+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Диодные сборки и матрицы

Цены приведены с учетом НДС

Диодная сборка КД271ЕС кремниевая, эпитаксиальная, с барьером Шоттки.
Предназначена для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.
Тип корпуса: КТ-28-2.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Технические условия: АДБК.432120.382 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД271ЕС:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 200 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,9 В при Inp 10 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 2000 мкА при Uoбp 200 В;
• Сд - Общая емкость: 500 пФ
Диодные сборки КД272ВС кремниевые, эпитаксиальные, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.
Тип корпуса: КТ-28-2.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Технические условия: АДБК.432120.384 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД272ВС:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 75 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 15 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 1000 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 09 В при Inp 15 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1000 мкА при Uoбp 75 В;
• Сд - Общая емкость: 500 пФ
Диодные сборки КД272ГС кремниевые, эпитаксиальные, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.
Тип корпуса: КТ-28-2.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Технические условия: АДБК.432120.384 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД272ГС:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 15 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 800 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,85 В при Inp 15 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1000 мкА при Uoбp 100 В;
• Сд - Общая емкость: 500 пФ
Диодные сборки КД272ЕС кремниевые, эпитаксиальные, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.
Тип корпуса: КТ-28-2.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Технические условия: АДБК.432120.384 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД272ЕС:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 200 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 15 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,9 В при Inp 15 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 2000 мкА при Uoбp 200 В;
• Сд - Общая емкость: 500 пФ
КД273АС
Диод КД273АС кремниевый, эпитаксиальный, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Тип корпуса: КТ-28-2.
Технические условия: АДБК.432120.385ТУ.

Основные технические характеристики диода КД273АС:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 25 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 20 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 1800 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,7 В при Inp 20 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1 мА;
• Сд - Общая емкость: 500 пФ
КД273ВС
Диод КД273ВС кремниевый, эпитаксиальный, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Тип корпуса: КТ-28-2.
Технические условия: АДБК.432120.385ТУ.

Основные технические характеристики диода КД273ВС:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 75 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 20 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 1400 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,9 В при Inp 20 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1 мА;
• Сд - Общая емкость: 500 пФ
КД273ДС
Диод КД273ДС кремниевый, эпитаксиальный, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Тип корпуса: КТ-28-2.
Технические условия: АДБК.432120.385ТУ.

Основные технические характеристики диода КД273ДС:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 150 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 20 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,05 В при Inp 20 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1 мА;
• Сд - Общая емкость: 500 пФ
КД273ЕС
Диод КД273ЕС кремниевый, эпитаксиальный, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в мощных выпрямителях на высоких частотах переключения, в импульсных источниках питания, преобразователях напряжения.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Тип корпуса: КТ-28-2.
Технические условия: АДБК.432120.385ТУ.

Основные технические характеристики диода КД273ЕС:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 200 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 20 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,15 В при Inp 20 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 2 мА;
• Сд - Общая емкость: 500 пФ
КД629АС-9
Кремниевые импульсные эпитаксиально-планарные наборы двух последовательно соединенных диодов.
КД629АС-9 предназначены для применения в качестве элементов в гибридных микросхемах.
Обозначение технических условий: аАО.336.601 ТУ/02.
Корпусное исполнение: пластмассовый корпус КТ-46А (SOT-23).

