Технические характеристики транзисторов 2Т837А, 2Т837Б, 2Т837В, 2Т837Г, 2Т837Д, 2Т837Е:
Тип
транзистора
|
Структура
|
Предельные значения параметров при Тп=25°С
|
Значения параметров при Тп=25°С
|
TП
max
|
Т
max
|
IК
max
|
IК. И.
max
|
UКЭR max
(UКЭ0 max)
|
UКБ0 max
|
UЭБ0 max
|
РК max
(РК. Т. max)
|
h21Э
|
UКЭ
нас.
|
IКБО
|
IЭБО
|
IКЭR
|
f гp.
|
СК
|
СЭ
|
|
А
|
А
|
В
|
В
|
В
|
Вт
|
|
В
|
мА
|
мА
|
мА
|
МГц
|
пФ
|
пФ
|
°С
|
°С
|
|
2Т837А
|
p-n-p
|
8
|
-
|
70
|
80
|
15
|
1 (30)
|
15…120
|
0,9
|
<0,15
|
<0,3
|
<5
|
>3
|
-
|
-
|
125
|
-60…+100
|
|
2Т837Б
|
p-n-p
|
8
|
-
|
55
|
60
|
15
|
1 (30)
|
30…150
|
0,9
|
<0,15
|
<0,3
|
<5
|
>3
|
-
|
-
|
125
|
-60…+100
|
|
2Т837В
|
p-n-p
|
8
|
-
|
40
|
45
|
15
|
1 (30)
|
40…180
|
0,9
|
<0,15
|
<0,3
|
<5
|
>3
|
-
|
-
|
125
|
-60…+100
|
|
2Т837Г
|
p-n-p
|
8
|
-
|
70
|
80
|
5
|
1 (30)
|
15…120
|
0,9
|
<0,15
|
<0,3
|
<5
|
>3
|
-
|
-
|
125
|
-60…+100
|
|
2Т837Д
|
p-n-p
|
8
|
-
|
55
|
60
|
5
|
1 (30)
|
30…150
|
0,9
|
<0,15
|
<0,3
|
<5
|
>3
|
-
|
-
|
125
|
-60…+100
|
|
2Т837Е
|
p-n-p
|
8
|
-
|
40
|
45
|
5
|
1 (30)
|
40…180
|
0,9
|
<0,15
|
<0,3
|
<5
|
>3
|
-
|
-
|
125
|
-60…+100
|
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
•
IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
•
IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
•
UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
•
UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
•
UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
•
UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
•
РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
•
РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
•
h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
•
UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
•
IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
•
IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
•
IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
•
f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
•
СК - емкость коллекторного перехода.
•
СЭ - емкость коллекторного перехода.
•
ТП max - максимально допустимая температура перехода.
•
Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
