КТ902А
Транзистор КТ902А кремниевый мезапланарный n-p-n переключательный, высокочастотный, мощный.
Предназначен для применения в схемах высокочастотных усилителей мощности в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТЮ-3-20.
Масса транзистора не более 22,0 г, с накидным фланцем - не более 34,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «3.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приемка «1» - И93.365.009ТУ.
Импортный аналог: BD121, BD123, 2SC101A, 2SD68.
Основные технические характеристики транзистора КТ902А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 35 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 65 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мА (70В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 300 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 20 Вт на частоте 10 МГц
• tвыкл - Время выключения:: не более 450 нс
Технические характеристики транзисторов КТ902А:
Тип
транзистора
|
Структура
|
Предельные значения параметров при Тп=25°С
|
Значения параметров при Тп=25°С
|
TП
max
|
Т
max
|
IК
max
|
IК. И.
max
|
UКЭR max
|
UКБ0 max
|
UЭБ0 max
|
UПИТ max
|
РК. Т. max
|
h21Э
|
UКЭ
нас.
|
IКЭR
|
IКБО
|
f гp.
|
PВЫХ
|
КУР
|
|
А
|
А
|
В
|
В
|
В
|
В
|
Вт
|
|
В
|
мА
|
мА
|
МГц
|
Вт
|
|
°С
|
°С
|
|
КТ902А
|
n-p-n
|
5
|
-
|
110 имп.
|
65
|
5
|
28
|
30
|
>15
|
<2
|
<60
|
<10
|
>35
|
>20
|
>7
|
150
|
-60…+125
|
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
•
IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
•
IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
•
UКЭR max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи база-эмиттер.
•
UКЭ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю.
•
UКБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю.
•
UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
•
UПИТ max - максимально допустимое напряжение питания.
•
РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
•
РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
•
h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
•
UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
•
IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
•
IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
•
f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
•
PВЫХ - выходная мощность транзистора.
•
КУР - коэффициент усиления по мощности транзистора.
•
ТП max - максимально допустимая температура перехода.
•
Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
