без выводов или разделенные на кристаллы.
Тип прибора указывается на корпусе или в этикетке.
Масса транзистора в плоском металлокерамическом корпусе не более 5 г, в металлическом - не более 15 г, в металлокерамическом с винтом - не более 9 г, кристалла - не более 0,015 г.
Корпусное исполнение транзистора 2П762Н: КТ-57.
Технические условия: АЕЯР.432140.159ТУ.
4 484.00 руб
2П767А-9
Мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор.
Трпнзистор 2П767А-9 предназначен для рабоиы в высокочастотных импульсных источниках питания, системах преобразователей и инверторов для управления скоростью электродвигателей постоянного и переменного тока, высокочастотных генераторах для индукционного нагрева, ультразвуковых генераторах, звуковых усилителях, периферийных устройствах для компьютеров, оборудовании для телекоммуникаций.
Тип корпуса: КТ-89.
Технические условия: АДБК.432140.220 ТУ.
2П767В
2П767В мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор.
Типовые применения следующие: высокочастотные импульсные источники питания, системы преобразователей и инверторов для управления скоростью электродвигателей постоянного и переменного тока, высокочастотные генераторы для индукционного нагрева, ультразвуковые генераторы, звуковые усилители, периферийные устройства для компьютеров, оборудование для телекоммуникаций
Корпусное исполнение: пластмассовый корпус КТ-28-2 (ТО-220).
Технические условия: АЕЯР.432140.220ТУ.
311.52 руб
2П767В91
2П767В91 мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор.
Типовые применения следующие: высокочастотные импульсные источники питания, системы преобразователей и инверторов для управления скоростью электродвигателей постоянного и переменного тока, высокочастотные генераторы для индукционного нагрева, ультразвуковые генераторы, звуковые усилители, периферийные устройства для компьютеров, оборудование для телекоммуникаций
Корпусное исполнение: корпус КТ-90.
Технические условия: АДБК.432140.220ТУ.
2П768К
Мощный n-канальный транзистор с пониженным RСИ.
Транзистор 2П768К предназначен для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями.
Корпусное исполнение: КТ-28-2.
Технические условия: АЕЯР.432140.220ТУ
389.40 руб
2П768К91
Мощный n-канальный транзистор с пониженным RСИ.
Транзистор 2П768К91 предназначен для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями.
Корпусное исполнение: КТ-90.
Технические условия: АЕЯР.432140.220ТУ.
2П769А-9
Транзистор 2П769А-9 полевой n-канальный переключательный с рассеиваемой мощностью не более 42 Вт и максимальной рабочей частотой до 30 МГц.
Транзистор предназначен для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями.
Технические условия: АЕЯР.432140.220 ТУ.
Корпус металлопластмассовый КТ-89.
Выводить по: 20


Мы рекомендуем:



ООО Компания "Электроника и связь" ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 ЕКПС Вооруженных Сил РФ - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ ISO 9001-2011, ГОСТ РВ 0015-002-2012, СРПП ВТ.