КТ502Е
Транзисторы КТ502Е кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, средней мощности.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным, графическим или цветовым кодом на корпусе транзистора.
На боковой поверхности корпуса наносится условная маркировка - точка жёлтого цвета, а на торце корпуса цветовая метка:
- для КТ502А - тёмно-красная;
- для КТ502Б - жёлтая;
- для КТ502В - тёмно-зелёная;
- для КТ502Г - голубая;
- для КТ502Д - синяя;
- для КТ502Е - белая.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приемка «1» аА0.336.182ТУ.
Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: BSS68, BF397.
Технические характеристики транзисторов КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е:
Тип
транзистора
|
Структура
|
Предельные значения параметров при Тп=25°С
|
Значения параметров при Тп=25°С
|
TП
max
|
Т
max
|
IК
max
|
IК. И.
max
|
UКЭR max
|
UКБ0 max
|
UЭБ0 max
|
РК max
|
h21Э
|
UКЭ
нас.
|
IКБО
|
IЭБО
|
IКЭR
|
f гp.
|
СК
|
СЭ
|
|
А
|
А
|
В
|
В
|
В
|
Вт
|
|
В
|
мкА
|
мкА
|
мкА
|
МГц
|
пФ
|
пФ
|
°С
|
°С
|
|
КТ502А
|
p-n-p
|
0,15
|
0,35
|
25
|
40
|
5
|
0,35
|
40...120
|
<0,6
|
<1
|
-
|
-
|
>5
|
<50
|
-
|
125
|
-40…+85
|
|
КТ502Б
|
p-n-p
|
0,15
|
0,35
|
25
|
40
|
5
|
0,35
|
80...240
|
<0,6
|
<1
|
-
|
-
|
>5
|
<50
|
-
|
125
|
-40…+85
|
|
КТ502В
|
p-n-p
|
0,15
|
0,35
|
40
|
60
|
5
|
0,35
|
40...120
|
<0,6
|
<1
|
-
|
-
|
>5
|
<50
|
-
|
125
|
-40…+85
|
|
КТ502Г
|
p-n-p
|
0,15
|
0,35
|
40
|
60
|
5
|
0,35
|
80...240
|
<0,6
|
<1
|
-
|
-
|
>5
|
<50
|
-
|
125
|
-40…+85
|
|
КТ502Д
|
p-n-p
|
0,15
|
0,35
|
60
|
80
|
5
|
0,35
|
40...120
|
<0,6
|
<1
|
-
|
-
|
>5
|
<50
|
-
|
125
|
-40…+85
|
|
КТ502Е
|
p-n-p
|
0,15
|
0,35
|
80
|
90
|
5
|
0,35
|
40...120
|
<0,6
|
<1
|
-
|
-
|
>5
|
<50
|
-
|
125
|
-40…+85
|
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
•
IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
•
IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
•
UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
•
UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
•
UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
•
UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
•
РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
•
РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
•
h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
•
UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
•
IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
•
IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
•
IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
•
f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
•
СК - емкость коллекторного перехода.
•
СЭ - емкость коллекторного перехода.
•
ТП max - максимально допустимая температура перехода.
•
Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
