+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Оптопары

Цены приведены с учетом НДС

3ОТ123Г
Оптопары транзисторные 3ОТ123Г, состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевого фототранзистора.
Предназначены для применения в ключевом режиме. Между выводами 3 и 5 должен быть подключен резистор сопротивлением 100 кОм.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе.
Масса прибора не более 2 г.
Технические условия: аА0.339.201ТУ, П0.070.052.

Основные технические параметры транзисторной оптопары 3ОТ123Г:
• Входное напряжение: не более 2 В;
• Выходное остаточное напряжение: не более 0,5 В;
• Ток утечки на выходе: не более 10 мкА;
• Сопротивление изоляции: не менее 1 ГОм;
• Время нарастания выходного сигнала: 4 мкс;
• Время спада выходного сигнала: 4 мкс;
• Максимальный входной ток: 30 мА;
• Максимальный импульсный входной ток: 100 мА;
• Максимальное коммутируемое напряжение на выходе: 15 В;
• Максимальный выходной ток: 20 мА;
• Максимальное напряжение изоляции: 100 В
3ОТ123В
Оптопары транзисторные 3ОТ123В, состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевого фототранзистора.
Предназначены для применения в ключевом режиме. Между выводами 3 и 5 должен быть подключен резистор сопротивлением 100 кОм.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе.
Масса прибора не более 2 г.
Технические условия: аА0.339.201ТУ, П0.070.052.

Основные технические параметры транзисторной оптопары 3ОТ123В :
• Входное напряжение: не более 2 В;
• Выходное остаточное напряжение: не более 0,3 В;
• Ток утечки на выходе: не более 10 мкА;
• Сопротивление изоляции: не менее 1 ГОм;
• Время нарастания выходного сигнала: 4 мкс;
• Время спада выходного сигнала: 4 мкс;
• Максимальный входной ток: 30 мА;
• Максимальный импульсный входной ток: 100 мА;
• Максимальное коммутируемое напряжение на выходе: 30 В;
• Максимальный выходной ток: 10 мА;
• Максимальное напряжение изоляции: 100 В
3ОТ123Б
Оптопары транзисторные 3ОТ123Б, состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевого фототранзистора.
Предназначены для применения в ключевом режиме. Между выводами 3 и 5 должен быть подключен резистор сопротивлением 100 кОм.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе.
Масса прибора не более 2 г.
Технические условия: аА0.339.201ТУ, П0.070.052.

Основные технические параметры транзисторной оптопары 3ОТ123Б:
• Входное напряжение: не более 2 В;
• Выходное остаточное напряжение: не более 0,5 В;
• Ток утечки на выходе: не более 10 мкА;
• Сопротивление изоляции: не менее 1 ГОм;
• Время нарастания выходного сигнала: 4 мкс;
• Время спада выходного сигнала: 4 мкс;
• Максимальный входной ток: 30 мА;
• Максимальный импульсный входной ток: 100 мА;
• Максимальное коммутируемое напряжение на выходе: 30 В;
• Максимальный выходной ток: 20 мА;
• Максимальное напряжение изоляции: 100 В
3ОТ110Г
Оптопары транзисторные 3ОТ110Г, состоящие из излучающего диода на основе соединения мышьяк-галлий-алюминий и составного кремниевого фототранзистора.
Предназначены для использования в качестве переключателя в гальванически развязанных электрических цепях радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в металлическом корпусе.
Масса прибора не более 1,5 г.
Технические условия: аА0.339.064ТУ, П0.070.052.

Основные технические параметры транзисторной оптопары 3ОТ110Г:
• Входное напряжение: не более 2 В;
• Выходное остаточное напряжение: не более 1,5 В;
• Ток утечки на выходе: не более 110 мкА;
• Сопротивление изоляции: не менее 1 ГОм;
• Максимальный входной ток: 30 мА;
• Максимальный импульсный входной ток: 100 мА;
• Максимальное входное обратное напряжение: 0,7 В;
• Максимальное коммутируемое напряжение на выходе: 15 В;
• Максимальный выходной ток: 200 мА;
• Максимальное напряжение изоляции: 100 В;
• Максимальная средняя рассеиваемая мощность: 360 мВт
3ОТ110В
Оптопары транзисторные 3ОТ110В, состоящие из излучающего диода на основе соединения мышьяк-галлий-алюминий и составного кремниевого фототранзистора.
Предназначены для использования в качестве переключателя в гальванически развязанных электрических цепях радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в металлическом корпусе.
Масса прибора не более 1,5 г.
Технические условия: аА0.339.064ТУ, П0.070.052.

