+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Оптопары

Цены приведены с учетом НДС

АОД176А
Оптопары дифференциальные диодные АОД176А.
Предназначены для работы в качестве элементов гальванической развязки при передаче аналоговых сигналов в аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.
Поставляются в корпусах DIP-8.
Технические условия: АДБК.432220.957 ТУ.
АОР113А
Оптопары резисторные АОР113А, с открытым оптическим каналом отражательного типа, состоящие из излучающего арсенидогаллиевого диода и фотоприемника - дифференциального селенисто-кадмиевого фоторезистора.
Предназначены для применения в качестве позиционно-чувствительных датчиков устройств автоматики прецизионных металлообрабатывающих станков с числовым программным управлением.
Для отражения лучей используются зеркала диаметром 20 мм и радиусом кривизны 50 мм.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянным окном.
Масса приборов не более 3,5 г
АОР124А
Оптопара резисторная.
Предназначена для работы в цепях постоянного и переменного токов  в качестве ключевых и аналоговых элементов.
Технические условия: аА0.336.649 ТУ.
АОР124Б-1
Оптопара резисторная.
Предназначена для работы в цепях постоянного и переменного токов  в качестве ключевых и аналоговых элементов.
Технические условия: аА0.336.649 ТУ.
АОТ101АС
Оптопары транзисторные АОТ101АС, двухканальные, состоящие из эпитаксиальных излучающих диодов на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевых фототранзисторов.
Применяются для электронной коммутации однополярного тока с гальванической привязкой между входом и выходом.
Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса прибора не более 3 г.
Тип корпуса: 2104.8 (DIP8).
Технические условия:  АДБК.432220.850 ТУ.

Некоторые электрические параметры.
- Входное напряжение при Iвх=15 мА,
   - не более ...... 1,7 В
   - типовое значение ...... 3,3 В
- Входное напряжение при Iвх=5 мА,
   - не более ...... 1,6 В
   - типовое значение ...... 1,2 В
- Выходное остаточное напряжение:
   - при Iвх=2,5 мА и Iвых=0,5 мА, не более ...... 0,4 В
   - типовое значение 0,2 В при Iвх=10 мА (для АОТ101АС при Iвых=1,5 мА, АОТ101БС при Iвых=10 мА), не более ...... 0,4 В
- Ток утечки па выходе при Iвх=0 и Uобр=10 В,
   - не более ...... 10 мкА
   - типовое значение ...... 1 мкА
- Сопротивление изоляции при Uиз=500 В,
   - не менее ...... 1011 Ом
   - типовое значение ...... 1012 Ом
- Время нарастания и спада выходного сигнала при Uком=10В, Iвх=10мА и Rн=100 Ом,
   - не более ...... 10 мкс
   - типовое значение ...... 3 мкс.

Предельные эксплуатационные данные.
- Коммутируемое напряжение ...... 15 В
- Обратное входное напряжение ...... 1,5 В
- Напряжение изоляции при Т=+25±10°С ...... 1,5 кВ
- Входной ток при Т=-10..+50°С ...... 20 мА
АОТ101БС
Оптопары транзисторные АОТ101БС, двухканальные, состоящие из эпитаксиальных излучающих диодов на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевых фототранзисторов.
Применяются для электронной коммутации однополярного тока с гальванической привязкой между входом и выходом.
Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса прибора не более 3 г.
Тип корпуса: 2104.8 (DIP8).
Технические условия:  АДБК.432220.850 ТУ.


Некоторые электрические параметры.
- Входное напряжение при Iвх=15 мА,
   - не более ...... 1,7 В
   - типовое значение ...... 3,3 В
- Входное напряжение при Iвх=5 мА,
   - не более ...... 1,6 В
   - типовое значение ...... 1,2 В
- Выходное остаточное напряжение:
   - при Iвх=2,5 мА и Iвых=0,5 мА, не более ...... 0,4 В
   - типовое значение 0,2 В при Iвх=10 мА (для АОТ101АС при Iвых=1,5 мА, АОТ101БС при Iвых=10 мА), не более ...... 0,4 В
- Ток утечки па выходе при Iвх=0 и Uобр=10 В,
   - не более ...... 10 мкА
   - типовое значение ...... 1 мкА
- Сопротивление изоляции при Uиз=500 В,
   - не менее ...... 1011 Ом
   - типовое значение ...... 1012 Ом
- Время нарастания и спада выходного сигнала при Uком=10В, Iвх=10мА и Rн=100 Ом,
   - не более ...... 10 мкс
   - типовое значение ...... 3 мкс.

