КТ208Е
Транзисторы КТ208Е кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, высокочастотные, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.
Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-7 (TO-18).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приемка «1» - АБДК.432140.949ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: BCY90, BCY91, BCY92, TCH98, 2N4008.
Основные технические характеристики транзистора КТ208Е:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 150 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА (20В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 20... 240;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: 1,3 Ом
Характеристики транзисторов КТ208А, КТ208Б, КТ208В, КТ208Г, КТ208Д, КТ208Е, КТ208Ж, КТ208И, КТ208К, КТ208Л, КТ208М:
Тип
транзистора
|
Структура
|
Предельные значения параметров при Тп=25°С
|
Значения параметров при Тп=25°С
|
TП
max
|
Т
max
|
IК
max
|
IК. И.
max
|
UКЭR max
(UКЭ0 max)
|
UКБ0 max
|
UЭБ0 max
|
РК max
|
h21Э
|
UКЭ
нас.
|
IКБО
|
IЭБО
|
f гp.
|
КШ
|
СК
|
СЭ
|
|
мА
|
мА
|
В
|
В
|
В
|
мВт
|
|
В
|
мкА
|
мкА
|
МГц
|
дБ
|
пФ
|
пФ
|
°С
|
°С
|
|
КТ208А
|
p-n-p
|
150
|
300
|
20
|
20
|
20
|
200
|
20…60
|
0,4
|
1
|
1
|
>5
|
-
|
50
|
100
|
150
|
-60…+125
|
|
КТ208Б
|
p-n-p
|
150
|
300
|
20
|
20
|
20
|
200
|
40…120
|
0,4
|
1
|
1
|
>5
|
-
|
50
|
100
|
150
|
-60…+125
|
|
КТ208В
|
p-n-p
|
150
|
300
|
20
|
20
|
20
|
200
|
20…240
|
0,4
|
1
|
1
|
>5
|
4
|
50
|
100
|
150
|
-60…+125
|
|
КТ208Г
|
p-n-p
|
150
|
300
|
30
|
30
|
20
|
200
|
20…60
|
0,4
|
1
|
1
|
>5
|
-
|
50
|
100
|
150
|
-60…+125
|
|
КТ208Д
|
p-n-p
|
150
|
300
|
30
|
30
|
20
|
200
|
40…120
|
0,4
|
1
|
1
|
>5
|
-
|
50
|
100
|
150
|
-60…+125
|
|
КТ208Е
|
p-n-p
|
150
|
300
|
30
|
30
|
10
|
200
|
20…240
|
0,4
|
1
|
1
|
>5
|
4
|
50
|
100
|
150
|
-60…+125
|
|
КТ208Ж
|
p-n-p
|
150
|
300
|
45
|
45
|
10
|
200
|
20…60
|
0,4
|
1
|
1
|
>5
|
-
|
50
|
100
|
150
|
-60…+125
|
|
КТ208И
|
p-n-p
|
150
|
300
|
45
|
45
|
20
|
200
|
40…120
|
0,4
|
1
|
1
|
>5
|
-
|
50
|
100
|
150
|
-60…+125
|
|
КТ208К
|
p-n-p
|
150
|
300
|
45
|
45
|
20
|
200
|
20…240
|
0,4
|
1
|
1
|
>5
|
4
|
50
|
100
|
150
|
-60…+125
|
|
КТ208Л
|
p-n-p
|
150
|
300
|
60
|
60
|
20
|
200
|
20…60
|
0,4
|
1
|
1
|
>5
|
-
|
50
|
100
|
150
|
-60…+125
|
|
КТ208М
|
p-n-p
|
150
|
300
|
60
|
60
|
20
|
200
|
40…120
|
0,4
|
1
|
1
|
>5
|
-
|
50
|
100
|
150
|
-60…+125
|
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
•
IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
•
IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
•
UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
•
UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
•
UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
•
UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
•
РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
•
h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
•
UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
•
IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
•
IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
•
f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
•
КШ - коэффициент шума транзистора.
•
СК - емкость коллекторного перехода.
•
СЭ - емкость коллекторного перехода.
•
ТП max - максимально допустимая температура перехода.
•
Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
