+7(473) 277-14-34
+7(473) 277-35-34
Ваша корзина
пуста

Транзистор 2Т316Г

shadow

2Т316Г


Купить:
132.00 руб
Цена с НДС
+ -
В корзину
2Т316Г
Транзисторы 2Т316Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (2Т316Г, 2Т316Д) и переключающих устройствах (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В).
Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-9 (TO-18).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ», «ОС».
Технические условия:
  - приемка «ВП» СБ0.336.019ТУ;
  - приемка «ОСМ» СБ0.336.019ТУ, П0.070.052,
  - приемка «ОС» СБ0.336.019ТУ, аА0.339.190ТУ.
Зарубежный аналог:  ST6130.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 100000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т316Г:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 600 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 10 В (3кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...100;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 3 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом

Технические характеристики транзисторов 2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г, 2Т316Д, 2Т316А5:

Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП
max
Т
max
IК
max
IК. И.
max
UКЭR max UКБ0 max UЭБ0 max РК max h21э UКЭ
нас.
IКБО f гp. КШ СК СЭ
мА мА В В В мВт В мкА МГц дБ пФ пФ °С °С
2Т316А n-p-n 50 50 10 10 4 150 20...60 0,4 0,5 600 - 3 2,5 150 -60…+125
2Т316Б n-p-n 50 50 10 10 4 150 40…120 0,4 0,5 800 - 3 2,5 150 -60…+125
2Т316В n-p-n 50 50 10 10 4 150 40…120 0,4 0,5 800 - 3 2,5 150 -60…+125
2Т316Г n-p-n 50 50 10 10 4 150 20...100 0,4 0,5 600 - 3 2,5 150 -60…+125
2Т316Д n-p-n 50 50 10 10 4 150 60...300 0,4 0,5 800 - 3 2,5 150 -60…+125
2Т316А5 n-p-n 50 50 10 10 4 150 20...60 0,4 0,5 600 - 3 2,5 150 -60…+125

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
КШ - коэффициент шума транзистора.
СК - емкость коллекторного перехода.
СЭ - емкость коллекторного перехода.
ТП max - максимально допустимая температура перехода.
Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.

Характеристики, параметры, схема, описание:

2Т316Г

Технические характеристики; Datasheet: Скачать PDF файл

shadow

Справочник, характеристики, параметры, маркировка, цоколевка:



ООО Компания "Электроника и связь" - квалифицированный поставщик электронных компонентов и оборудования ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 по ЕК 001-2020 - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ Р ИСО 9001-2015, ГОСТ РВ 0015-002-2020, СРПП ВТ.


Лучшие цены
Комплексная поставка электрорадиоизделий
Мы гарантируем качество поставляемой продукции и выполнение обязательств по поставке.
Гарантия 100%
Лучшие цены, сроки поставки
25 лет успешной работы
Купить радиодетали в одном месте и и оформить доставку
Доставка в кратчайшие сроки
ы можете получить купленные электрорадиоизделия всего через несколько дней после оплаты
Быстрый и дружественный сервис