Предельные эксплуатационные данные.
- Коммутируемое напряжение ...... 15 В
- Обратное входное напряжение ...... 1,5 В
- Напряжение изоляции при Т=+25±10°С ...... 1,5 кВ
- Входной ток при Т=-10..+50°С ...... 20 мА
АОТ101ВС
Оптопары транзисторные АОТ101ВС, двухканальные, состоящие из эпитаксиальных излучающих диодов на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевых фототранзисторов.
Применяются для электронной коммутации однополярного тока с гальванической привязкой между входом и выходом.
Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса прибора не более 3 г.
Тип корпуса: 2104.8 (DIP8).
Технические условия:  АДБК.432220.850 ТУ.

Некоторые электрические параметры.
- Входное напряжение при Iвх=15 мА,
   - не более ...... 1,7 В
   - типовое значение ...... 3,3 В
- Входное напряжение при Iвх=5 мА,
   - не более ...... 1,6 В
   - типовое значение ...... 1,2 В
- Выходное остаточное напряжение:
   - при Iвх=2,5 мА и Iвых=0,5 мА, не более ...... 0,4 В
   - типовое значение 0,2 В при Iвх=10 мА (для АОТ101АС при Iвых=1,5 мА, АОТ101БС при Iвых=10 мА), не более ...... 0,4 В
- Ток утечки па выходе при Iвх=0 и Uобр=10 В,
   - не более ...... 10 мкА
   - типовое значение ...... 1 мкА
- Сопротивление изоляции при Uиз=500 В,
   - не менее ...... 1011 Ом
   - типовое значение ...... 1012 Ом
- Время нарастания и спада выходного сигнала при Uком=10В, Iвх=10мА и Rн=100 Ом,
   - не более ...... 10 мкс
   - типовое значение ...... 3 мкс.

Предельные эксплуатационные данные.
- Коммутируемое напряжение ...... 15 В
- Обратное входное напряжение ...... 1,5 В
- Напряжение изоляции при Т=+25±10°С ...... 1,5 кВ
- Входной ток при Т=-10..+50°С ...... 20 мА
АОТ101ЖС
Оптопары транзисторные АОТ101ЖС, двухканальные, состоящие из эпитаксиальных излучающих диодов на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевых фототранзисторов.
Применяются для электронной коммутации однополярного тока с гальванической привязкой между входом и выходом.
Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса прибора не более 3 г.
Тип корпуса: 2104.8 (DIP8).
Технические условия:  АДБК.432220.850 ТУ.

Некоторые электрические параметры.
- Входное напряжение при Iвх=15 мА,
   - не более ...... 1,7 В
   - типовое значение ...... 3,3 В
- Входное напряжение при Iвх=5 мА,
   - не более ...... 1,6 В
   - типовое значение ...... 1,2 В
- Выходное остаточное напряжение:
   - при Iвх=2,5 мА и Iвых=0,5 мА, не более ...... 0,4 В
   - типовое значение 0,2 В при Iвх=10 мА (для АОТ101АС при Iвых=1,5 мА, АОТ101БС при Iвых=10 мА), не более ...... 0,4 В
- Ток утечки па выходе при Iвх=0 и Uобр=10 В,
   - не более ...... 10 мкА
   - типовое значение ...... 1 мкА
- Сопротивление изоляции при Uиз=500 В,
   - не менее ...... 1011 Ом
   - типовое значение ...... 1012 Ом
- Время нарастания и спада выходного сигнала при Uком=10В, Iвх=10мА и Rн=100 Ом,
   - не более ...... 10 мкс
   - типовое значение ...... 3 мкс.

