+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Диоды высокочастотные и импульсные

Цены приведены с учетом НДС

2Д922БР
Диоды кремниевые, планарные, с барьером Шотки.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных устройствах, а также в устройствах преобразования переменного напряжения в диапазоне частот 50 Гц...1000 МГц.
Для схем, требующих малого разброса параметров диодов, диоды 2Д922А, 2Д922Б, КД922А, КД922Б могут поставляться в комплекте из двух (обозначение при заказе 2Д922АР, 2Д922БР, КД922АР, КД922БР) или четырех (обозначение при заказе 2Д922АГ, 2Д922БГ, КД922АГ, КД922БГ) диодов, подобранных по прямому напряжению и общей емкости.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются одной цветной точкой у положительного вывода:
   - 2Д922А - белой;
   - 2Д922Б - зеленой;
   - 2Д922В - желтой;
   - КД922А - красной;
   - КД922Б - синей;
   - КД922В - оранжевой.
Подобранные в пары и четверки диоды (2Д922АР, 2Д922БР, 2Д922АГ, КД922БГ, КД922АР, КД922БР, КД922АГ, КД922БГ) имеют дополнительную упаковку внутри групповой тары.
Масса диода не более 0,035 г.
Тип корпуса: КД-1.
Технические условия: аА0.339.254 ТУ, ПО.070.052 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д922БР:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 21 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 35 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 10 МГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 35 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 0,5 мкА при Uoбp 15 В;
• Сд - Общая емкость: 1 пФ
2Д922Б
Диоды кремниевые, планарные, с барьером Шотки.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных устройствах, а также в устройствах преобразования переменного напряжения в диапазоне частот 50 Гц...1000 МГц.
Для схем, требующих малого разброса параметров диодов, диоды 2Д922А, 2Д922Б, КД922А, КД922Б могут поставляться в комплекте из двух (обозначение при заказе 2Д922АР, 2Д922БР, КД922АР, КД922БР) или четырех (обозначение при заказе 2Д922АГ, 2Д922БГ, КД922АГ, КД922БГ) диодов, подобранных по прямому напряжению и общей емкости.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются одной цветной точкой у положительного вывода:
   - 2Д922А - белой;
   - 2Д922Б - зеленой;
   - 2Д922В - желтой;
   - КД922А - красной;
   - КД922Б - синей;
   - КД922В - оранжевой.
Подобранные в пары и четверки диоды (2Д922АР, 2Д922БР, 2Д922АГ, КД922БГ, КД922АР, КД922БР, КД922АГ, КД922БГ) имеют дополнительную упаковку внутри групповой тары.
Масса диода не более 0,035 г.
Тип корпуса: КД-1.
Технические условия: аА0.339.254 ТУ, ПО.070.052 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д922Б:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 21 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 35 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 10 МГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 35 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 0,5 мкА при Uoбp 15 В;
• Сд - Общая емкость: 1 пФ
210.04 руб
2Д922АР
Диоды кремниевые, планарные, с барьером Шотки.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных устройствах, а также в устройствах преобразования переменного напряжения в диапазоне частот 50 Гц...1000 МГц.
Для схем, требующих малого разброса параметров диодов, диоды 2Д922А, 2Д922Б, КД922А, КД922Б могут поставляться в комплекте из двух (обозначение при заказе 2Д922АР, 2Д922БР, КД922АР, КД922БР) или четырех (обозначение при заказе 2Д922АГ, 2Д922БГ, КД922АГ, КД922БГ) диодов, подобранных по прямому напряжению и общей емкости.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются одной цветной точкой у положительного вывода:
   - 2Д922А - белой;
   - 2Д922Б - зеленой;
   - 2Д922В - желтой;
   - КД922А - красной;
   - КД922Б - синей;
   - КД922В - оранжевой.
Подобранные в пары и четверки диоды (2Д922АР, 2Д922БР, 2Д922АГ, КД922БГ, КД922АР, КД922БР, КД922АГ, КД922БГ) имеют дополнительную упаковку внутри групповой тары.
Масса диода не более 0,035 г.
Тип корпуса: КД-1.
Технические условия: аА0.339.254 ТУ, ПО.070.052 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д922АР:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 18 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 50 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 10 МГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 50 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 0,5 мкА при Uoбp 15 В;
• Сд - Общая емкость: 1 пФ
2Д922АГ
Диоды кремниевые, планарные, с барьером Шотки.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных устройствах, а также в устройствах преобразования переменного напряжения в диапазоне частот 50 Гц...1000 МГц.
Для схем, требующих малого разброса параметров диодов, диоды 2Д922А, 2Д922Б, КД922А, КД922Б могут поставляться в комплекте из двух (обозначение при заказе 2Д922АР, 2Д922БР, КД922АР, КД922БР) или четырех (обозначение при заказе 2Д922АГ, 2Д922БГ, КД922АГ, КД922БГ) диодов, подобранных по прямому напряжению и общей емкости.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются одной цветной точкой у положительного вывода:
   - 2Д922А - белой;
   - 2Д922Б - зеленой;
   - 2Д922В - желтой;
   - КД922А - красной;
   - КД922Б - синей;
   - КД922В - оранжевой.
Подобранные в пары и четверки диоды (2Д922АР, 2Д922БР, 2Д922АГ, КД922БГ, КД922АР, КД922БР, КД922АГ, КД922БГ) имеют дополнительную упаковку внутри групповой тары.
Масса диода не более 0,035 г.
Тип корпуса: КД-1.
Технические условия: аА0.339.254 ТУ, ПО.070.052 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д922АГ:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 18 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 50 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 10 МГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 50 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 0,5 мкА при Uoбp 15 В;
• Сд - Общая емкость: 1 пФ
1 011.26 руб
2Д922А
Диоды кремниевые, планарные, с барьером Шотки.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных устройствах, а также в устройствах преобразования переменного напряжения в диапазоне частот 50 Гц...1000 МГц.
Для схем, требующих малого разброса параметров диодов, диоды 2Д922А, 2Д922Б, КД922А, КД922Б могут поставляться в комплекте из двух (обозначение при заказе 2Д922АР, 2Д922БР, КД922АР, КД922БР) или четырех (обозначение при заказе 2Д922АГ, 2Д922БГ, КД922АГ, КД922БГ) диодов, подобранных по прямому напряжению и общей емкости.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются одной цветной точкой у положительного вывода:
   - 2Д922А - белой;
   - 2Д922Б - зеленой;
   - 2Д922В - желтой;
   - КД922А - красной;
   - КД922Б - синей;
   - КД922В - оранжевой.
Подобранные в пары и четверки диоды (2Д922АР, 2Д922БР, 2Д922АГ, КД922БГ, КД922АР, КД922БР, КД922АГ, КД922БГ) имеют дополнительную упаковку внутри групповой тары.
Масса диода не более 0,035 г.
Тип корпуса: КД-1.
Технические условия: аА0.339.254 ТУ, ПО.070.052 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д922А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 18 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 50 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 10 МГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 50 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 0,5 мкА при Uoбp 15 В;
• Сд - Общая емкость: 1 пФ
342.20 руб
2Д708А
Диоды полупроводниковые СВЧ импульсные.
Предназначены для использования в быстродействующих импульсных и выпрямительных схемах радиотехнических и электронных устройств.
2Д708А маркируется белым кольцом со стороны катода.
2Д708Б маркируется синим кольцом со стороны катода.

