2Т925Б
Транзисторы СВЧ 2Т925А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 200...400 МГц при напряжении питания 12,6 В.
Используются для работы в бортовой аппаратуре радиосвязи специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 4,5 г.
Тип корпуса: КТ-17.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:
- приемка «ВП» И93.365.031ТУ;
- приемка «ОС» И93.365.031ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.
Зарубежный аналог: 2N5915.
Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
- 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
- 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т925Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 11 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 600 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 36 В (0,1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 3 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мА (36В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 30 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 4 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 7 Вт на частоте 320 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 35 пс
Технические характеристики транзисторов 2Т925А, 2Т925Б, 2Т925В:
Тип
транзистора
|
Структура
|
Предельные значения параметров при Тп=25°С
|
Значения параметров при Тп=25°С
|
TП
max
|
Т
max
|
IК
max
|
IК. И.
max
|
UКЭR max
|
UКБ0 max
|
UЭБ0 max
|
UПИТ max
|
РК. СР. max
|
h21Э
|
UКЭ
нас.
|
IКЭR
|
IЭБО
|
f гp.
|
PВЫХ
|
КУР
|
|
А
|
А
|
В
|
В
|
В
|
В
|
Вт
|
|
В
|
мА
|
мА
|
ГГц
|
Вт
|
дБ
|
°С
|
°С
|
|
2Т925А
|
n-p-n
|
0,5
|
1
|
36
|
36
|
4
|
12,6
|
5,5
|
>8
|
-
|
<5
|
<2
|
>0,6
|
>2
|
>6,3
|
150
|
-60…+125
|
|
2Т925Б
|
n-p-n
|
1
|
3
|
36
|
36
|
4
|
12,6
|
11
|
>10
|
-
|
<10
|
<5
|
>0,6
|
>7
|
>4
|
150
|
-60…+125
|
|
2Т925В
|
n-p-n
|
3,3
|
8,5
|
36
|
36
|
3,5
|
12,6
|
25
|
>17
|
-
|
<30
|
<5
|
>0,5
|
>20
|
>3
|
150
|
-60…+125
|
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
•
IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
•
IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
•
UКЭR max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи база-эмиттер.
•
UКЭ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю.
•
UКБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю.
•
UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
•
UПИТ max - максимально допустимое напряжение питания.
•
РК.СР. max - максимально допустимая средняя мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
•
РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
•
h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
•
UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
•
IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
•
IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
•
IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
•
f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
•
PВЫХ - выходная мощность транзистора.
•
КУР - коэффициент усиления по мощности транзистора.
•
ТП max - максимально допустимая температура перехода.
•
Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
