2Т643А-2
Транзисторы 2Т643А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в схеме с общей базой в усилителях мощности и генераторах в диапазоне частот 2...8 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках, обеспечивающих герметизацию и защиту транзисторов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Транзисторы 2Т643А-2, 2Т643Б-2, бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
Транзистор 2Т643А-5 выпускается в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Размер кристалла 0,4х0,4x0,06 мм.
Транзисторы маркируются условным кодом:
-2Т643А-2 - одной зеленой точкой,
-2Т643Б-2 - одной желтой точкой.
Тип прибора указывается на этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,2 г, кристалла не более 0,0001 г.
Тип корпуса: КТ-22.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
- приемка «5» - аА0.339.138ТУ.
Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
- 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
- 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т643А-2:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1,1 Вт;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 25 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 120 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА (25В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,1 пФ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,48 Вт на частоте 8 ГГц
Технические характеристики транзисторов 2Т643А-2, 2Т643Б-2, 2Т643А-5:
Тип
транзистора
|
Структура
|
Предельные значения параметров при Тп=25°С
|
Значения параметров при Тп=25°С
|
TП
max
|
Т
max
|
IК
max
|
IК. И.
max
|
UКЭR max
(UКЭ0 max)
|
UКБ0 max
|
UЭБ0 max
|
UПИТ max
|
РК. СР. max
(РК. Т. max)
|
h21Э
|
UКЭ
нас.
|
IКБО
|
IЭБО
|
f гp.
|
PВЫХ
|
КУР
|
|
А
|
А
|
В
|
В
|
В
|
В
|
Вт
|
|
В
|
мА
|
мА
|
ГГц
|
Вт
|
дБ
|
°С
|
°С
|
|
2Т643А-2
|
n-p-n
|
0,12
|
0,12
|
-
|
25
|
3
|
15
|
1,1
|
50…150
|
-
|
<0,1
|
<0,1
|
>8
|
>0,48
|
-
|
150
|
-60…+125
|
|
2Т643Б-2
|
n-p-n
|
0,12
|
0,12
|
-
|
25
|
3
|
15
|
1,1
|
50…150
|
-
|
<0,1
|
<0,1
|
>8
|
>0,48
|
-
|
150
|
-60…+125
|
|
2Т643А-5
|
n-p-n
|
0,12
|
0,12
|
-
|
25
|
3
|
15
|
1,1
|
50…150
|
-
|
<0,1
|
<0,1
|
>8
|
>0,48
|
-
|
150
|
-60…+125
|
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
•
IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
•
IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
•
UКЭR max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи база-эмиттер.
•
UКЭ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю.
•
UКБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю.
•
UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
•
UПИТ max - максимально допустимое напряжение питания.
•
РК.СР. max - максимально допустимая средняя мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
•
РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
•
h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
•
UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
•
IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
•
IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
•
IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
•
f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
•
PВЫХ - выходная мощность транзистора.
•
КУР - коэффициент усиления по мощности транзистора.
•
ТП max - максимально допустимая температура перехода.
•
Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
