+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Транзистор 2Т505Б

shadow

2Т505Б


Купить:
360.00 руб
Цена с НДС
+ -
В корзину
2Т505Б
Транзисторы 2Т505Б кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания и переключающих, устройствах.
Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения.
Транзисторы 2Т505А, 2Т505Б, 2Т505В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Транзистор 2Т505А-5 выпускается в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается на этикетке.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 2,0 г, кристалла не более 0,003 г.
Технические условия: аА0.339.174 ТУ.
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приемка «ВП» аА0.339.174ТУ;
  - приемка «ОСМ» аА0.339.174ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: BFT19A, BFT28C.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т505Б:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 20 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 250 В (0,1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 2 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 25... 140;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 70 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,6 Ом

Технические характеристики транзисторов 2Т505А, 2Т505Б, 2Т505В, 2Т505А-5:

Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП
max
Т
max
IК
max
IК. И.
max
UКЭR max
(UКЭ0 max)
UКБ0 max UЭБ0 max РК max
К. Т. max)
h21Э UКЭ
нас.
IКБО IЭБО IКЭR f гp. СК СЭ
А А В В В Вт В мкА мкА мкА МГц пФ пФ °С °С
2Т505А p-n-p 1 2 300 300 5 1 (5) 25….140 <1,8 <100 <100 - >20 <70 <500 150 -60…+125
2Т505Б p-n-p 1 2 250 250 5 1 (5) 25….140 <1,8 <100 <100 - >20 <70 <500 150 -60…+125
2Т505В p-n-p 1 2 300 300 5 1 (5) 25….140 <1,8 <100 <100 - >20 <70 <500 150 -60…+125
2Т505А-5 p-n-p 1 2 300 300 5 1 (5) 25….140 <1,8 <100 <100 - >20 <70 <500 150 -60…+125

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
СК - емкость коллекторного перехода.
СЭ - емкость коллекторного перехода.
ТП max - максимально допустимая температура перехода.
Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.

Характеристики, параметры, схема, описание:

2Т505Б

Технические характеристики; Datasheet: Скачать PDF файл

shadow

Справочник, характеристики, параметры, маркировка, цоколевка:



ООО Компания "Электроника и связь" - квалифицированный поставщик электронных компонентов и оборудования ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 ЕКПС Вооруженных Сил РФ - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ Р ИСО 9001-2015, ГОСТ РВ 0015-002-2012, СРПП ВТ.


Лучшие цены
Комплексная поставка электрорадиоизделий
Мы гарантируем качество поставляемой продукции и выполнение обязательств по поставке.
Гарантия 100%
Лучшие цены, сроки поставки
25 лет успешной работы
Купить радиодетали в одном месте и и оформить доставку
Доставка в кратчайшие сроки
ы можете получить купленные электрорадиоизделия всего через несколько дней после оплаты
Быстрый и дружественный сервис