Основные технические параметры транзисторной оптопары 3ОТ110В:
• Входное напряжение: не более 2 В;
• Выходное остаточное напряжение: не более 1,5 В;
• Ток утечки на выходе: не более 110 мкА;
• Сопротивление изоляции: не менее 1 ГОм;
• Максимальный входной ток: 30 мА;
• Максимальный импульсный входной ток: 100 мА;
• Максимальное входное обратное напряжение: 0,7 В;
• Максимальное коммутируемое напряжение на выходе: 30 В;
• Максимальный выходной ток: 100 мА;
• Максимальное напряжение изоляции: 100 В;
• Максимальная средняя рассеиваемая мощность: 360 мВт
3ОТ102В
Оптопары транзисторные 3ОТ102В двухканальные, состоящие из эпитаксиальных излучающих диодов на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевых фототранзисторов.
Применяются для электронной коммутации однополярного тока с гальванической развязкой между входом и выходом.
Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса прибора не более 3 г.
Технические условия: ТТ3.439.001ТУ
3ОТ102Б
Оптопары транзисторные 3ОТ102Б двухканальные, состоящие из эпитаксиальных излучающих диодов на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевых фототранзисторов.
Применяются для электронной коммутации однополярного тока с гальванической развязкой между входом и выходом.
Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса прибора не более 3 г.
Технические условия: ТТ3.439.001ТУ
3ОТ102А
Оптопары транзисторные 3ОТ102А, двухканальные, состоящие из эпитаксиальных излучающих диодов на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевых фототранзисторов.
Применяются для электронной коммутации однополярного тока с гальванической развязкой между входом и выходом.
Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса прибора не более 3 г.
Технические условия: ТТ3.439.001ТУ
3ОД121В-1
Оптопары 3ОД121В-1 диодные бескорпусные.
Предназначены для гальванической развязки элементов в составе гибридных оптоэлектронных микросхем.
Масса прибора не более 0,02 г.
Технические условия: аА0.339.161ТУ.
3ОД121Б-1
Оптопары 3ОД121Б-1 диодные бескорпусные.
Предназначены для гальванической развязки элементов в составе гибридных оптоэлектронных микросхем.
Масса прибора не более 0,02 г.
Технические условия: аА0.339.161ТУ.
3ОД121А-1
Оптопары 3ОД121А-1 диодные бескорпусные.
Предназначены для гальванической развязки элементов в составе гибридных оптоэлектронных микросхем.
Масса прибора не более 0,02 г.
Технические условия: аА0.339.161ТУ.
3ОД120Б-1
Оптопары 3ОД120Б-1 диодные бескорпусные, состоящие из излучающего диода из арсенид-галлий-алюминия и кремниевого диодного фотоприемника.
Предназначены для гальванической развязки элементов в составе гибридных оптоэлектронных микросхем.
Масса прибора не более 0,02 г.
Технические условия: аА0.339.126ТУ, РМ11.091.926.
3ОД109И
Многоканальные оптоэлектронные приборы, состоящие из трёх отдельных оптопар.
Каждая оптопара образована излучающим диодом на основе соединения арсенид-галлий-алюминий и кремниевым фотодиодом.
Предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре управления и устройствах автоматики для гальванической развязки электрических цепей.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе.
Масса прибора не более 0,49 г.
Технические условия: аА0.339.057ТУ.
3ОД109Ж
Многоканальные оптоэлектронные приборы, состоящие из трёх отдельных оптопар.
Каждая оптопара образована излучающим диодом на основе соединения арсенид-галлий-алюминий и кремниевым фотодиодом.
Предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре управления и устройствах автоматики для гальванической развязки электрических цепей.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе.
Масса прибора не более 0,49 г.
Технические условия: аА0.339.057ТУ.
3ОД109Е
Многоканальные оптоэлектронные приборы, состоящие из трёх отдельных оптопар.
Каждая оптопара образована излучающим диодом на основе соединения арсенид-галлий-алюминий и кремниевым фотодиодом.
Предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре управления и устройствах автоматики для гальванической развязки электрических цепей.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе.
Масса прибора не более 0,49 г.
Технические условия: аА0.339.057ТУ.
3ОД109Д
Многоканальные оптоэлектронные приборы, состоящие из трёх отдельных оптопар.
Каждая оптопара образована излучающим диодом на основе соединения арсенид-галлий-алюминий и кремниевым фотодиодом.
Предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре управления и устройствах автоматики для гальванической развязки электрических цепей.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе.
Масса прибора не более 0,49 г.
Технические условия: аА0.339.057ТУ.
3ОД109Г
Многоканальные оптоэлектронные приборы, состоящие из трёх отдельных оптопар.
Каждая оптопара образована излучающим диодом на основе соединения арсенид-галлий-алюминий и кремниевым фотодиодом.
Предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре управления и устройствах автоматики для гальванической развязки электрических цепей.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе.
Масса прибора не более 0,49 г.
Технические условия: аА0.339.057ТУ.
АОД176А
Оптопары дифференциальные диодные АОД176А.
Предназначены для работы в качестве элементов гальванической развязки при передаче аналоговых сигналов в аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.
Поставляются в корпусах DIP-8.
Технические условия: АДБК.432220.957 ТУ.
3ОД120А-1
Оптопары 3ОД120А-1 диодные бескорпусные, состоящие из излучающего диода из арсенид-галлий-алюминия и кремниевого диодного фотоприемника.
Предназначены для гальванической развязки элементов в составе гибридных оптоэлектронных микросхем.
Масса прибора не более 0,02 г.
Технические условия: аА0.339.126ТУ, РМ11.091.926.
Оптопары транзисторные 3ОТ122В, состоящие из излучающего арсенидо-галлиевого диода и кремниевого фототранзистора.
Предназначены для бесконтактной коммутации цепей постоянного тока с гальванической развязкой между входом и выходом.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора приводится на корпусе.
Масса оптопары не более 0,6 г.
Технические условия: аА0.339.200 ТУ.
1 416.00 руб
Выводить по: 20




Технические характеристики, параметры, маркировка:



ООО Компания "Электроника и связь" ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 ЕКПС Вооруженных Сил РФ - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ ISO 9001-2011, ГОСТ РВ 0015-002-2012, СРПП ВТ.