Основные технические характеристики диода 2Д708А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 200 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 1 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 5 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,2 В при Inp 1 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 5 мкА при Uoбp 60 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,01 мкс;
• Сд - Общая емкость: 20 пФ
130.98 руб
Диоды 2Д630Б кремниевые, мезаэпитаксиально-планарные, с накоплением заряда, импульсные.
Предназначены для формирования импульсов субнаносекундного диапазона.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.
Положительный (анодный) вывод расположен со стороны крышки диаметра 3,7 мм.
Для обозначения типа используется условная маркировка - желтая точка на керамической втулке корпуса.
Масса диода не более 0,3 г.
Технические условия: аА0.339.339 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д630Б:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 100 мА;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 200 мА;
• Сд - Общая емкость: 5,5 пФ;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,2 В при Inp 30 мА
383.50 руб
Диоды 2Д630А кремниевые, мезаэпитаксиально-планарные, с накоплением заряда, импульсные.
Предназначены для формирования импульсов субнаносекундного диапазона.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.
Положительный (анодный) вывод расположен со стороны крышки диаметра 3,7 мм.
Для обозначения типа используется условная маркировка - желтая точка на керамической втулке корпуса.
Масса диода не более 0,3 г.
Технические условия: аА0.339.339 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д630А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 65 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 100 мА;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 200 мА;
• Сд - Общая емкость: 5,5 пФ;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,2 В при Inp 30 мА
451.94 руб
Диоды 2Д528В кремниевые, эпитаксиальные, с накоплением заряда, импульсные.
Предназначены для формирования импульсов с длительностью фронтов пикосекундного диапазона в измерительной аппаратуре.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.
Положительный (анодный) вывод расположен со стороны более широкого металлического ободка на цилиндрической поверхности корпуса.
Тип диода приводится на упаковочной карте в индивидуальной таре.
Масса диода не более 0,1 г.
Технические условия: аА0.339.207 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д528В:
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 12 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 15 мА;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 200 мА;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 6 нс;
• Сд - Общая емкость: 1 пФ при Uoбp 6 В;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 мА
246.62 руб
Диоды 2Д528А кремниевые, эпитаксиальные, с накоплением заряда, импульсные.
Предназначены для формирования импульсов с длительностью фронтов пикосекундного диапазона в измерительной аппаратуре.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.
Положительный (анодный) вывод расположен со стороны более широкого металлического ободка на цилиндрической поверхности корпуса.
Тип диода приводится на упаковочной карте в индивидуальной таре.
Масса диода не более 0,1 г.
Технические условия: аА0.339.207 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д528А:
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 12 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 15 мА;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 200 мА;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 10 нс;
• Сд - Общая емкость: 0,85 пФ при Uoбp 6 В;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 мА
246.62 руб
2Д522Б
Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Для обозначения типа и полярности диодов используются условная маркировка черными кольцевыми полосами на корпусе со стороны положительного (анодного) вывода:
   - КД522А - одной широкой и одной узкой полосой;
   - КД522А - одной широкой и двумя узкими;
   - КД522В - одной широкой и тремя узкими.
Масса диода не более 0,15 г.
Тип корпуса: КД-2.
Технические условия: дР3.362.029-01 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д522Б:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 100 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,1 В при Inp 100 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 5 мкА при Uoбp 50 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,004 мкс;
• Сд - Общая емкость: 4 пФ
Диоды 2Д520А кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Полярность диода обозначается желтой точкой на корпусе вблизи положительного (анодного) вывода.
Тип диода приводится на дополнительной таре.
Масса диода не более 0,035 г.
Тип корпуса: КД-1-2.
Технические условия: аА0.339.163 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д520А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 15 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 20 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 20 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1 мкА при Uoбp 15 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,004 мкс;
• Сд - Общая емкость: 3 пФ
Диоды 2Д510А кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Маркируются условным цветным кодом: одной широкой и одной узкой полосами зеленого цвета со стороны катодного вывода.
