+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Оптопары

Цены приведены с учетом НДС

Оптопары транзисторные АОТ126А, состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевого фототранзистора.
Предназначены для бесконтактной коммутации постоянного тока с гальванической развязкой между входом и выходом.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Масса прибора не более 2 г.
Технические условия: аА0.336.464 ТУ.

Основные технические параметры транзисторной оптопары АОТ126А:
• Входное напряжение: не более 2 В;
• Выходное остаточное напряжение: не более 0,3 В;
• Ток утечки на выходе: не более 10 мкА;
• Сопротивление изоляции: не менее 100 ГОм;
• Время нарастания выходного сигнала: 2 нс;
• Время спада выходного сигнала: 2 нс;
• Максимальный входной ток: 30 мА;
• Максимальный импульсный входной ток: 100 мА;
• Максимальное входное обратное напряжение: 0,5 В;
• Максимальное коммутируемое напряжение на выходе: 30 В;
• Максимальный выходной ток: 10 мА;
• Максимальное напряжение изоляции: 1000 В
Оптопары транзисторные АОТ127А, состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевого фототранзистора.
Предназначены для бесконтактной коммутации постоянного тока с гальванической развязкой между входом и выходом.
Масса прибора не более 2 г.
Технические условия: аА0.336.467.ТУ/2.

Основные технические параметры транзисторной оптопары АОТ127А:
• Входное напряжение: не более 1,6 В;
• Выходное остаточное напряжение: не более 1,5 В;
• Ток утечки на выходе: не более 10 мкА;
• Сопротивление изоляции: не менее 100 ГОм;
• Время нарастания выходного сигнала: 10 мкс;
• Время спада выходного сигнала: 100 мкс;
• Максимальный входной ток: 15 мА;
• Максимальное коммутируемое напряжение на выходе: 30 В;
• Максимальный выходной ток: 70 мА;
• Максимальное напряжение изоляции: 500 В;
• Максимальная средняя рассеиваемая мощность: 225 мВт
Оптопары транзисторные АОТ127Б, состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевого фототранзистора.
Предназначены для бесконтактной коммутации постоянного тока с гальванической развязкой между входом и выходом.
Масса прибора не более 2 г.
Технические условия: аА0.336.467.ТУ/2.

Основные технические параметры транзисторной оптопары АОТ127Б:
• Входное напряжение: не более 1,6 В;
• Выходное остаточное напряжение: не более 1,5 В;
• Ток утечки на выходе: не более 10 мкА;
• Сопротивление изоляции: не менее 100 ГОм;
• Время нарастания выходного сигнала: 10 мкс;
• Время спада выходного сигнала: 100 мкс;
• Максимальный входной ток: 15 мА;
• Максимальное коммутируемое напряжение на выходе: 30 В;
• Максимальный выходной ток: 70 мА;
• Максимальное напряжение изоляции: 500 В;
• Максимальная средняя рассеиваемая мощность: 225 мВт
Оптопары транзисторные АОТ127В, состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевого фототранзистора.
Предназначены для бесконтактной коммутации постоянного тока с гальванической развязкой между входом и выходом.
Масса прибора не более 2 г.
Технические условия: аА0.336.467.ТУ/2.

Основные технические параметры транзисторной оптопары АОТ127В:
• Входное напряжение: не более 1,6 В;
• Выходное остаточное напряжение: не более 1,5 В;
• Ток утечки на выходе: не более 10 мкА;
• Сопротивление изоляции: не менее 100 ГОм;
• Время нарастания выходного сигнала: 10 мкс;
• Время спада выходного сигнала: 100 мкс;
• Максимальный входной ток: 15 мА;
• Максимальное коммутируемое напряжение на выходе: 15 В;
• Максимальный выходной ток: 70 мА;
• Максимальное напряжение изоляции: 500 В;
• Максимальная средняя рассеиваемая мощность: 225 мВт
Оптопары транзисторные АОТ128А, состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевых фототранзисторов.
Предназначены для бесконтактной коммутации постоянного тока с гальванической развязкой между входом и выходом.
Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса прибора не более 1 г.
Тип корпуса: DIP-6 (2101.6-1).
Технические условия:  аА0.336.468 ТУ/2.

Основные технические параметры транзисторной оптопары АОТ128А:
• Входное напряжение: не более 1,6 В;
• Выходное остаточное напряжение: не более 0,3 В;
• Ток утечки на выходе: не более 10 мкА;
• Сопротивление изоляции: не менее 100 ГОм;
• Время нарастания выходного сигнала: 5 нс;
• Время спада выходного сигнала: 5 нс;
• Максимальный входной ток: 40 мА;
• Максимальный импульсный входной ток: 100 мА;
• Максимальное входное обратное напряжение: 0,5 В;
• Максимальное коммутируемое напряжение на выходе: 50 В;
• Максимальный выходной ток: 8 мА;
• Максимальное напряжение изоляции: 1500 В
Оптопары транзисторные АОТ128Б, состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевых фототранзисторов.
Предназначены для бесконтактной коммутации постоянного тока с гальванической развязкой между входом и выходом.
Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса прибора не более 1 г.
Тип корпуса: DIP-6 (2101.6-1).
Технические условия:  аА0.336.468 ТУ/2.

