КТ908Б
Транзисторы КТ908Б кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в стабилизаторах и преобразователях напряжения, импульсных модуляторах.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТЮ-3-20.
Масса транзистора без накидного фланца не более 22,0 г.
Масса накидного фланца не более 12,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1», «3.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приемка «1» - ГЕ3.365.012ТУ.
Импортный аналог: BUX77, 2N3878, 2N3879, 2N4301, 2N5202, 2SD47, BDY92, 2N1900.
Основные технические характеристики транзистора КТ908Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 30 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (0,25кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 50 мА (60В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 700 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 2600 нс
Технические характеристики транзисторов 2Т908А, КТ908А, КТ908Б:
Тип
транзистора
|
Структура
|
Предельные значения параметров при Тп=25°С
|
Значения параметров при Тп=25°С
|
TП
max
|
Т
max
|
IК
max
|
IК. И.
max
|
UКЭR max
|
UКБ0 max
|
UЭБ0 max
|
UПИТ max
|
РК. Т. max
|
h21Э
|
UКЭ
нас.
|
IКЭR
|
IКБО
|
f гp.
|
PВЫХ
|
КУР
|
|
А
|
А
|
В
|
В
|
В
|
В
|
Вт
|
|
В
|
мА
|
мА
|
МГц
|
Вт
|
|
°С
|
°С
|
|
2Т908А
|
n-p-n
|
10
|
-
|
100
|
140
|
5
|
-
|
50
|
8…60
|
<1,5
|
<25
|
-
|
>50
|
-
|
-
|
150
|
-60…+125
|
|
КТ908А
|
n-p-n
|
10
|
-
|
100
|
140
|
5
|
-
|
50
|
8…60
|
<1,5
|
<25
|
-
|
>30
|
-
|
-
|
150
|
-60…+125
|
|
КТ908Б
|
n-p-n
|
10
|
-
|
60
|
140
|
5
|
-
|
50
|
>20
|
<1,0
|
>50
|
-
|
>30
|
-
|
-
|
150
|
-60…+125
|
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
•
IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
•
IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
•
UКЭR max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи база-эмиттер.
•
UКЭ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю.
•
UКБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю.
•
UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
•
UПИТ max - максимально допустимое напряжение питания.
•
РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
•
РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
•
h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
•
UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
•
IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
•
IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
•
f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
•
PВЫХ - выходная мощность транзистора.
•
КУР - коэффициент усиления по мощности транзистора.
•
ТП max - максимально допустимая температура перехода.
•
Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
