+7(473) 277-14-34
+7(473) 277-35-34
Ваша корзина
пуста

Транзистор 2Т643А-2

shadow

2Т643А-2


Купить:
1 920.00 руб
Цена с НДС
+ -
В корзину
2Т643А-2
Транзисторы 2Т643А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в схеме с общей базой в усилителях мощности и генераторах в диапазоне частот 2...8 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках, обеспечивающих герметизацию и защиту транзисторов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Транзисторы 2Т643А-2, 2Т643Б-2, бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
Транзистор 2Т643А-5 выпускается в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Размер кристалла 0,4х0,4x0,06 мм.
Транзисторы маркируются условным кодом:
   -2Т643А-2 - одной зеленой точкой,
   -2Т643Б-2 - одной желтой точкой.
Тип прибора указывается на этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,2 г, кристалла не более 0,0001 г.
Тип корпуса: КТ-22.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.138ТУ.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т643А-2:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1,1 Вт;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 25 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 120 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА (25В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,1 пФ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,48 Вт на частоте 8 ГГц

Технические характеристики транзисторов 2Т643А-2, 2Т643Б-2, 2Т643А-5:

Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП
max
Т
max
IК
max
IК. И.
max
UКЭR max
(UКЭ0 max)
UКБ0 max UЭБ0 max UПИТ max РК. СР. max
К. Т. max)
h21Э UКЭ
нас.
IКБО IЭБО f гp. PВЫХ КУР
А А В В В В Вт В мА мА ГГц Вт дБ °С °С
2Т643А-2 n-p-n 0,12 0,12 - 25 3 15 1,1 50…150 - <0,1 <0,1 >8 >0,48 - 150 -60…+125
2Т643Б-2 n-p-n 0,12 0,12 - 25 3 15 1,1 50…150 - <0,1 <0,1 >8 >0,48 - 150 -60…+125
2Т643А-5 n-p-n 0,12 0,12 - 25 3 15 1,1 50…150 - <0,1 <0,1 >8 >0,48 - 150 -60…+125

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
UКЭR max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи база-эмиттер.
UКЭ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю.
UКБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю.
UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
UПИТ max - максимально допустимое напряжение питания.
РК.СР. max - максимально допустимая средняя мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
PВЫХ - выходная мощность транзистора.
КУР - коэффициент усиления по мощности транзистора.
ТП max - максимально допустимая температура перехода.
Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.

Характеристики, параметры, схема, описание:

2Т643А-2

Технические характеристики; Datasheet: Скачать PDF файл

shadow

Справочник, характеристики, параметры, маркировка, цоколевка:



ООО Компания "Электроника и связь" - квалифицированный поставщик электронных компонентов и оборудования ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 по ЕК 001-2020 - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ Р ИСО 9001-2015, ГОСТ РВ 0015-002-2020, СРПП ВТ.


Лучшие цены
Комплексная поставка электрорадиоизделий
Мы гарантируем качество поставляемой продукции и выполнение обязательств по поставке.
Гарантия 100%
Лучшие цены, сроки поставки
25 лет успешной работы
Купить радиодетали в одном месте и и оформить доставку
Доставка в кратчайшие сроки
ы можете получить купленные электрорадиоизделия всего через несколько дней после оплаты
Быстрый и дружественный сервис