+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Диодные сборки и матрицы

Цены приведены с учетом НДС

Сборка диодная КД706АС-9 кремниевая эпитаксиально-планарная, импульсная, состоящая из двух диодов.
Предназначена для использования в гибридных схемах с общей герметизацией и негерметичных объемах с дополнительным покрытием лаком или компаундом.
Корпусное исполнение: пластмассовый корпус КТ-46А (SOT-23).

Основные технические характеристики диода КД706АС-9:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 70 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 100 мА;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 1500 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 100 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 2,5 мкА при Uoбp 70 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 2,5 нс;
• Сд - Общая емкость: 2,4 пФ
КД707АС-9
Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные наборы двух последовательно соединенных диодов в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-46, требующие дополнительных мер индивидуальной или общей в составе аппаратуры защиты от воздействия климатических и биологических факторов.
КД707АС-9 предназначены для работы в аппаратуре специального назначения.

Основные технические характеристики диода КД707АС-9:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 70 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 100 мА;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 1500 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 100 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 2,5 мкА при Uoбp 70 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 2 нс;
• Сд - Общая емкость: 1,8 пФ
КД803АС-9
Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные наборы двух диодов.
КД803АС-9 предназначены для использования в быстродействующих импульсных схемах радиотехнических и электронных устройств.
Тип корпуса: КД-46А.

Основные технические характеристики диода КД803АС-9:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 200 мА;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 1500 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,1 В при Inp 0,2 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1 мкА при Uoбp 50 В;
• Сд - Общая емкость: 4 пФ
КД906А
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов.
Предназначены для применения в качестве выпрямительного моста (матрицы КД906А, КД906Б, КД906В - при включении в схему выводами: 3, 4 - вход, 1, 2 - выход) или резервированного диодного элемента (матрицы КД906А, КД906Б, КД906В - при включении в схему любой из следующих пар выводов: 1 и 2, 1 и 3, 1 и 4, 3 и 2, 4 и 2, а также матрицы КД906Г, КД906Д, КД906Е - при включении в схему выводами 1, 2 и 3, 4.)
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип матрицы КД906А-КД906Е приводится на корпусе.
У четвертого вывода матриц наносится белая полоса.
Масса матрицы не более 0,6 г.
Технические условия: ТТ3.362.126 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД906А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 75 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 100 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 100 кГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 50 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 2 мкА при Uoбp 75 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 1 мкс;
• Сд - Общая емкость: 20 пФ
КД906Б
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов.
Предназначены для применения в качестве выпрямительного моста (матрицы КД906А, КД906Б, КД906В - при включении в схему выводами: 3, 4 - вход, 1, 2 - выход) или резервированного диодного элемента (матрицы КД906А, КД906Б, КД906В - при включении в схему любой из следующих пар выводов: 1 и 2, 1 и 3, 1 и 4, 3 и 2, 4 и 2, а также матрицы КД906Г, КД906Д, КД906Е - при включении в схему выводами 1, 2 и 3, 4.)
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип матрицы КД906А-КД906Е приводится на корпусе.
У четвертого вывода матриц наносится белая полоса.
Масса матрицы не более 0,6 г.
Технические условия: ТТ3.362.126 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД906Б:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 100 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 100 кГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 50 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 2 мкА при Uoбp 50 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 1 мкс;
• Сд - Общая емкость: 20 пФ
КД906В
Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов.
Предназначены для применения в качестве выпрямительного моста (матрицы КД906А, КД906Б, КД906В - при включении в схему выводами: 3, 4 - вход, 1, 2 - выход) или резервированного диодного элемента (матрицы КД906А, КД906Б, КД906В - при включении в схему любой из следующих пар выводов: 1 и 2, 1 и 3, 1 и 4, 3 и 2, 4 и 2, а также матрицы КД906Г, КД906Д, КД906Е - при включении в схему выводами 1, 2 и 3, 4.)
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип матрицы КД906А-КД906Е приводится на корпусе.
У четвертого вывода матриц наносится белая полоса.
Масса матрицы не более 0,6 г.
Технические условия: ТТ3.362.126 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД906В:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 30 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 100 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 100 кГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 50 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 2 мкА при Uoбp 30 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 1 мкс;
• Сд - Общая емкость: 20 пФ
КД908АМ
Диодные матрицы, состоящие из восьми кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов, с общим катодом.
Предназначены для применения в импульсных быстродействующих переключающих схемах.
Выпускаются в металлостеклянных (2Д908А, КД908А) и металлокерамических (2Д908А1, КД908АМ) корпусах с гибкими выводами.
Тип прибора приводится на корпусе.
Вывод 1 матриц 2Д908А1, КД908АМ маркируется точкой.
Масса матрицы не более 0,63 г.

