КТ872А
Транзисторы КТ872А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в оконечных каскадах строчной развертки телевизоров.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 6,0 г.
Тип корпуса: КТ-43-2 (ТО-218).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приемка «1» - аА0.336.681ТУ/02.
Импортный аналог: NTE2300, NTE2318, BU2508AF, BU2508A, BU2508D, BU2508DF, ECG2300, ECG2318, BU508DR, SK9476.
Основные технические характеристики транзистора КТ872А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 7 МГц;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 6 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 15 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (1500В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 6;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 125 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,22 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 7500 нс
Технические характеристики транзисторов КТ872А, КТ872Б, КТ872В, КТ872Г:
Тип
транзистора
|
Структура
|
Предельные значения параметров при Тп=25°С
|
Значения параметров при Тп=25°С
|
TП
max
|
Т
max
|
IК
max
|
IК. И.
max
|
UКЭ0 max
|
UКБ0 max
|
UЭБ0 max
|
РК. Т. max
|
h21Э
|
UКЭ
нас.
|
IКБО
|
IЭБО
|
IКЭR
|
f гp.
|
СК
|
СЭ
|
А
|
А
|
В
|
В
|
В
|
Вт
|
|
В
|
мА
|
мА
|
мА
|
МГц
|
пФ
|
пФ
|
°С
|
°С
|
КТ872А
|
n-p-n
|
8
|
15
|
700
|
-
|
6
|
100
|
>6
|
<1
|
<1
|
<10
|
<1
|
-
|
125
|
-
|
150
|
-60…+125
|
КТ872Б
|
n-p-n
|
8
|
15
|
700
|
-
|
6
|
100
|
>6
|
<5
|
<1
|
<10
|
<1
|
-
|
125
|
-
|
150
|
-60…+125
|
КТ872В
|
n-p-n
|
8
|
15
|
600
|
-
|
6
|
100
|
>6
|
<1
|
<1
|
<150
|
<1
|
-
|
125
|
-
|
150
|
-60…+125
|
КТ872Г
|
n-p-n
|
8
|
15
|
700
|
-
|
6
|
100
|
>6
|
<1
|
<1
|
<10
|
<1
|
-
|
125
|
-
|
150
|
-60…+125
|
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
•
IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
•
IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
•
UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
•
UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
•
UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
•
UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
•
РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
•
РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
•
h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
•
UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
•
IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
•
IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
•
IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
•
f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
•
СК - емкость коллекторного перехода.
•
СЭ - емкость коллекторного перехода.
•
ТП max - максимально допустимая температура перехода.
•
Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.