+7(473) 277-14-34
+7(473) 277-35-34
Ваша корзина
пуста

Транзистор 3П603А-2

shadow

3П603А-2


Купить:
840.00 руб
Цена с НДС
+ -
В корзину
3П603А-2
Транзисторы полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с барьером Шоттки и каналом n-типа сверхвысокочастотные генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты на частотах до 12 ГГц в герметизированной аппаратуре.
Транзисторы 3П603А-2, 3П603Б-2, 3П603А1-2, 3П603Б1-2 бескорпусные с гибкими выводами на металлокерамическом кристаллодержателе.
Тип прибора обозначается маркировочной точкой на крышке кристаллодержателя: красной для 3П603А-2, белой для 3П603Б-2, или на выводе истока: красной для 3П603А1-2, белой для 3П603Б1-2.
Транзисторы 3П603А-5, 3П603Б-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзисторов
   - 3П603А-2, 3П603Б-2 не более 0,2 г,
   - 3П603А1-2, 3П603Б1-2 не более 0,15 г,
   - 3П603А-5, 3П603Б-5 не более 0,0006 г.
Тип корпуса: КТ-75.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - аА0.339.461ТУ.
Зарубежный аналог: AT-8101, AT-8151, FSX52WF, FSX51X, FSX52X, DXL-3501, DXL-3504, DXL-3603, DXL-3610, HMF-8300, HMF-8310, HMF-8311, HMF-8314.

Срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Характеристики арсенидгаллиевых полевых транзисторов с барьером Шотки и каналом n-типа
3П603А-2, 3П603Б-2, 3П603А1-2, 3П603Б1-2, 3П603А-5, 3П603Б-5:

Тип
полевого транзистора
Р МАКС f МАКС Предельные значения параметров при Т=25°С Значения параметров при Т=25°С Т ОКР
UСИ МАКС UЗС МАКС UЗИ МАКС IС МАКС UЗИ ОТС R отк IЗ УТ S IС НАЧ C11И C12И PВЫХ КШ КУР
Вт ГГц В В В мА В Ом мА мА/В мА пФ пФ мВт дБ дБ °С
3П603А-2 2,5 12 - - 3,5 - - 4,7 <0,1 50…180 >400 - - >500 - >3 -60…+125
3П603Б-2 2,5 12 - - 3,5 - - 4,7 <0,1 80…180 >600 - - >1000 - >3 -60…+125
3П603А1-2 2,5 12 - - 3,5 - - 4,7 <0,1 50…180 >400 - - >500 - >3 -60…+125
3П603Б1-2 2,5 12 - - 3,5 - - 4,7 <0,1 80…180 >600 - - >1000 - >3 -60…+125
3П603А-5 2,5 12 - - 3,5 - - 4,7 <0,1 50…180 >400 - - >500 - >3 -60…+125
3П603Б-5 2,5 12 - - 3,5 - - 4,7 <0,1 80…180 >600 - - >1000 - >3 -60…+125

Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов:
Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора.
f МАКС - максимально допустимая рабочая частота полевого транзистора.
UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток.
UЗС МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-сток.
UЗИ МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-исток.
IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора.
UЗИ ОТС - напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
RСИ отк - сопротивление сток-исток в открытом состоянии полевого транзистора.
g22И - активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком.
IЗ УТ - ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.
S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения.
C11И - входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком.
C12И - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
PВЫХ - выходная мощность полевого транзистора.
КШ - коэффициент шума транзистора.
КУР - коэффициент усиления по мощности транзистора.
Т ОКР - температура окружающей среды.

Характеристики, параметры, схема, описание:

3П603А-2

Технические характеристики; Datasheet: Скачать PDF файл

shadow

Справочник, характеристики, параметры, маркировка, цоколевка:



ООО Компания "Электроника и связь" - квалифицированный поставщик электронных компонентов и оборудования ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 по ЕК 001-2020 - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ Р ИСО 9001-2015, ГОСТ РВ 0015-002-2020, СРПП ВТ.


Лучшие цены
Комплексная поставка электрорадиоизделий
Мы гарантируем качество поставляемой продукции и выполнение обязательств по поставке.
Гарантия 100%
Лучшие цены, сроки поставки
25 лет успешной работы
Купить радиодетали в одном месте и и оформить доставку
Доставка в кратчайшие сроки
ы можете получить купленные электрорадиоизделия всего через несколько дней после оплаты
Быстрый и дружественный сервис