Основные технические характеристики диода КД908АМ:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 40 В;
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 60 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 200 мА;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 1,5 А;
• fд - Рабочая частота диода: 10 МГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,2 В при Inp 200 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1 мкА при Uoбp 40 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 20 мкс;
• Сд - Общая емкость: 5 пФ
КД917АМ
Диодные матрицы, состоящие из восьми кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов, с общим анодом.
Предназначены для применения в импульсных быстродействующих переключающих схемах.
Выпускаются в металлостеклянных (2Д917А, КД917А) и металлокерамических (2Д917А-1, КД917АМ) корпусах с гибкими выводами.
Тип прибора приводится на корпусе.
Масса матрицы не более 0,63 г.
Технические условия: аА0.336.351 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД917АМ:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 40 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 200 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,2 В при Inp 200 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1 мкА при Uoбp 40 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 10 нс;
• Сд - Общая емкость: 6 пФ
КДС111А
Диодная сборка, состоящая каждая из двух диодов, включенных с общим катодом.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Технические условия: 3.362.145 ТУ.

Основные технические характеристики диода КДС111А:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 300 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 200 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 20 кГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,2 В при Inp 100 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 3 мкА при Uoбp 300 В
КДС111Б
Диодная сборка, состоящая каждая из двух диодов, включенных с общим катодом.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Технические условия: 3.362.145 ТУ.

Основные технические характеристики диода КДС111Б:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 300 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 200 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 20 кГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,2 В при Inp 100 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 3 мкА при Uoбp 300 В
КДС111В
Диодная сборка, состоящая каждая из двух диодов, включенных с общим катодом.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Технические условия: 3.362.145 ТУ.

Основные технические характеристики диода КДС111В :
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 300 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 200 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 20 кГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,2 В при Inp 100 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 3 мкА при Uoбp 300 В
КДС523АМ
Диодные сборки, состоящие каждая из двух (КДС523А, КДС523Б, КДС523АМ, КДС523БМ) или четырех (КДС523В, КДС523Г, КДС523ВМ, КДС523ГМ) кремниевых, планарно-эпитаксиальных импульсных диодов, с раздельными выводами.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Сборки КДС523АМ, КДС523БМ, КДС523ВМ, КДС523ГМ выпускаются с индивидуальном стеклянной герметизацией каждого диода внутри корпуса.
Сборки КДС523А, КДС523АМ, КДС523В, КДС523ВМ имеют на корпусе обозначения КДС523 и маркируются одной цветной точкой.
Сборки КДС523Б, КДС523БМ, КДС523Г, КДС523ГМ имеют обозначение КДС523 без точки.
Начало маркировки (цифра 2 или буква К) соответствует стороне выводов отрицательной полярности.
Масса сборок:
   - КДС523А, КДС523Б, КДС523АМ, КДС523БМ не более 0,12 г.
   - КДС523В, КДС523Г, КДС523ВМ, КДС523ГМ не более 0,24 г.
Технические условия: аА0.336.009 ТУ.
КДС523БМ
Диодные сборки, состоящие каждая из двух (КДС523А, КДС523Б, КДС523АМ, КДС523БМ) или четырех (КДС523В, КДС523Г, КДС523ВМ, КДС523ГМ) кремниевых, планарно-эпитаксиальных импульсных диодов, с раздельными выводами.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Сборки КДС523АМ, КДС523БМ, КДС523ВМ, КДС523ГМ выпускаются с индивидуальном стеклянной герметизацией каждого диода внутри корпуса.
Сборки КДС523А, КДС523АМ, КДС523В, КДС523ВМ имеют на корпусе обозначения КДС523 и маркируются одной цветной точкой.
Сборки КДС523Б, КДС523БМ, КДС523Г, КДС523ГМ имеют обозначение КДС523 без точки.
Начало маркировки (цифра 2 или буква К) соответствует стороне выводов отрицательной полярности.
Масса сборок:
   - КДС523А, КДС523Б, КДС523АМ, КДС523БМ не более 0,12 г.
   - КДС523В, КДС523Г, КДС523ВМ, КДС523ГМ не более 0,24 г.
Технические условия: аА0.336.009 ТУ.

Основные технические характеристики диода КДС523БМ:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 50 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 20 мА;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 20 мА;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 5 мкА при Uoбp 50 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 4 нс;
• Сд - Общая емкость: 2 пФ
КДШ2968АС
Набор мощных кремниевых эпитаксиально-планарных диодов с барьером Шоттки.
Предназначены для работы в импульсных источниках питания, конверторах, устройствах заряда батарей.
технические условия: АДБК.432120.936 ТУ.
Изготавливаются в коpпусах КТ-28-2 (ТО-220AB).
КДШ2968ВС
Набор мощных кремниевых эпитаксиально-планарных диодов с барьером Шоттки.
Предназначены для работы в импульсных источниках питания, конверторах, устройствах заряда батарей.
технические условия: АДБК.432120.936 ТУ.
Изготавливаются в коpпусах КТ-28-2 (ТО-220AB).

Основные технические характеристики диода КДШ2968ВС:
• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,9 В при Inp 15А;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 2х15 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 2х15 А;
• Сд - Общая емкость: 900 пФ при Uoбp 5 В
Выводить по: 20


Мы рекомендуем:



ООО Компания "Электроника и связь" ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 ЕКПС Вооруженных Сил РФ - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ ISO 9001-2011, ГОСТ РВ 0015-002-2012, СРПП ВТ.