Основные технические характеристики диода КД629АС-9:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 90 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 200 мА;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 800 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 200 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 0,1 мкА при Uoбp 90 В;
• Сд - Общая емкость: 35 пФ
КД636АС
Кремниевые эпитаксиальные с барьером Шоттки выпрямительные диодные сборки, состоящие из двух элементов с объединенным катодом.
КД636АС предназначены для работы в источниках питания различного назначения радиоэлектронной аппаратуры.
Корпусное исполнение: ТО-220 (КТ-28-2).
Технические условия: АДБК.432120.604 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД636АС:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 60 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 15 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 50 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1000 мкА при Uoбp 60 В
КД636БС
Кремниевые эпитаксиальные с барьером Шоттки выпрямительные диодные сборки, состоящие из двух элементов с объединенным катодом.
КД636БС предназначены для работы в источниках питания различного назначения радиоэлектронной аппаратуры.
Корпусное исполнение: ТО-220 (КТ-28-2).
Технические условия: АДБК.432120.604 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД636БС:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 120 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 15 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 50 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,1 В при Inp 10 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1000 мкА при Uoбp 120 В
КД636ВС
Кремниевые эпитаксиальные с барьером Шоттки выпрямительные диодные сборки, состоящие из двух элементов с объединенным катодом.
КД636ВС предназначены для работы в источниках питания различного назначения радиоэлектронной аппаратуры.
Корпусное исполнение: ТО-220 (КТ-28-2).
Технические условия: АДБК.432120.604 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД636ВС:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 200 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 15 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 50 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,2 В при Inp 10 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1000 мкА при Uoбp 200 В
КД637ГС
Кремниевые эпитаксиальные с барьером Шоттки выпрямительные диодные сборки, состоящие из двух элементов с объединенным катодом.
КД637ГС предназначены для работы в источниках питания различного назначения радиоэлектронной аппаратуры.
Корпусное исполнение: ТО-218.
Технические условия: АДБК.432120.612 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД637ГС:
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 400 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 25 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 200 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,4 В при Inp 25 А
КД637ДС
Кремниевые эпитаксиальные с барьером Шоттки выпрямительные диодные сборки, состоящие из двух элементов с объединенным катодом.
КД637ДС предназначены для работы в источниках питания различного назначения радиоэлектронной аппаратуры.
Корпусное исполнение: ТО-218.
Технические условия: АДБК.432120.612 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД637ДС:
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 600 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 25 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 200 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,5 В при Inp 25 А
КД637ЕС
Кремниевые эпитаксиальные с барьером Шоттки выпрямительные диодные сборки, состоящие из двух элементов с объединенным катодом.
КД637ЕС предназначены для работы в источниках питания различного назначения радиоэлектронной аппаратуры.
Корпусное исполнение: ТО-218.
Технические условия: АДБК.432120.612 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД637ЕС:
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 800 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 25 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 200 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,6 В при Inp 25 А
КД638АС
Кремниевые эпитаксиальные с барьером Шоттки выпрямительные диодные сборки, состоящие из двух элементов с объединенным катодом.
КД638АС предназначены для работы в источниках питания различного назначения радиоэлектронной аппаратуры.
Корпусное исполнение: пластмассовый корпус КТ-28 с жесткими пластинчатыми выводами.
Масса прибора - не более 2.5 г.

Основные технические характеристики диода КД638АС:
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 30 нс;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,96 В при Inp 5 А
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 5 мА при Uoбp 30 В;
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 30 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 5 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 10 А;
КД638БС
Кремниевые эпитаксиальные с барьером Шоттки выпрямительные диодные сборки, состоящие из двух элементов с объединенным катодом.
КД638БС предназначены для работы в источниках питания различного назначения радиоэлектронной аппаратуры.
Корпусное исполнение: пластмассовый корпус КТ-28 с жесткими пластинчатыми выводами.
Масса прибора - не более 2.5 г.

Основные технические характеристики диода КД638БС:
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 5 А
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 5 мА при Uoбp 60 В;
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 60 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 5 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 10 А;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 30 нс;
КД638ВС
Кремниевые эпитаксиальные с барьером Шоттки выпрямительные диодные сборки, состоящие из двух элементов с объединенным катодом.
КД638ВС предназначены для работы в источниках питания различного назначения радиоэлектронной аппаратуры.
Корпусное исполнение: пластмассовый корпус КТ-28 с жесткими пластинчатыми выводами.
Масса прибора - не более 2.5 г.

Основные технические характеристики диода КД638ВС:
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,05 В при Inp 5 А
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 5 мА при Uoбp 90 В;
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 90 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 5 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 10 А;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 30 нс;
КД642АС
Кремниевые эпитаксиально-планарные выпрямительные диодные сборки, состоящие из двух диодов с общим анодом.
КД642АС предназначены для работы в источниках питания различного назначения радиоэлектронной аппаратуры.
Корпусное исполнение: пластмассовый корпус КТ-28-2 (ТО-220AB).
Обозначение технических условий: АДБК.432120.880 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД642АС:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 200 В;
• Iпр ср max - Максимальный средний прямой ток: 2х10 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,2 В при Inp 10 А
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 55 нс
Сборка диодная КД704АС-9 кремниевая эпитаксиально-планарная, импульсная, состоящая из двух диодов, с общим катодом.
Предназначена для использования в гибридных схемах с общей герметизацией и негерметичных объемах с дополнительным покрытием лаком или компаундом.
Обозначение технических условий: АДКБ.432120.318 ТУ
Корпусное исполнение: пластмассовый корпус КТ-46А (SOT-23).

Основные технические характеристики диода КД704АС-9:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 70 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 100 мА;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 500 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,3 В при Inp 100 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 3 мкА при Uoбp 70 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 45 мкс;
• Сд - Общая емкость: 1,5 пФ
Выводить по: 20


Мы рекомендуем:



ООО Компания "Электроника и связь" ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 ЕКПС Вооруженных Сил РФ - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ ISO 9001-2011, ГОСТ РВ 0015-002-2012, СРПП ВТ.