+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Диоды высокочастотные и импульсные

Цены приведены с учетом НДС

КД417А
Диоды кремниевые, эпитаксиальные.
Предназначены для применения в качестве высокочастотных резистивных элементов.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода обозначается белой точкой со стороны положительного вывода.
Масса диода не более 0,035 г.
Тип корпуса: КД-1.

Основные технические характеристики диода КД417А:
• Максимальное постоянное обратное напряжение: 24 В;
• Максимальный импульсный прямой ток: 20 мА;
• fРабочая частота диода: 100 мГц;
• Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 20 мА;
• Общая емкость: 0,4 пФ;
• Средняя рассеиваемая мощность ...... 20 мВт;
• Дифференциальное сопротивление ...... не более 25 0м;
• Температура окружающей среды ...... -40...+85 °С
Диоды КД419Б кремниевые с барьером Шотки.
Предназначены для применения в линейных детекторах и преобразователях сигнала в широком динамическом диапазоне на частотах до 400 МГц.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода приводится на корпусе.
Отрицательный вывод - со стороны кристалла.
Масса диода не более 0,035 г.
Тип корпуса: КД-1-2.
Технические условия: аА0.336.181 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД419Б:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 30 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 10 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 400 мГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,4 В при Inp 1 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 10 мкА при Uoбp 30 В;
• Сд - Общая емкость: 1,5 пФ
Диоды КД419В кремниевые с барьером Шотки.
Предназначены для применения в линейных детекторах и преобразователях сигнала в широком динамическом диапазоне на частотах до 400 МГц.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода приводится на корпусе.
Отрицательный вывод - со стороны кристалла.
Масса диода не более 0,035 г.
Тип корпуса: КД-1-2.
Технические условия: аА0.336.181 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД419В:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 10 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 400 мГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,4 В при Inp 1 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 10 мкА при Uoбp 50 В;
• Сд - Общая емкость: 1,5 пФ
КД424А
Диод КД424А кремниевый, диффузионный, импульсный.
Предназначен для применения в импульсных схемах.
Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода обозначается на корпусе продольной чертой красного цвета.
Масса диода не более 0,15 г.
Технические условия: аА0.336.740 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД424А:
• Максимальное допустимое обратное напряжение ...... 250 В
• Максимальный постоянный прямой ток ...... 350 мА
• Максимальная рабочая частота ...... 10 МГц
• Время восстановления ...... 1000 мкс
Диоды КД503А кремниевые, эпитаксиальные, импульсные.
Предназначены для применения в качестве переключающих элементов в импульсных быстродействующих устройствах наносекундного диапазона.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,3 г.
Тип корпуса: КД-121.  
Технические условия: ТТ3.362.088 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД503А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 30 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 20 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 350 мГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 10 мкА при Uoбp 30 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,01 мкс;
• Сд - Общая емкость: 5 пФ
Диоды КД503Б кремниевые, эпитаксиальные, импульсные.
Предназначены для применения в качестве переключающих элементов в импульсных быстродействующих устройствах наносекундного диапазона.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,3 г.
Тип корпуса: КД-121.  
Технические условия: ТТ3.362.088 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД503Б:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 30 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 20 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 350 мГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 10 мкА при Uoбp 30 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,01 мкс;
• Сд - Общая емкость: 2,5 пФ
Диоды КД509А кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Маркируются условным цветным кодом: одной широкой и одной узкой полосами синего цвета со стороны катодного вывода.
Масса диода не более 0,25 г.
Тип корпуса: КД-3.
Технические условия: ТТ3.362.099 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД509А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 100 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,1 В при Inp 0,1 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 5 мкА при Uoбp 50 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,004 мкс;
• Сд - Общая емкость: 4 пФ
Диоды КД510А кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Маркируются условным цветным кодом: одной широкой и одной узкой полосами зеленого цвета со стороны катодного вывода.
Масса диода не более 0,15 г.
Тип корпуса: КД-2.
Технические условия: ТТЗ.362.100 ТУ/02.