Предельные эксплуатационные данные.
- Коммутируемое напряжение ...... 15 В
- Обратное входное напряжение ...... 1,5 В
- Напряжение изоляции при Т=+25±10°С ...... 1,5 кВ
- Входной ток при Т=-10..+50°С ...... 20 мА
АОТ102А
Оптопары транзисторные АОТ102А, двухканальные, состоящие из эпитаксиальных излучающих диодов на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевых фототранзисторов.
Применяются для электронной коммутации однополярного тока с гальванической развязкой между входом и выходом.
Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса прибора не более 3 г.
Технические условия: аА0.336.139 ТУ.
АОТ102Б
Оптопары транзисторные АОТ102Б, двухканальные, состоящие из эпитаксиальных излучающих диодов на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевых фототранзисторов.
Применяются для электронной коммутации однополярного тока с гальванической развязкой между входом и выходом.
Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса прибора не более 3 г.
Технические условия: аА0.336.139 ТУ.
АОТ102В
Оптопары транзисторные АОТ102В, двухканальные, состоящие из эпитаксиальных излучающих диодов на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевых фототранзисторов.
Применяются для электронной коммутации однополярного тока с гальванической развязкой между входом и выходом.
Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса прибора не более 3 г.
Технические условия: аА0.336.139 ТУ.
АОТ102Г
Оптопары транзисторные АОТ102Г, двухканальные, состоящие из эпитаксиальных излучающих диодов на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевых фототранзисторов.
Применяются для электронной коммутации однополярного тока с гальванической развязкой между входом и выходом.
Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса прибора не более 3 г.
Технические условия: аА0.336.139 ТУ.
Оптопары транзисторные АОТ110А, состоящие из излучающего диода на основе соединения мышьяк-галлий-алюминий и составного кремниевого фототранзистора.
Предназначены для использования в качестве переключателя в гальванически развязанных электрических цепях радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в металлическом корпусе.
Масса прибора не более 1,5 г.
Технические условия: аА0.336.260 ТУ.

Основные технические параметры транзисторной оптопары АОТ110А:
• Входное напряжение: не более 2 В;
• Выходное остаточное напряжение: не более 1,5 В;
• Ток утечки на выходе: не более 110 мкА;
• Сопротивление изоляции: не менее 1 ГОм;
• Максимальный входной ток: 30 мА;
• Максимальный импульсный входной ток: 100 мА;
• Максимальное входное обратное напряжение: 0,7 В;
• Максимальное коммутируемое напряжение на выходе: 30 В;
• Максимальный выходной ток: 200 мА;
• Максимальное напряжение изоляции: 100 В;
• Максимальная средняя рассеиваемая мощность: 360 мВт
Оптопары транзисторные АОТ110Б, состоящие из излучающего диода на основе соединения мышьяк-галлий-алюминий и составного кремниевого фототранзистора.
Предназначены для использования в качестве переключателя в гальванически развязанных электрических цепях радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в металлическом корпусе.
Масса прибора не более 1,5 г.
Технические условия: аА0.336.260 ТУ.

Основные технические параметры транзисторной оптопары АОТ110Б:
• Входное напряжение: не более 2 В;
• Выходное остаточное напряжение: не более 1,5 В;
• Ток утечки на выходе: не более 110 мкА;
• Сопротивление изоляции: не менее 1 ГОм;
• Максимальный входной ток: 30 мА;
• Максимальный импульсный входной ток: 100 мА;
• Максимальное входное обратное напряжение: 0,7 В;
• Максимальное коммутируемое напряжение на выходе: 50 В;
• Максимальный выходной ток: 100 мА;
• Максимальное напряжение изоляции: 100 В;
• Максимальная средняя рассеиваемая мощность: 360 мВт
Оптопары транзисторные АОТ110В, состоящие из излучающего диода на основе соединения мышьяк-галлий-алюминий и составного кремниевого фототранзистора.
Предназначены для использования в качестве переключателя в гальванически развязанных электрических цепях радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в металлическом корпусе.
Масса прибора не более 1,5 г.
Технические условия: аА0.336.260 ТУ.

Основные технические параметры транзисторной оптопары АОТ110В:
• Входное напряжение: не более 2 В;
• Выходное остаточное напряжение: не более 1,5 В;
• Ток утечки на выходе: не более 110 мкА;
• Сопротивление изоляции: не менее 1 ГОм;
• Максимальный входной ток: 30 мА;
• Максимальный импульсный входной ток: 100 мА;
• Максимальное входное обратное напряжение: 0,7 В;
• Максимальное коммутируемое напряжение на выходе: 30 В;
• Максимальный выходной ток: 100 мА;
• Максимальное напряжение изоляции: 100 В;
• Максимальная средняя рассеиваемая мощность: 360 мВт
Оптопары транзисторные АОТ110Г, состоящие из излучающего диода на основе соединения мышьяк-галлий-алюминий и составного кремниевого фототранзистора.
Предназначены для использования в качестве переключателя в гальванически развязанных электрических цепях радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в металлическом корпусе.
Масса прибора не более 1,5 г.
Технические условия: аА0.336.260 ТУ.


