+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Диоды высокочастотные и импульсные

Цены приведены с учетом НДС

1644
Диоды 1644 кремниевые, сплавные.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,53 г.
23.60 руб
Диоды 1Д402А германиевые, микросплавные.
Предназначены для преобразования высокочастотных сигналов.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,21 г.

Основные технические характеристики диода 1Д402А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 15 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 30 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 60 мГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,45 В при Inp 15 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 50 мкА при Uoбp 10 В;
• Сд - Общая емкость: 0,8 пФ при Uoбp 5 В
Диоды 1Д507А германиевые, микросплавные, импульсные.
Предназначены для ограничения и модуляции импульсных сигналов.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,21 г.
Тип корпуса: КД-121.  
Технические условия: ТТ3.362.064 ТУ.

Основные технические характеристики диода 1Д507А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 20 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 16 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,5 В при Inp 5 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 50 мкА при Uoбp 20 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,1 мкс;
• Сд - Общая емкость: 0,8 пФ
Диоды 1Д508А германиевые, микросплавные, импульсные.
Предназначены для применения в сверхбыстродействующих формирователях импульсов.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,2 г.

Основные технические характеристики диода 1Д508А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 8 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 10 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,7 В;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 60 мкА при Uoбp 8 В;
• Сд - Общая емкость: 0,75 пФ
2Г401А
Диоды кремниевые, планарные.
Предназначены для применения в качестве генераторов шума:
2Г401А, КГ401А от 20 Гц до 2,5 МГц;
2Г401Б, КГ401Б от 20 Гц до 3,5 МГц;
2Г401В, КГ401В от 20 Гц до 1 МГц.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются буквой на корпусе:
2Г401А, КГ401А - буквой А;
2Г401Б, КГ401Б - буквой Б;
2Г401В, КГ401B - буквой В.
На торце корпуса со стороны отрицательного вывода наносится голубая метка.
Масса диода не более 0,3 г.
Технические условия: ТТ3.369.008 ТУ.
112.10 руб
2Г401Б
Диоды кремниевые, планарные.
Предназначены для применения в качестве генераторов шума:
2Г401А, КГ401А от 20 Гц до 2,5 МГц;
2Г401Б, КГ401Б от 20 Гц до 3,5 МГц;
2Г401В, КГ401В от 20 Гц до 1 МГц.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются буквой на корпусе:
2Г401А, КГ401А - буквой А;
2Г401Б, КГ401Б - буквой Б;
2Г401В, КГ401B - буквой В.
На торце корпуса со стороны отрицательного вывода наносится голубая метка.
Масса диода не более 0,3 г.
Технические условия: ТТ3.369.008 ТУ.
112.10 руб
2Г401В
Диоды кремниевые, планарные.
Предназначены для применения в качестве генераторов шума:
2Г401А, КГ401А от 20 Гц до 2,5 МГц;
2Г401Б, КГ401Б от 20 Гц до 3,5 МГц;
2Г401В, КГ401В от 20 Гц до 1 МГц.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются буквой на корпусе:
2Г401А, КГ401А - буквой А;
2Г401Б, КГ401Б - буквой Б;
2Г401В, КГ401B - буквой В.
На торце корпуса со стороны отрицательного вывода наносится голубая метка.
Масса диода не более 0,3 г.
Технические условия: ТТ3.369.008 ТУ.
112.10 руб
2Д413А
Диоды кремниевые, эпитаксиальные, со структурой типа p-i-n.
Предназначены для применения в качестве высокочастотных резистивных элементов.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цветным кодом у положительного вывода:
  - 2Д413А - одной зеленой точкой;
  - 2Д413Б - зеленой и красной точками;
  - КД413А - одной белой точкой;
  - КД413Б - белой и красной точками.
Масса диода не более 0,035 г.
Тип корпуса: КД-1.
Технические условия: ТТ0.336.032ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д413А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 24 В;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 20 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 100 мГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 20 мА;
• Сд - Общая емкость: 0,7 пФ
165.20 руб
2Д413Б
Диоды кремниевые, эпитаксиальные, со структурой типа p-i-n.
Предназначены для применения в качестве высокочастотных резистивных элементов.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цветным кодом у положительного вывода:
  - 2Д413А - одной зеленой точкой;
  - 2Д413Б - зеленой и красной точками;
  - КД413А - одной белой точкой;
  - КД413Б - белой и красной точками.
Масса диода не более 0,035 г.
Тип корпуса: КД-1.
Технические условия: ТТ0.336.032ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д413Б:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 24 В;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 20 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 100 мГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 20 мА;
• Сд - Общая емкость: 0,7 пФ
165.20 руб
Диоды 2Д419А кремниевые с барьером Шотки.
Предназначены для применения в линейных детекторах и преобразователях сигнала в широком динамическом диапазоне на частотах до 400 МГц.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода приводится на корпусе.
Отрицательный вывод - со стороны кристалла.
Масса диода не более 0,035 г.
Тип корпуса: КД-1-2.
Технические условия: аА0.339.156 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д419А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 15 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 10 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 400 мГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,4 В при Inp 1 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 10 мкА при Uoбp 15 В;
• Сд - Общая емкость: 1,5 пФ
421.97 руб
Диоды 2Д419Б кремниевые с барьером Шотки.
Предназначены для применения в линейных детекторах и преобразователях сигнала в широком динамическом диапазоне на частотах до 400 МГц.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода приводится на корпусе.
Отрицательный вывод - со стороны кристалла.
Масса диода не более 0,035 г.
Тип корпуса: КД-1-2.
Технические условия: аА0.339.156 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д419Б:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 30 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 10 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 400 мГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,4 В при Inp 1 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 10 мкА при Uoбp 30 В;
