КТ3130Б9
Транзисторы КТ3130Б9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих низкочастотных усилителей, в высокочастотных усилителях, генераторах, стабилизаторах напряжения герметизированной аппаратуры.
Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату.
Транзисторы маркируются цветной меткой на корпусе:
- КТ3130А9 - красной,
- КТ3130Б9 - желтой,
- КТ3130В9 - зеленой,
- КТ3130Г9 - голубой,
- КТ3130Д9 - синей,
- КТ3130Е9 - белой.
Тип прибора указывается в этикетке.
Тип корпуса: КТ-46А (SOT-23).
Масса транзистора не более 0,01 г
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приемка «1» - аА0.336.448ТУ/02.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: 2SC1622D6, 2SC1622D7, 2SD601A, BCF81, BCV72, BCW60B, BCW72, BCW81, BCX70H, MMBC1623L6, TMPT1623L4.
Основные технические характеристики транзистора КТ3130Б-9:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 150 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 200... 500;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 12 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц
Характеристики транзисторов КТ3130А9, КТ3130Б9, КТ3130В9, КТ3130Г9, КТ3130Д9, КТ3130Е9, КТ3130Ж9:
Тип
транзистора
|
Структура
|
Предельные значения параметров при Тп=25°С
|
Значения параметров при Тп=25°С
|
TП
max
|
Т
max
|
IК
max
|
IК. И.
max
|
UКЭR max
(UКЭ0 max)
|
UКБ0 max
|
UЭБ0 max
|
РК max
(РК. И. max)
|
h21Э,
(h21э)
|
UКЭ
нас.
|
IКБО
|
f гp.
(f h21)
|
КШ
|
СК
|
СЭ
|
|
мА
|
мА
|
В
|
В
|
В
|
мВт
|
|
В
|
мкА
|
МГц
|
дБ
|
пФ
|
пФ
|
°С
|
°С
|
|
КТ3130А9
|
n-p-n
|
100
|
-
|
40
|
50
|
5
|
200
|
100…250
|
0,2
|
0,1
|
150
|
10
|
12
|
-
|
125
|
-60…+85
|
|
КТ3130Б9
|
n-p-n
|
100
|
-
|
40
|
50
|
5
|
200
|
200...500
|
0,2
|
0,1
|
150
|
10
|
12
|
-
|
125
|
-60…+85
|
|
КТ3130В9
|
n-p-n
|
100
|
-
|
20
|
30
|
5
|
200
|
200...500
|
0,2
|
0,1
|
150
|
10
|
12
|
-
|
125
|
-60…+85
|
|
КТ3130Г9
|
n-p-n
|
100
|
-
|
15
|
20
|
5
|
200
|
400...1000
|
0,2
|
0,1
|
300
|
10
|
12
|
-
|
125
|
-60…+85
|
|
КТ3130Д9
|
n-p-n
|
100
|
-
|
20
|
30
|
5
|
200
|
200...500
|
0,2
|
0,1
|
150
|
4
|
12
|
-
|
125
|
-60…+85
|
|
КТ3130Е9
|
n-p-n
|
100
|
-
|
15
|
20
|
5
|
200
|
400...1000
|
0,2
|
0,1
|
300
|
4
|
12
|
-
|
125
|
-60…+85
|
|
КТ3130Ж9
|
n-p-n
|
100
|
-
|
25
|
30
|
5
|
100
|
100…500
|
0,2
|
0,1
|
150
|
4
|
12
|
-
|
125
|
-60…+85
|
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
•
IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
•
IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
•
UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
•
UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
•
UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
•
UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
•
РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
•
РК. И. max - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
•
h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
•
h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
•
UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
•
IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
•
f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
•
f h21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
•
КШ - коэффициент шума транзистора.
•
СК - емкость коллекторного перехода.
•
СЭ - емкость коллекторного перехода.
•
ТП max - максимально допустимая температура перехода.
•
Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
