+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Транзисторы полевые

Цены приведены с учетом НДС

2П911А
Транзисторы 2П911А  кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным вертикальным каналом n-типа.
Предназначены для применения в усилителях и генераторах на рабочей частоте до 1 ГГц, а также в быстродействующих переключающих устройствах.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 6 г.
Тип корпуса: КТ-18.
Технические условия: аА0.339.281 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2П911А:
• Структура транзистора: с изолированным затвором и индуцированным n-каналом;
• Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 30 Вт;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 50 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 60 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 25 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 3... 5 А;
• S - Крутизна характеристики: 200... 600 мА/В.
4 130.00 руб
2П911Б
Транзисторы 2П911Б кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным вертикальным каналом n-типа.
Предназначены для применения в усилителях и генераторах на рабочей частоте до 1 ГГц, а также в быстродействующих переключающих устройствах.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 6 г.
Тип корпуса: КТ-18.
Технические условия: аА0.339.281 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2П911Б:
• Структура транзистора: с изолированным затвором и индуцированным n-каналом;
• Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 30 Вт;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 50 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 60 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 25 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 2,5... 4 А;
• S - Крутизна характеристики: 200... 600 мА/В.
2 832.00 руб
2П913А
Транзисторы 2П913А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Полевые транзисторы 2П913А, 2П913Б, 2П913В, 2П913Г предназначены для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 400 МГц в непрерывном и импульсном режимах при напряжении питания не более 45 В, а также для работы в переключающих устройствах.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 12 г.
Тип корпуса: КТ-18.
Технические условия для 2П913А, 2П913Б: аА0.339.367 ТУ.
Технические условия для 2П913В, 2П913Г: аА0.339.367 ТУ/Д1.

Основные технические характеристики транзистора 2П913А:
• Структура транзистора: с изолированным затвором и n-каналом;
• Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 100 Вт;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 50 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 60 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 20 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 19 А;
• S - Крутизна характеристики: 1... 2,5 А/В.
829.54 руб
2П913Б
Транзисторы 2П913Б кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Полевые транзисторы 2П913А, 2П913Б, 2П913В, 2П913Г предназначены для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 400 МГц в непрерывном и импульсном режимах при напряжении питания не более 45 В, а также для работы в переключающих устройствах.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 12 г.
Тип корпуса: КТ-18.
Технические условия для 2П913А, 2П913Б: аА0.339.367 ТУ.
Технические условия для 2П913В, 2П913Г: аА0.339.367 ТУ/Д1.