Основные технические характеристики диода КД510А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 200 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,1 В при Inp 0,2 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 5 мкА при Uoбp 50 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,004 мкс;
• Сд - Общая емкость: 4 пФ
Диод КД512А кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный.
Предназначен для применения в импульсных устройствах наносекундного диапазона.
Выпускается в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,3 г.
Тип корпуса: КД-121.
Технические условия: ТТ3.362.107 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД512А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 15 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 20 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 5 мкА при Uoбp 15 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,001 мкс;
• Сд - Общая емкость: 1 пФ
Диод КД512Б кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный.
Предназначен для применения в импульсных устройствах наносекундного диапазона.
Выпускается в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,3 г.
Тип корпуса: КД-121.
Технические условия: ТТ3.362.107 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД512Б:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 20 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 20 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 5 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 5 мкА при Uoбp 15 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,001 мкс;
• Сд - Общая емкость: 1,2 пФ
Диод КД513А кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный.
Предназначен для применения в импульсных устройствах наносекундного диапазона.
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,11 г.
Тип корпуса: КД-14.
Технические условия: ДР3.362.010 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД513А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 100 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,1 В при Inp 100 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 5 мкА при Uoбp 50 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,004 мкс;
• Сд - Общая емкость: 4 пФ
Диод КД514А кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный.
Предназначен для применения в импульсных устройствах.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,35 г.
Тип корпуса: КД-121.
Технические условия: ТТ3.362.124 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД514А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 10 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 10 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 5 мкА при Uoбp 6 В;
• Сд - Общая емкость: 0,9 пФ
КД521А
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Для обозначения типа и полярности диодов используется условная маркировка: одна широкая и две узкие цветные полоски на корпусе со стороны положительного (анодного) вывода:
   - КД521А - полосы синие;
   - КД521Б - серые;
   - КД521В - желтые;
   - КД521Г - белые;
   - КД521Д - зеленые.
Масса диода не более 0,15 г.
Тип корпуса: КД-2.
Технические условия: дР3.362.035 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД521А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 75 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 50 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 50 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1 мкА при Uoбp 75 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,004 мкс;
• Сд - Общая емкость: 4 пФ
КД521В
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Для обозначения типа и полярности диодов используется условная маркировка: одна широкая и две узкие цветные полоски на корпусе со стороны положительного (анодного) вывода:
   - КД521А - полосы синие;
   - КД521Б - серые;
   - КД521В - желтые;
   - КД521Г - белые;
   - КД521Д - зеленые.
Масса диода не более 0,15 г.
Тип корпуса: КД-2.
Технические условия: дР3.362.035 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД521В:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 50 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 50 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1 мкА при Uoбp 50 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,004 мкс;
• Сд - Общая емкость: 4 пФ
КД521Г
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Для обозначения типа и полярности диодов используется условная маркировка: одна широкая и две узкие цветные полоски на корпусе со стороны положительного (анодного) вывода:
   - КД521А - полосы синие;
   - КД521Б - серые;
   - КД521В - желтые;
   - КД521Г - белые;
   - КД521Д - зеленые.
Масса диода не более 0,15 г.
Тип корпуса: КД-2.
Технические условия: дР3.362.035 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД521Г:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 305 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 50 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 50 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1 мкА при Uoбp 30 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,004 мкс;
• Сд - Общая емкость: 4 пФ
КД522А
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Для обозначения типа и полярности диодов используются условная маркировка черными кольцевыми полосами на корпусе со стороны положительного (анодного) вывода:
   - КД522А - одной широкой и одной узкой полосой;
   - КД522А - одной широкой и двумя узкими;
   - КД522В - одной широкой и тремя узкими.
Масса диода не более 0,15 г.
Тип корпуса: КД-2.
Технические условия: дР3.362.029 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД522А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 30 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 100 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,1 В при Inp 100 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 2 мкА при Uoбp 30 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,004 мкс;
• Сд - Общая емкость: 4 пФ
КД522Б
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Для обозначения типа и полярности диодов используются условная маркировка черными кольцевыми полосами на корпусе со стороны положительного (анодного) вывода:
   - КД522А - одной широкой и одной узкой полосой;
   - КД522А - одной широкой и двумя узкими;
   - КД522В - одной широкой и тремя узкими.
Масса диода не более 0,15 г.
Тип корпуса: КД-2.
Технические условия: дР3.362.029 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД522Б:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 100 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,1 В при Inp 100 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 2 мкА при Uoбp 50 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,004 мкс;
• Сд - Общая емкость: 4 пФ
КД522В
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Для обозначения типа и полярности диодов используются условная маркировка черными кольцевыми полосами на корпусе со стороны положительного (анодного) вывода:
   - КД522А - одной широкой и одной узкой полосой;
   - КД522А - одной широкой и двумя узкими;
   - КД522В - одной широкой и тремя узкими.
Масса диода не более 0,15 г.
Тип корпуса: КД-2.
Технические условия: дР3.362.029 ТУ.
КД524А
Диоды кремниевые, эпитаксиальные, с накоплением заряда, импульсные.
Предназначены для формирования импульсов субнано-секундного диапазона.
Выпускаются в металлокерамнческом корпусе с жесткими выводами.
Положительный (анодный) вывод расположен со стороны крышки диаметром 3,7 мм.
Для обозначения типа используется условная маркировка - цветная точка на керамической втулке:
   - 2Д524А - черная;
   - 2Д524Б - зеленая;
   - 2Д524В - желтая.
Масса диода не более 0,21 г.
Технические условия: аА0.336.056 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД524А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 24 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 40 мА;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 400 мА;
• Сд - Общая емкость: 3 пФ;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 40 мА
КД922А
Диоды кремниевые, планарные, с барьером Шотки.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных устройствах, а также в устройствах преобразования переменного напряжения в диапазоне частот 50 Гц...1000 МГц.
Для схем, требующих малого разброса параметров диодов, диоды 2Д922А, 2Д922Б, КД922А, КД922Б могут поставляться в комплекте из двух (обозначение при заказе 2Д922АР, 2Д922БР, КД922АР, КД922БР) или четырех (обозначение при заказе 2Д922АГ, 2Д922БГ, КД922АГ, КД922БГ) диодов, подобранных по прямому напряжению и общей емкости.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются одной цветной точкой у положительного вывода:
   - 2Д922А - белой;
   - 2Д922Б - зеленой;
   - 2Д922В - желтой;
   - КД922А - красной;
   - КД922Б - синей;
   - КД922В - оранжевой.
Подобранные в пары и четверки диоды (2Д922АР, 2Д922БР, 2Д922АГ, КД922БГ, КД922АР, КД922БР, КД922АГ, КД922БГ) имеют дополнительную упаковку внутри групповой тары.
Масса диода не более 0,035 г.
Тип корпуса: КД-1.
Технические условия: аА0.336.711 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД922А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 18 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 50 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 10 МГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 50 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 0,5 мкА при Uoбp 15 В;
• Сд - Общая емкость: 1 пФ
Выводить по: 20


Мы рекомендуем:



ООО Компания "Электроника и связь" ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 ЕКПС Вооруженных Сил РФ - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ ISO 9001-2011, ГОСТ РВ 0015-002-2012, СРПП ВТ.