КТ603Б
Транзисторы КТ603Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих высокочастотных устройствах.
Используются в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 1,75 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «5.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приемка «1» -И93.365.005ТУ.
Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: 2N2237, 2N5188, BSW36, 2SC796, 2SC594, PET8006.
Основные технические характеристики транзистора КТ603Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 30 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 600 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 60;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 7 Ом
Характеристики транзисторов КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е, КТ603И:
Тип
транзистора
|
Структура
|
Предельные значения параметров при Тп=25°С
|
Значения параметров при Тп=25°С
|
TП
max
|
Т
max
|
IК
max
|
IК. И.
max
|
UКЭR max
(UКЭ0 max)
|
UКБ0 max
|
UЭБ0 max
|
РК max
(РК. Т. max)
|
h21Э
|
UКЭ
нас.
|
IКБО
|
IЭБО
|
IКЭR
|
f гp.
|
СК
|
СЭ
|
|
мА
|
мА
|
В
|
В
|
В
|
Вт
|
|
В
|
мкА
|
мкА
|
мкА
|
МГц
|
пФ
|
пФ
|
°С
|
°С
|
|
КТ603А
|
n-p-n
|
300
|
600
|
30
|
30
|
3
|
0,5
|
10…80
|
<1
|
<10
|
<3
|
-
|
>200
|
<15
|
<40
|
120
|
-40…+85
|
|
КТ603Б
|
n-p-n
|
300
|
600
|
30
|
30
|
3
|
0,5
|
>60
|
<1
|
<10
|
<3
|
-
|
>200
|
<15
|
<40
|
120
|
-40…+85
|
|
КТ603В
|
n-p-n
|
300
|
600
|
15
|
15
|
3
|
0,5
|
10…80
|
<1
|
<5
|
<3
|
-
|
>200
|
<15
|
<40
|
120
|
-40…+85
|
|
КТ603Г
|
n-p-n
|
300
|
600
|
15
|
15
|
3
|
0,5
|
>60
|
<1
|
<5
|
<3
|
-
|
>200
|
<15
|
<40
|
120
|
-40…+85
|
|
КТ603Д
|
n-p-n
|
300
|
600
|
10
|
10
|
3
|
0,5
|
20…80
|
<1
|
<1
|
<3
|
-
|
>200
|
<15
|
<40
|
120
|
-40…+85
|
|
КТ603Е
|
n-p-n
|
300
|
600
|
10
|
10
|
3
|
0,5
|
60…200
|
<1
|
<1
|
<3
|
-
|
>200
|
<15
|
<40
|
120
|
-40…+85
|
|
КТ603И
|
n-p-n
|
300
|
600
|
30
|
30
|
3
|
0,5
|
>20
|
<1
|
<10
|
<3
|
-
|
>200
|
<15
|
<40
|
120
|
-40…+85
|
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
•
IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
•
IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
•
UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
•
UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
•
UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
•
UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
•
РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
•
РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
•
h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
•
UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
•
IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
•
IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
•
IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
•
f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
•
СК - емкость коллекторного перехода.
•
СЭ - емкость коллекторного перехода.
•
ТП max - максимально допустимая температура перехода.
•
Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
