КТ934В
Транзисторы СВЧ КТ934В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В.
Используются для работы в стационарной и бортовой аппаратуре средств радиосвязи общего назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 4,5 г.
Тип корпуса: КТ-17.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «3».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приемка «1» - аА0.336.203ТУ.
Импортный аналог: 2N5637, 2N6204, C25-28, BLY92A, 2SC2033.
Основные технические характеристики транзистора КТ934В:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 500 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 30 мА (60В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 50;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 32 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,5 Ом;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 3 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 25 Вт на частоте 400 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс
Технические характеристики транзисторов КТ934А, КТ934Б, КТ934В, КТ934Г, КТ934Д:
Тип
транзистора
|
Структура
|
Предельные значения параметров при Тп=25°С
|
Значения параметров при Тп=25°С
|
TП
max
|
Т
max
|
IК
max
|
IК. И.
max
|
UКЭR max
(UКЭ0 max)
|
UКБ0 max
|
UЭБ0 max
|
UПИТ max
|
РК. СР. max
(РК. Т. max)
|
h21Э
|
UКЭ
нас.
|
IКЭR
|
IЭБО
|
f гp.
|
PВЫХ
|
КУР
|
|
А
|
А
|
В
|
В
|
В
|
В
|
Вт
|
|
В
|
мА
|
мА
|
ГГц
|
Вт
|
дБ
|
°С
|
°С
|
|
КТ934А
|
n-p-n
|
0,5
|
-
|
60
|
-
|
4
|
28
|
7,5
|
5…150
|
-
|
<7,5
|
<7,5
|
>0,5
|
>3
|
>6
|
160
|
-40…+85
|
|
КТ934Б
|
n-p-n
|
1
|
-
|
60
|
-
|
4
|
28
|
15
|
5…150
|
-
|
<15
|
<7,5
|
>0,5
|
>12
|
>4
|
160
|
-40…+85
|
|
КТ934В
|
n-p-n
|
2
|
-
|
60
|
-
|
4
|
28
|
30
|
5…150
|
-
|
<30
|
<7,5
|
>0,5
|
>25
|
>3
|
160
|
-40…+85
|
|
КТ934Г
|
n-p-n
|
1
|
-
|
60
|
-
|
4
|
28
|
15
|
-
|
-
|
<15
|
<8
|
>0,45
|
>10
|
>3,3
|
160
|
-40…+85
|
|
КТ934Д
|
n-p-n
|
2
|
-
|
60
|
-
|
4
|
28
|
30
|
-
|
-
|
<30
|
<8
|
>0,45
|
>20
|
>2,4
|
160
|
-40…+85
|
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
•
IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
•
IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
•
UКЭR max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи база-эмиттер.
•
UКЭ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю.
•
UКБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю.
•
UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
•
UПИТ max - максимально допустимое напряжение питания.
•
РК.СР. max - максимально допустимая средняя мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
•
РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
•
h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
•
UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
•
IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
•
IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
•
IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
•
f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
•
PВЫХ - выходная мощность транзистора.
•
КУР - коэффициент усиления по мощности транзистора.
•
ТП max - максимально допустимая температура перехода.
•
Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