Основные технические характеристики транзистора 2П913Б:
• Структура транзистора: с изолированным затвором и n-каналом;
• Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 100 Вт;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 50 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 60 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 20 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 14 А;
• S - Крутизна характеристики: 1... 2,5 А/В.
791.78 руб
2П918А
Транзисторы 2П918А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Полевые транзисторы 2П918А, 2П918Б предназначены для усиления и генерирования сигналов на частотах до 1 ГГц, а также для применения в быстродействующих переключающих устройствах.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается, на корпусе.
Масса транзистора не более 8 г.
Тип корпуса: КТ-55.
748.12 руб
2П920А
Транзисторы 2П920А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Полевые транзисторы 2П920А, 2П920Б предназначены для усиления и генерирования сигналов на частотах до 400 МГц, а также для применения в быстродействующих переключающих устройствах.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 8 г.
Тип корпуса: КТ-61.
Технические условия: аА0.339.534 ТУ.
3 304.00 руб
2П920Б
Транзисторы 2П920Б кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Полевые транзисторы 2П920А, 2П920Б предназначены для усиления и генерирования сигналов на частотах до 400 МГц, а также для применения в быстродействующих переключающих устройствах.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 8 г.
Тип корпуса: КТ-61.
Технические условия: аА0.339.534 ТУ.
2 006.00 руб
2П922А
Транзисторы 2П922А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и вертикальным индуцированным каналом n-типа переключательные.
Транзисторы 2П922А, 2П922Б предназначены для применения в источниках вторичных электропитания, быстродействующих переключающих и импульсных устройствах, а также стабилизаторах и преобразователях напряжения.
Транзисторы выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора  не более 20 г.
Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).
Технические условия: аА0.339.537 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2П922А:
• Структура транзистора: с изолированным затвором и индуцированным n-каналом;
• Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 75 Вт;
• Uзи пор - Пороговое напряжение транзистора - напряжение между затвором и истоком: 2... 8 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 100 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 10 А;
• Iс нач - Начальный ток стока: 2 мА;
• S - Крутизна характеристики: 1000... 2100 мА/В (1а);
• Rcи отк - Сопротивление сток-исток в открытом состоянии: не более 0,2 Ом;
• tвкл - Время включения транзистора: не более 100 нс;
• tвыкл - Время выключения транзистора: не более 100 нс
516.84 руб
2П923А
Транзисторы 2П923А, 2П923Б, 2П923В, 2П923Г полевые кремниевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа генераторные.
Полевые транзисторы  предназначены для применения в генераторах и усилительных устройствах на частотах до 1 ГГц, а также в быстродействующих переключающих устройствах.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 8 г.
Тип корпуса: КТ-18.
Технические условия: аА0.339.605 ТУ.
2 950.00 руб
2П923Б
Транзисторы 2П923А, 2П923Б, 2П923В, 2П923Г полевые кремниевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа генераторные.
Полевые транзисторы  предназначены для применения в генераторах и усилительных устройствах на частотах до 1 ГГц, а также в быстродействующих переключающих устройствах.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 8 г.
Тип корпуса: КТ-18.
Технические условия: аА0.339.605 ТУ.
1 770.00 руб
2П923В
Транзисторы 2П923А, 2П923Б, 2П923В, 2П923Г полевые кремниевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа генераторные.
Полевые транзисторы  предназначены для применения в генераторах и усилительных устройствах на частотах до 1 ГГц, а также в быстродействующих переключающих устройствах.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 8 г.
Тип корпуса: КТ-18.
Технические условия: аА0.339.605 ТУ.
1 652.00 руб
2П923Г
Транзисторы 2П923А, 2П923Б, 2П923В, 2П923Г полевые кремниевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа генераторные.
Полевые транзисторы  предназначены для применения в генераторах и усилительных устройствах на частотах до 1 ГГц, а также в быстродействующих переключающих устройствах.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 8 г.
Тип корпуса: КТ-18.
Технические условия: аА0.339.605 ТУ.
1 416.00 руб
2П926А
Транзисторы 2П926А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и вертикальным каналом n-типа.
Предназначены для применения в переключающих устройствах.
Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Тип корпуса: КТ-9.
Технические условия: аА0.339.692 ТУ.
1 012.44 руб
2П941А
Транзисторы 2П941А, 2П941Б, 2П941В, 2П941Г, 2П941Д кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа генераторные.
Предназначены для применения в генераторах и усилителях СВЧ диапазона при напряжении питания 12 В.
Выпускаются в металлокерамических корпусах с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса:
   - 2П941А - КТ-25,
   - 2П941Б - КТ-55,
   - 2П941В, 2П941Г, 2П941Д - КТ-62.
Масса транзистора:
   - 2П941А не более 2 г,
   - 2П941Б не более 5 г,
   - 2П941В, 2П941Г, 2П941Д не более 10 г.
Технические условия: АЕЯР.432150.092 ТУ.
4 366.00 руб
2П941Б
Транзисторы 2П941А, 2П941Б, 2П941В, 2П941Г, 2П941Д кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа генераторные.
Предназначены для применения в генераторах и усилителях СВЧ диапазона при напряжении питания 12 В.
Выпускаются в металлокерамических корпусах с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса:
   - 2П941А - КТ-25,
   - 2П941Б - КТ-55,
   - 2П941В, 2П941Г, 2П941Д - КТ-62.
Масса транзистора:
   - 2П941А не более 2 г,
   - 2П941Б не более 5 г,
   - 2П941В, 2П941Г, 2П941Д не более 10 г.
Технические условия: АЕЯР.432150.092 ТУ.
4 366.00 руб
3П320А-2
Транзисторы полевые арсенидгаллиевые планарные с каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей в составе гибридных интегральных микросхем.
Бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими поисковыми выводами и керамической крышкой.
На крышку наносится условная маркировка цветной точкой:
   - 3П320А-2, АП320А-2 - красной,
   - 3П320Б-2, АП320Б-2 - зеленой.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Тип корпуса: КТ-22.
Технические условия: аА0.339.167 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 3П320А-2:
• Структура транзистора: с n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 80 мВт;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток (постоянное): 4 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток (постоянное): 8 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное): 5 В;
• S - Крутизна характеристики: 5... 16 мА/В;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: 0,18 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: 0,15 пФ;
• Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 3 дБ на частоте 8 ГГц;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4,5 дБ на частоте 8 ГГц
3П321А-2
Транзистор полевой 3П321А-2 арсенидгаллиевый планарный ионнолегированный с каналом n-типа и барьером Шотки сверхвысокочастотный усилительный с нормированным коэффициентом шума на частоте 8 ГГц.
Предназначен для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей герметизированной радиоприемной аппаратуры.
Бескорпусный на керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами и керамической крышкой.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,15 г.
Тип корпуса: КТ-22.
Технические условия: аА0.339.206 ТУ.
3П324А-2
Транзисторы полевые арсенидгаллиевые с затвором в виде барьера Шотки с каналом n-типа усилительные.
Транзисторы 3П324А-2, 3П324Б-2 предназначены для применения в малошумящих усилителях в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках на частотах до 12 ГГц.
Транзисторы бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,02 .
Тип корпуса: КТ-21.
Технические условия: аА0.339.265 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 3П324А-2:
• Структура транзистора: с n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 80 мВт;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток (постоянное): 4 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное): 3 В;
• Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: 6 дБ на частоте 12 ГГц;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: 4 дБ на частоте 12 ГГц
3П324Б-2
Транзисторы полевые арсенидгаллиевые с затвором в виде барьера Шотки с каналом n-типа усилительные.
Транзисторы 3П324А-2, 3П324Б-2 предназначены для применения в малошумящих усилителях в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках на частотах до 12 ГГц.
Транзисторы бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,02 .
Тип корпуса: КТ-21.
Технические условия: аА0.339.265 ТУ.
3П325А-2
Транзисторы полевые арсенидгаллиевые с каналом n-типа и барьером Шотки усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 8 ГГц.
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей в составе гибридных интегральных микросхем.
Транзисторы 3П325А-2, АП325А-2 бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами и керамической крышкой.
На крышке наносится условная маркировка:
   - 3П325А-2 - черная полоска,
   - АП325А-2 - черная полоска с черной точкой над ней.
Транзистор 3П325А-5 выпускается в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Тип прибора указывается а этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,05 г, кристалла не более 0,0002 г.
Тип корпуса: КТ-21.
Технические условия: аА0.339.355 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 3П325А-2:
• Структура транзистора: с барьером Шотки, с n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 25 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком: 4 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток (постоянное): 2,5 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное): 3,5 В;
• S - Крутизна характеристики: более 8 мА/В;
• Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 5 дБ на частоте 8 ГГц;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 2 дБ на частоте 8 ГГц
Выводить по: 20


Мы рекомендуем:



ООО Компания "Электроника и связь" ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 ЕКПС Вооруженных Сил РФ - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ ISO 9001-2011, ГОСТ РВ 0015-002-2012, СРПП ВТ.