КТ201ВМ
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с ненормированным КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ГМ и нормированным КТ201ДМ коэффициентом шума на частоте 1 кГц.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип транзистора указывается на боковой поверхности корпуса в виде сокращенного обозначения:
- КТ201АМ - 201А,
- КТ201БМ - 201Б,
- КТ201ВМ - 201В,
- КТ201ГМ - 201Г,
- КТ201ДМ - 201Д.
Масса транзистора не более 0,6 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приемка «1» СБ0.336.040ТУ.
Импортный аналог: MPS9600.
Технические характеристики транзисторов КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ:
Тип
транзистора
|
Структура
|
Предельные значения параметров при Тп=25°С
|
Значения параметров при Тп=25°С
|
TП
max
|
Т
max
|
IК
max
|
IК. И.
max
|
UКЭR max
(UКЭ0 max)
|
UКБ0 max
|
UЭБ0 max
|
РК max
|
h21Э
|
UКЭ
нас.
|
IКБО
|
IЭБО
|
f гp.
|
КШ
|
СК
|
СЭ
|
|
мА
|
мА
|
В
|
В
|
В
|
мВт
|
|
В
|
мкА
|
мкА
|
МГц
|
дБ
|
пФ
|
пФ
|
°С
|
°С
|
|
КТ201АМ
|
n-p-n
|
20
|
100
|
20
|
20
|
20
|
150
|
20…60
|
-
|
0,5
|
3
|
>10
|
-
|
20
|
-
|
-
|
-45…+85
|
|
КТ201БМ
|
n-p-n
|
20
|
100
|
20
|
20
|
20
|
150
|
30…90
|
-
|
0,5
|
3
|
>10
|
-
|
20
|
-
|
-
|
-45…+85
|
|
КТ201ВМ
|
n-p-n
|
20
|
100
|
10
|
10
|
10
|
150
|
30…90
|
-
|
0,5
|
3
|
>10
|
-
|
20
|
-
|
-
|
-45…+85
|
|
КТ201ГМ
|
n-p-n
|
20
|
100
|
10
|
10
|
10
|
150
|
70…210
|
-
|
0,5
|
3
|
>10
|
-
|
20
|
-
|
-
|
-45…+85
|
|
КТ201ДМ
|
n-p-n
|
20
|
100
|
10
|
10
|
10
|
150
|
30…90
|
-
|
0,5
|
3
|
>10
|
15
|
20
|
-
|
-
|
-45…+85
|
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
•
IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
•
IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
•
UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
•
UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
•
UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
•
UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
•
РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
•
h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
•
UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
•
IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
•
IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
•
f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
•
КШ - коэффициент шума транзистора.
•
СК - емкость коллекторного перехода.
•
СЭ - емкость коллекторного перехода.
•
ТП max - максимально допустимая температура перехода.
•
Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
