+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Транзистор КТ501К

shadow

КТ501К


Купить:
68.40 руб
Цена с НДС
+ -
В корзину
КТ501К
Транзисторы КТ501К кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,6 г.
Тип корпуса: КТ-1-7 (TO-18).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.064ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: BCY54, TCH98B, 2SA539.

Основные технические характеристики транзистора КТ501К:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 350 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 45 В (10кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 80... 240;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,3 Ом

Характеристики транзисторов КТ501А, КТ501Б, КТ501В, КТ501Г, КТ501Д, КТ501Е, КТ501Ж, КТ501И, КТ501К, КТ501Л, КТ501М:

Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП
max
Т
max
IК
max
IК. И.
max
UКЭR max UКБ0 max UЭБ0 max РК max h21Э UКЭ
нас.
IКБО IЭБО IКЭR f гp. СК СЭ
А А В В В Вт В мкА мкА мкА МГц пФ пФ °С °С
КТ501А p-n-p 0,3 0,5 15 15 10 0,35 20…60 <0,4 - <1 <1 >5 <50 <100 150 -60…+125
КТ501Б p-n-p 0,3 0,5 15 15 10 0,35 40…120 <0,4 - <1 <1 >5 <50 <100 150 -60…+125
КТ501В p-n-p 0,3 0,5 15 15 10 0,35 80…240 <0,4 - <1 <1 >5 <50 <100 150 -60…+125
КТ501Г p-n-p 0,3 0,5 30 30 10 0,35 20…60 <0,4 - <1 <1 >5 <50 <100 150 -60…+125
КТ501Д p-n-p 0,3 0,5 30 30 10 0,35 40…120 <0,4 - <1 <1 >5 <50 <100 150 -60…+125
КТ501Е p-n-p 0,3 0,5 30 30 10 0,35 80…240 <0,4 - <1 <1 >5 <50 <100 150 -60…+125
КТ501Ж p-n-p 0,3 0,5 45 45 20 0,35 20…60 <0,4 - <1 <1 >5 <50 <100 150 -60…+125
КТ501И p-n-p 0,3 0,5 45 45 20 0,35 40…120 <0,4 - <1 <1 >5 <50 <100 150 -60…+125
КТ501К p-n-p 0,3 0,5 45 45 20 0,35 80…240 <0,4 - <1 <1 >5 <50 <100 150 -60…+125
КТ501Л p-n-p 0,3 0,5 60 60 20 0,35 20…60 <0,4 - <1 <1 >5 <50 <100 150 -60…+125
КТ501М p-n-p 0,3 0,5 60 60 20 0,35 40…120 <0,4 - <1 <1 >5 <50 <100 150 -60…+125

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
СК - емкость коллекторного перехода.
СЭ - емкость коллекторного перехода.
ТП max - максимально допустимая температура перехода.
Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.

Характеристики, параметры, схема, описание:

КТ501К

Технические характеристики; Datasheet: Скачать PDF файл

shadow

Справочник, характеристики, параметры, маркировка, цоколевка:



ООО Компания "Электроника и связь" - квалифицированный поставщик электронных компонентов и оборудования ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 ЕКПС Вооруженных Сил РФ - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ Р ИСО 9001-2015, ГОСТ РВ 0015-002-2012, СРПП ВТ.


Лучшие цены
Сравните цены - купите лучшее
Мы гарантируем качество поставляемой продукции и выполнение обязательств по поставке.
Гарантия 100%
Лучшие цены, сроки поставки
24 года успешной работы
Купить радиодетали в одном месте и и оформить доставку
Доставка в кратчайшие сроки
ы можете получить купленные электрорадиоизделия всего через несколько дней после оплаты
Быстрый и дружественный сервис