Основные технические параметры транзисторной оптопары АОТ110Г:
• Входное напряжение: не более 2 В;
• Выходное остаточное напряжение: не более 1,5 В;
• Ток утечки на выходе: не более 110 мкА;
• Сопротивление изоляции: не менее 1 ГОм;
• Максимальный входной ток: 30 мА;
• Максимальный импульсный входной ток: 100 мА;
• Максимальное входное обратное напряжение: 0,7 В;
• Максимальное коммутируемое напряжение на выходе: 15 В;
• Максимальный выходной ток: 200 мА;
• Максимальное напряжение изоляции: 100 В;
• Максимальная средняя рассеиваемая мощность: 360 мВт
Оптопары транзисторные АОТ123А, состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевого фототранзистора.
Предназначены для применения в ключевом режиме. Между выводами 3 и 5 должен быть подключен резистор сопротивлением 100 кОм.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе.
Масса прибора не более 2 г.
Технические условия: аА0.336.416 ТУ.

Основные технические параметры транзисторной оптопары АОТ123А:
• Входное напряжение: не более 2 В;
• Выходное остаточное напряжение: не более 0,3 В;
• Ток утечки на выходе: не более 10 мкА;
• Сопротивление изоляции: не менее 1 ГОм;
• Время нарастания выходного сигнала: 2 мкс;
• Время спада выходного сигнала: 2 мкс;
• Максимальный входной ток: 30 мА;
• Максимальный импульсный входной ток: 100 мА;
• Максимальное коммутируемое напряжение на выходе: 50 В;
• Максимальный выходной ток: 10 мА;
• Максимальное напряжение изоляции: 100 В
Оптопары транзисторные АОТ123Б, состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевого фототранзистора.
Предназначены для применения в ключевом режиме. Между выводами 3 и 5 должен быть подключен резистор сопротивлением 100 кОм.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе.
Масса прибора не более 2 г.
Технические условия: аА0.336.416 ТУ.

Основные технические параметры транзисторной оптопары АОТ123Б:
• Входное напряжение: не более 2 В;
• Выходное остаточное напряжение: не более 0,5 В;
• Ток утечки на выходе: не более 10 мкА;
• Сопротивление изоляции: не менее 1 ГОм;
• Время нарастания выходного сигнала: 2 мкс;
• Время спада выходного сигнала: 2 мкс;
• Максимальный входной ток: 30 мА;
• Максимальный импульсный входной ток: 100 мА;
• Максимальное коммутируемое напряжение на выходе: 30 В;
• Максимальный выходной ток: 20 мА;
• Максимальное напряжение изоляции: 100 В
Оптопары транзисторные АОТ123В, состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевого фототранзистора.
Предназначены для применения в ключевом режиме. Между выводами 3 и 5 должен быть подключен резистор сопротивлением 100 кОм.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе.
Масса прибора не более 2 г.
Технические условия: аА0.336.416 ТУ.

Основные технические параметры транзисторной оптопары АОТ123В :
• Входное напряжение: не более 2 В;
• Выходное остаточное напряжение: не более 0,3 В;
• Ток утечки на выходе: не более 10 мкА;
• Сопротивление изоляции: не менее 1 ГОм;
• Время нарастания выходного сигнала: 2 мкс;
• Время спада выходного сигнала: 2 мкс;
• Максимальный входной ток: 30 мА;
• Максимальный импульсный входной ток: 100 мА;
• Максимальное коммутируемое напряжение на выходе: 30 В;
• Максимальный выходной ток: 10 мА;
• Максимальное напряжение изоляции: 100 В
Оптопары транзисторные АОТ123Г, состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевого фототранзистора.
Предназначены для применения в ключевом режиме. Между выводами 3 и 5 должен быть подключен резистор сопротивлением 100 кОм.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе.
Масса прибора не более 2 г.
Технические условия: аА0.336.416 ТУ.

Основные технические параметры транзисторной оптопары АОТ123Г:
• Входное напряжение: не более 2 В;
• Выходное остаточное напряжение: не более 0,5 В;
• Ток утечки на выходе: не более 10 мкА;
• Сопротивление изоляции: не менее 1 ГОм;
• Время нарастания выходного сигнала: 2 мкс;
• Время спада выходного сигнала: 2 мкс;
• Максимальный входной ток: 30 мА;
• Максимальный импульсный входной ток: 100 мА;
• Максимальное коммутируемое напряжение на выходе: 15 В;
• Максимальный выходной ток: 20 мА;
• Максимальное напряжение изоляции: 100 В
Выводить по: 20


Мы рекомендуем:



ООО Компания "Электроника и связь" ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 ЕКПС Вооруженных Сил РФ - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ ISO 9001-2011, ГОСТ РВ 0015-002-2012, СРПП ВТ.