• Сд - Общая емкость: 1,5 пФ
584.10 руб
Диоды 2Д419В кремниевые с барьером Шотки.
Предназначены для применения в линейных детекторах и преобразователях сигнала в широком динамическом диапазоне на частотах до 400 МГц.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода приводится на корпусе.
Отрицательный вывод - со стороны кристалла.
Масса диода не более 0,035 г.
Тип корпуса: КД-1-2.
Технические условия: аА0.339.156 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д419В:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 10 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 400 мГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,4 В при Inp 1 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 10 мкА при Uoбp 50 В;
• Сд - Общая емкость: 1,5 пФ
861.40 руб
Диод 2Д420А кремниевый со структурой p-i-n, коммутационный.
Предназначен для коммутации высокочастотных сигналов в диапазоне частот 30...300 МГц.
Выпускается в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединений электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,25 г.
Тип корпуса: КД-4-1.
Технические условия: аА0.339.173 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д420А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 24 В;
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 35 В;
• Iпр ср max - Максимальный средний прямой ток: 0,05 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 0,5 А;
• Сд - Общая емкость: 1 пФ
767.00 руб
Диоды 2Д503А кремниевые, эпитаксиальные, импульсные.
Предназначены для применения в качестве переключающих элементов в импульсных быстродействующих устройствах наносекундного диапазона.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,3 г.
Тип корпуса: КД-121.
Технические условия: ТТЗ.362.045 ТУ, ПО.070.052 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д503А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 30 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 20 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 350 мГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 10 мкА при Uoбp 30 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,01 мкс;
• Сд - Общая емкость: 5 пФ
Диоды 2Д503Б кремниевые, эпитаксиальные, импульсные.
Предназначены для применения в качестве переключающих элементов в импульсных быстродействующих устройствах наносекундного диапазона.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,3 г.
Тип корпуса: КД-121.
Технические условия: ТТЗ.362.045 ТУ, ПО.070.052 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д503Б:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 30 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 20 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 350 мГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 10 мкА при Uoбp 30 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,01 мкс;
• Сд - Общая емкость: 2,5 пФ
Диоды 2Д504А кремниевые, эпитаксиальные, импульсные.
Предназначены для ограничения и модуляции импульсных сигналов.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,7 г.
Технические условия: ТТ3.362.045 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д504А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 40 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 300 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,2 В при Inp 100 мА;
• Сд - Общая емкость: 20 пФ
Диоды 2Д509А кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Маркируются условным цветным кодом: одной широкой и одной узкой полосами синего цвета со стороны катодного вывода.
Масса диода не более 0,25 г.
Тип корпуса: КД-3.
Технические условия: ТТ3.362.077 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д509А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 100 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,1 В при Inp 0,1 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 5 мкА при Uoбp 50 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,004 мкс;
• Сд - Общая емкость: 4 пФ
Диоды 2Д510А кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Маркируются условным цветным кодом: одной широкой и одной узкой полосами зеленого цвета со стороны катодного вывода.
Масса диода не более 0,15 г.
Тип корпуса: КД-2.
Технические условия: ТТ3.362.096 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д510А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 200 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,1 В при Inp 0,2 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 5 мкА при Uoбp 50 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,004 мкс;
• Сд - Общая емкость: 4 пФ
Диоды 2Д520А кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Полярность диода обозначается желтой точкой на корпусе вблизи положительного (анодного) вывода.
Тип диода приводится на дополнительной таре.
Масса диода не более 0,035 г.
Тип корпуса: КД-1-2.
Технические условия: аА0.339.163 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д520А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 15 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 20 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 20 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1 мкА при Uoбp 15 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,004 мкс;
• Сд - Общая емкость: 3 пФ
2Д522Б
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Для обозначения типа и полярности диодов используются условная маркировка черными кольцевыми полосами на корпусе со стороны положительного (анодного) вывода:
   - КД522А - одной широкой и одной узкой полосой;
   - КД522А - одной широкой и двумя узкими;
   - КД522В - одной широкой и тремя узкими.
Масса диода не более 0,15 г.
Тип корпуса: КД-2.
Технические условия: дР3.362.029-01 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д522Б:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 100 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,1 В при Inp 100 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 5 мкА при Uoбp 50 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,004 мкс;
• Сд - Общая емкость: 4 пФ
Выводить по: 20


ООО Компания "Электроника и связь" ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 ЕКПС Вооруженных Сил РФ - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ ISO 9001-2011, ГОСТ РВ 0015-002-2012, СРПП ВТ.