2Т301Д
Транзисторы 2Т301Д кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях и генераторах электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 1,0 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-1.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:
- приемка «ВП» ЩБ3.365.007ТУ;
- приемка «ОС» ЩБ3.365.007ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.
Зарубежный аналог: 2N1390, BC120, SE8001.
Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
- 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
- 100000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т301Д:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 30 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 20... 60;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 300 Ом
Технические характеристики транзисторов 2Т301Г, 2Т301Д, 2Т301Е, 2Т301Ж:
Тип
транзистора
|
Структура
|
Предельные значения параметров при Тп=25°С
|
Значения параметров при Тп=25°С
|
TП
max
|
Т
max
|
IК
max
|
IК. И.
max
|
UКЭ0 max
|
UКБ0 max
|
UЭБ0 max
|
РК max
|
h21э
|
UКЭ
нас.
|
IКБО
|
f гp.
|
КШ
|
СК
|
СЭ
|
|
мА
|
мА
|
В
|
В
|
В
|
мВт
|
|
В
|
мкА
|
МГц
|
дБ
|
пФ
|
пФ
|
°С
|
°С
|
|
2Т301Г
|
n-p-n
|
10
|
20
|
30
|
30
|
3
|
150
|
10…32
|
3
|
5
|
30
|
-
|
10
|
80
|
150
|
-60…+125
|
|
2Т301Д
|
n-p-n
|
10
|
20
|
30
|
30
|
3
|
150
|
20…60
|
3
|
5
|
30
|
-
|
10
|
80
|
150
|
-60…+125
|
|
2Т301Е
|
n-p-n
|
10
|
20
|
20
|
20
|
3
|
150
|
40…120
|
3
|
5
|
30
|
-
|
10
|
80
|
150
|
-60…+125
|
|
2Т301Ж
|
n-p-n
|
10
|
20
|
20
|
20
|
3
|
150
|
80…300
|
3
|
5
|
30
|
-
|
10
|
80
|
150
|
-60…+125
|
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
•
IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
•
IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
•
UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
•
UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
•
UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
•
UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
•
РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
•
h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
•
h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
•
UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
•
IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
•
f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
•
КШ - коэффициент шума транзистора.
•
СК - емкость коллекторного перехода.
•
СЭ - емкость коллекторного перехода.
•
ТП max - максимально допустимая температура перехода.
•
Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
