2П303Д
Транзисторы 2П303Д кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты 2П303Д, 2П303Е, 2П303И и низкой 2П303А, 2П303Б, 2П303В частот с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы 2П303Г в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
- приёмка «5» - Ц23.365.003ТУ.
Зарубежный аналог: 2N3823, SMP5103, TMPF5103, TP5103.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Минимальная наработка - 80000 часов в режимах и условиях, допускаемых ТУ.
Наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2П303Д:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 8 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА;
• Iс нач - Начальный ток стока: 3...9 мА;
• S - Крутизна характеристики: не менее 2,6 мА/В;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4 дБ на частоте 100 МГц
Характеристики полевых транзисторов c p-n переходом и каналом n-типа
2П303А, 2П303Б, 2П303В, 2П303Г, 2П303Д, 2П303Е, 2П303И:
Тип
полевого транзистора
|
Р МАКС
|
f МАКС
|
Предельные значения параметров при Т=25°С
|
Значения параметров при Т=25°С
|
Т ОКР
|
|
UСИ МАКС
|
UЗС МАКС
|
UЗИ МАКС
|
IС МАКС
|
UЗИ ОТС
|
g22И
|
IЗ УТ
|
S
|
IС НАЧ
|
C11И
|
C12И
|
КШ
|
|
мВт
|
МГц
|
В
|
В
|
В
|
мА
|
В
|
мкСм
|
нА
|
мА/В
|
мА
|
пФ
|
пФ
|
дБ
|
°С
|
|
2П303А
|
200
|
-
|
25
|
30
|
30
|
20
|
0,5…3
|
-
|
<1
|
1…4
|
0,5…2
|
<6
|
<2
|
-
|
-60…+125
|
|
2П303Б
|
200
|
-
|
25
|
30
|
30
|
20
|
0,5…3
|
-
|
<1
|
1…4
|
0,5…2
|
<6
|
<2
|
-
|
-60…+125
|
|
2П303В
|
200
|
-
|
25
|
30
|
30
|
20
|
1…4
|
-
|
<1
|
2…5
|
1,5…5
|
<6
|
<2
|
-
|
-60…+125
|
|
2П303Г
|
200
|
-
|
25
|
30
|
30
|
20
|
<8
|
-
|
<0,1
|
3…7
|
3…12
|
<6
|
<2
|
-
|
-60…+125
|
|
2П303Д
|
200
|
-
|
25
|
30
|
30
|
20
|
<8
|
-
|
<1
|
>2,6
|
3…9
|
<6
|
<2
|
<4
|
-60…+125
|
|
2П303Е
|
200
|
-
|
25
|
30
|
30
|
20
|
<8
|
-
|
<1
|
>4
|
5…20
|
<6
|
<2
|
<4
|
-60…+125
|
|
2П303И
|
200
|
-
|
25
|
30
|
30
|
20
|
1…3
|
-
|
<1
|
2...6
|
1,5…5
|
<6
|
<2
|
<4
|
-60…+125
|
Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов:
•
Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора.
•
f МАКС - максимально допустимая рабочая частота полевого транзистора.
•
UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток.
•
UЗС МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-сток.
•
UЗИ МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-исток.
•
IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора.
•
UЗИ ОТС - напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
•
g22И - активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком.
•
IЗ УТ - ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.
•
S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
•
IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения.
•
C11И - входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком.
•
C12И - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
•
КШ - коэффициент шума транзистора.
•
Т ОКР - температура окружающей среды.
