Технические характеристики транзисторов П308М:
Тип транзистора
|
Структура
|
Предельные значения параметров при Тп=25°С
|
Значения параметров при Тп=25°С
|
IК. макс.
|
IК. и. макс.
|
UКБО макс.
|
UКЭR макс.
|
UЭБО макс.
|
РК. макс
|
h21э
|
UКБ
|
IЭ
|
UКЭ нас.
|
IКБО
|
fгp.
|
мА
|
мА
|
В
|
В
|
В
|
мВт
|
|
В
|
мА
|
В
|
мкА
|
МГц
|
П308М
|
n-p-n
|
30
|
120
|
120
|
120
|
-
|
-
|
30…90
|
20
|
10
|
-
|
3
|
20
|
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
•
Iк. макс - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
•
Iк. и. макс - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
•
Uкбо макс - максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера.
•
UкэR макс - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база- эмиттер транзистора.
•
Uэбо макс - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
•
Рк. макс - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
•
h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
•
Uкб - напряжение коллектор-база транзистора.
•
Iэ - ток эмиттера транзистора.
•
Uкэ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
•
Iкбо - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
•
fгр- граничная частота коэффициента передачи тока.