Основные технические параметры транзисторной оптопары АОТ128Б:
• Входное напряжение: не более 1,6 В;
• Выходное остаточное напряжение: не более 0,4 В;
• Ток утечки на выходе: не более 10 мкА;
• Сопротивление изоляции: не менее 100 ГОм;
• Время нарастания выходного сигнала: 5 нс;
• Время спада выходного сигнала: 5 нс;
• Максимальный входной ток: 40 мА;
• Максимальный импульсный входной ток: 100 мА;
• Максимальное входное обратное напряжение: 0,5 В;
• Максимальное коммутируемое напряжение на выходе: 30 В;
• Максимальный выходной ток: 32 мА;
• Максимальное напряжение изоляции: 1500 В
Оптопары транзисторные АОТ128В, состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевых фототранзисторов.
Предназначены для бесконтактной коммутации постоянного тока с гальванической развязкой между входом и выходом.
Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса прибора не более 1 г.
Тип корпуса: DIP-6 (2101.6-1).
Технические условия:  аА0.336.468 ТУ/2.


Основные технические параметры транзисторной оптопары АОТ128В:
• Входное напряжение: не более 1,6 В;
• Выходное остаточное напряжение: не более 0,4 В;
• Ток утечки на выходе: не более 10 мкА;
• Сопротивление изоляции: не менее 100 ГОм;
• Время нарастания выходного сигнала: 5 нс;
• Время спада выходного сигнала: 5 нс;
• Максимальный входной ток: 40 мА;
• Максимальный импульсный входной ток: 100 мА;
• Максимальное входное обратное напряжение: 0,5 В;
• Максимальное коммутируемое напряжение на выходе: 30 В;
• Максимальный выходной ток: 16 мА;
• Максимальное напряжение изоляции: 1500 В
Оптопары транзисторные АОТ128Г, состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевых фототранзисторов.
Предназначены для бесконтактной коммутации постоянного тока с гальванической развязкой между входом и выходом.
Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса прибора не более 1 г.
Тип корпуса: DIP-6 (2101.6-1).
Технические условия:  аА0.336.468 ТУ/2.

Основные технические параметры транзисторной оптопары АОТ128Г:
• Входное напряжение: не более 1,6 В;
• Выходное остаточное напряжение: не более 0,4 В;
• Ток утечки на выходе: не более 10 мкА;
• Сопротивление изоляции: не менее 100 ГОм;
• Время нарастания выходного сигнала: 5 нс;
• Время спада выходного сигнала: 5 нс;
• Максимальный входной ток: 40 мА;
• Максимальный импульсный входной ток: 100 мА;
• Максимальное входное обратное напряжение: 0,5 В;
• Максимальное коммутируемое напряжение на выходе: 15 В;
• Максимальный выходной ток: 16 мА;
• Максимальное напряжение изоляции: 1500 В
Оптопары транзисторные АОТ128Д, состоящие из излучающего диода на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевых фототранзисторов.
Предназначены для бесконтактной коммутации постоянного тока с гальванической развязкой между входом и выходом.
Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса прибора не более 1 г.
Тип корпуса: DIP-6 (2101.6-1).
Технические условия:  аА0.336.468 ТУ/2.

