МП14Б
Транзисторы МП14Б германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные.
Предназначены для усиления малых сигналов низкой частоты, усиления, переключения, формирования импульсов, применения в ферриттранзисторных ячейках.
Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС».
Технические условия: СБ0.336.007ТУ1.
Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления.
Основные технические характеристики транзистора МП14Б:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 30 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 200 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 30...60;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ
Технические характеристики транзисторов МП14, МП14А, МП14Б:
|
Тип транзистора
|
Структура
|
Предельные значения параметров при Тп=25°С
|
Значения параметров при Тп=25°С
|
|
IК. макс.
|
IК. и. макс.
|
UКЭR гр.
(UКЭО макс.)
|
UЭБО макс.
|
РК. макс.
(РК.и. макс)
|
h21Э
(h21э)
|
UКБ
(UКЭ)
|
IЭ
(IК)
|
UКЭ нас.
|
IКБО
|
fгp.
(fh21)
|
|
мА
|
мА
|
В
|
В
|
мВт
|
|
В
|
мА
|
В
|
мкА
|
МГц
|
|
МП14
|
p-n-p
|
20
|
150
|
15
|
15
|
150
|
20...40
|
5
|
1
|
-
|
200
|
1
|
|
МП14А
|
p-n-p
|
20
|
150
|
30
|
30
|
150
|
20...40
|
5
|
1
|
-
|
200
|
1
|
|
МП14Б
|
p-n-p
|
20
|
150
|
30
|
30
|
150
|
30...60
|
5
|
1
|
-
|
200
|
1
|
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
•
Iк. макс - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
•
Iк. и. макс - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
•
UкэR. макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер транзистора.
•
Uкэо. макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.
•
Uэбо. макс - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
•
Рк. макс - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
•
Рк. и. макс - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
•
h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
•
h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
•
Uкб - напряжение коллектор-база транзистора.
•
UкэR. макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер транзистора.
•
Iэ - ток эмиттера транзистора.
•
Iк - постоянный ток коллектора транзистора.
•
Uкэ. нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
•
Iкбо - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
•
fгр- граничная частота коэффициента передачи тока.
•
fh21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