Масса диода не более 0,15 г.
Тип корпуса: КД-2.
Технические условия: ТТ3.362.096 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д510А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 200 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,1 В при Inp 0,2 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 5 мкА при Uoбp 50 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,004 мкс;
• Сд - Общая емкость: 4 пФ
Диоды 2Д509А кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Маркируются условным цветным кодом: одной широкой и одной узкой полосами синего цвета со стороны катодного вывода.
Масса диода не более 0,25 г.
Тип корпуса: КД-3.
Технические условия: ТТ3.362.077 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д509А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 100 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,1 В при Inp 0,1 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 5 мкА при Uoбp 50 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,004 мкс;
• Сд - Общая емкость: 4 пФ
Диоды 2Д504А кремниевые, эпитаксиальные, импульсные.
Предназначены для ограничения и модуляции импульсных сигналов.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,7 г.
Технические условия: ТТ3.362.045 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д504А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 40 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 300 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,2 В при Inp 100 мА;
• Сд - Общая емкость: 20 пФ
Диоды 2Д503Б кремниевые, эпитаксиальные, импульсные.
Предназначены для применения в качестве переключающих элементов в импульсных быстродействующих устройствах наносекундного диапазона.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,3 г.
Тип корпуса: КД-121.
Технические условия: ТТЗ.362.045 ТУ, ПО.070.052 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д503Б:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 30 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 20 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 350 мГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 10 мкА при Uoбp 30 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,01 мкс;
• Сд - Общая емкость: 2,5 пФ
Диоды 2Д503А кремниевые, эпитаксиальные, импульсные.
Предназначены для применения в качестве переключающих элементов в импульсных быстродействующих устройствах наносекундного диапазона.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,3 г.
Тип корпуса: КД-121.
Технические условия: ТТЗ.362.045 ТУ, ПО.070.052 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д503А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 30 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 20 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 350 мГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 10 мкА при Uoбp 30 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,01 мкс;
• Сд - Общая емкость: 5 пФ
Диод 2Д420А кремниевый со структурой p-i-n, коммутационный.
Предназначен для коммутации высокочастотных сигналов в диапазоне частот 30...300 МГц.
Выпускается в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединений электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,25 г.
Тип корпуса: КД-4-1.
Технические условия: аА0.339.173 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д420А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 24 В;
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 35 В;
• Iпр ср max - Максимальный средний прямой ток: 0,05 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 0,5 А;
• Сд - Общая емкость: 1 пФ
843.70 руб
Диоды 2Д419В кремниевые с барьером Шотки.
Предназначены для применения в линейных детекторах и преобразователях сигнала в широком динамическом диапазоне на частотах до 400 МГц.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода приводится на корпусе.
Отрицательный вывод - со стороны кристалла.
Масса диода не более 0,035 г.
Тип корпуса: КД-1-2.
Технические условия: аА0.339.156 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д419В:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 10 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 400 мГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,4 В при Inp 1 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 10 мкА при Uoбp 50 В;
• Сд - Общая емкость: 1,5 пФ
947.54 руб
Диоды 2Д419Б кремниевые с барьером Шотки.
Предназначены для применения в линейных детекторах и преобразователях сигнала в широком динамическом диапазоне на частотах до 400 МГц.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода приводится на корпусе.
Отрицательный вывод - со стороны кристалла.
Масса диода не более 0,035 г.
Тип корпуса: КД-1-2.
Технические условия: аА0.339.156 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д419Б:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 30 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 10 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 400 мГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,4 В при Inp 1 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 10 мкА при Uoбp 30 В;
• Сд - Общая емкость: 1,5 пФ
643.10 руб
Выводить по: 20




Технические характеристики, параметры, маркировка:



ООО Компания "Электроника и связь" ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 ЕКПС Вооруженных Сил РФ - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ ISO 9001-2011, ГОСТ РВ 0015-002-2012, СРПП ВТ.