Основные технические параметры транзисторной оптопары АОТ128Д:
• Входное напряжение: не более 1,6 В;
• Выходное остаточное напряжение: не более 0,4 В;
• Ток утечки на выходе: не более 10 мкА;
• Сопротивление изоляции: не менее 100 ГОм;
• Время нарастания выходного сигнала: 5 нс;
• Время спада выходного сигнала: 5 нс;
• Максимальный входной ток: 40 мА;
• Максимальный импульсный входной ток: 100 мА;
• Максимальное входное обратное напряжение: 0,5 В;
• Максимальное коммутируемое напряжение на выходе: 15 В;
• Максимальный выходной ток: 32 мА;
• Максимальное напряжение изоляции: 1500 В
АОТ137А-1
Оптопары транзисторные АОТ137А-1 с открытым оптическим каналом в пластмассовом корпусе, состоящие из эпитаксиального инфракрасного диодного излучателя на основе соединения арсенид-галлий-алюминий и кремниевого эпитаксиально-планарного транзисторного фотоприемника.
Предназначены для использования в качестве миниатюрных первичных фотоэлектрических преобразователей (датчиков) линейных и угловых перемещений в радиоэлектронной аппаратуре.
Масса оптрона не более 0,3 г.
Технические условия: аА0.336.735 ТУ.
АОТ137Б-1
Оптопары транзисторные АОТ137Б-1 с открытым оптическим каналом в пластмассовом корпусе, состоящие из эпитаксиального инфракрасного диодного излучателя на основе соединения арсенид-галлий-алюминий и кремниевого эпитаксиально-планарного транзисторного фотоприемника.
Предназначены для использования в качестве миниатюрных первичных фотоэлектрических преобразователей (датчиков) линейных и угловых перемещений в радиоэлектронной аппаратуре.
Масса оптрона не более 0,3 г.
Технические условия: аА0.336.735 ТУ.
АОТ147А
Оптопары транзисторные АОТ147А в пластмассовом корпусе, состоящие из кремниевого эпитаксиально-планарного  фототранзисторного приемника и GaALAs эпитаксиального инфракрасного диодного излучателя.
Предназначены в качестве датчиков перемещения и считывания информации.
Технические условия: аАО.336.842 ТУ.
АОТ147Б
Оптопары транзисторные АОТ147Б в пластмассовом корпусе, состоящие из кремниевого эпитаксиально-планарного  фототранзисторного приемника и GaALAs эпитаксиального инфракрасного диодного излучателя.
Предназначены в качестве датчиков перемещения и считывания информации.
Технические условия: аАО.336.842 ТУ.
АОТ161А
Транзисторная оптопара АОТ161А с высоким напряжением изоляции и выводом базы.
Оптопара предназначена для коммутации цепей постоянного тока сгальванической развязкой между входом и выходом в радиоэлектронной аппаратуре.
Тип корпуса: DIP-6.
Технические условия: АДБК.431220.659 ТУ.
АОТ161Б
Транзисторная оптопара АОТ161Б с высоким напряжением изоляции и выводом базы.
Оптопара предназначена для коммутации цепей постоянного тока сгальванической развязкой между входом и выходом в радиоэлектронной аппаратуре.
Технические условия: АДБК.431220.659 ТУ.
Тип корпуса: DIP-6.
АОТ162А
Высоковольтная оптопара с составным транзистором.
Оптопара АОТ162А состоит из кристаллов инфракрасного AsGaAl светодиода и кремниевого n-p-n составного фототранзистора.
Кристаллы расположены в одной плоскости, оптически связаны полусферическим световодом. Такая конструкция обеспечивает отсутствие полевых утечек при длительном приложении Uиз.
Внутренние межсоединения выполнены золотой проволокой.
Тип корпуса: DIP-6 (2101.6-1).
Технические условия:  АДБК.432220.660 ТУ..
АОТ162Б
Высоковольтная оптопара с составным транзистором.
Оптопара АОТ162Б состоит из кристаллов инфракрасного AsGaAl светодиода и кремниевого n-p-n составного фототранзистора.
Кристаллы расположены в одной плоскости, оптически связаны полусферическим световодом. Такая конструкция обеспечивает отсутствие полевых утечек при длительном приложении Uиз.
Внутренние межсоединения выполнены золотой проволокой.
Тип корпуса: DIP-6 (2101.6-1).
Технические условия:  АДБК.432220.660 ТУ.
АОТ162В
Высоковольтная оптопара с составным транзистором.
Оптопара АОТ162В состоит из кристаллов инфракрасного AsGaAl светодиода и кремниевого n-p-n составного фототранзистора.
Кристаллы расположены в одной плоскости, оптически связаны полусферическим световодом. Такая конструкция обеспечивает отсутствие полевых утечек при длительном приложении Uиз.
Внутренние межсоединения выполнены золотой проволокой.
Тип корпуса: DIP-6 (2101.6-1).
Технические условия:  АДБК.432220.660 ТУ.
АОТ165А
Сдвоенная оптопара с транзистором Дарлингтона.
Оптопара АОТ165А состоит из кристаллов инфракрасного AsGaAl светодиода и кремниевого составного n-p-n фототранзистора.
Кристаллы расположены в одной плоскости, оптически связаны полусферическим световодом. Такая конструкция
обеспечивает отсутствие полевых утечек при длительном приложении Uиз.
Внутренние межсоединения выполнены золотой проволокой.
Тип корпуса: DIP-8 (2101.8-1).
Технические условия: АДБК.432220.725 ТУ.
АОТ165А-1
Сдвоенная оптопара с транзистором Дарлингтона.
Оптопара АОТ165А-1 состоит из кристаллов инфракрасного AsGaAl светодиода и кремниевого составного n-p-n фототранзистора.
Кристаллы расположены в одной плоскости, оптически связаны полусферическим световодом.
Такая конструкция обеспечивает отсутствие полевых утечек при длительном приложении Uиз.
Внутренние межсоединения выполнены золотой проволокой.
Тип корпуса: DIP- 4 (2101.4-1).
Технические условия: АДБК.432220.725 ТУ.
Выводить по: 20


Мы рекомендуем:



ООО Компания "Электроника и связь" ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 ЕКПС Вооруженных Сил РФ - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ ISO 9001-2011, ГОСТ РВ 0015-002-2012, СРПП ВТ.