2ТС622А
Транзисторные матрицы 2ТС622А, состоящие из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p переключающих сверхвысокочастотных транзисторов.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в плоском металлостеклянном прямоугольном корпусе с двухсторонним расположением выводов для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы.
Корпус типа 401.14-6, масса не более 0,4 г.
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:
- приемка «ВП» И93.456.001ТУ;
- приемка «ОС» И93.456.001ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.
Минимальный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Зарубежный аналог: 2N3905.
Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
- 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
- 100000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзисторной сборки 2ТС622А:
• Структура транзисторной сборки: p-n-p;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 45 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 600 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (45В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 25... 150;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,25 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 120 нс
Технические характеристики транзисторной сборки 2ТС622А, 2ТС622Б, 2ТС622А1, КТС622А, КТС622Б:
Тип
транзисторной
сборки
|
Структура
|
Предельные значения параметров при Тп=25°С
|
Значения параметров при Тп=25°С
|
TП
max
|
Т
max
|
IК
max
|
IК. И.
max
|
UКЭR max
|
UКБ0 max
|
UЭБ0 max
|
РК.И. max
|
h21Э
|
UКЭ
нас.
|
IКБО
|
IЭБО
|
IКЭR
|
f гp.
|
СК
|
СЭ
|
|
А
|
А
|
В
|
В
|
В
|
Вт
|
|
В
|
мкА
|
мкА
|
мкА
|
МГц
|
пФ
|
пФ
|
°С
|
°С
|
|
2ТС622А
|
p-n-p
|
0,4
|
0,6
|
45
|
45
|
4
|
10
|
25…150
|
<1,3
|
<10
|
<20
|
-
|
>200
|
<15
|
<60
|
150
|
-60…+125
|
|
2ТС622Б
|
p-n-p
|
0,4
|
0,6
|
45
|
45
|
4
|
10
|
25…150
|
<1,3
|
<10
|
<20
|
-
|
>200
|
<15
|
<60
|
150
|
-60…+125
|
|
2ТС622А1
|
p-n-p
|
0,4
|
0,6
|
45
|
45
|
4
|
10
|
>70
|
<1,3
|
<10
|
<20
|
-
|
>200
|
<15
|
<60
|
150
|
-60…+125
|
|
КТС622А
|
p-n-p
|
0,4
|
0,6
|
45
|
45
|
4
|
10
|
25…150
|
<1,3
|
<10
|
<20
|
-
|
>200
|
<15
|
<60
|
120
|
-45…+85
|
|
КТС622Б
|
p-n-p
|
0,4
|
0,6
|
35
|
35
|
4
|
10
|
>10
|
<2
|
<20
|
<20
|
-
|
>200
|
<15
|
<60
|
120
|
-45…+85
|
Условные обозначения электрических параметров транзисторной сборки:
•
IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
•
IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
•
UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
•
UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
•
UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
•
UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
•
РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
•
РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
•
h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
•
UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
•
IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
•
IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
•
IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
•
f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
•
СК - емкость коллекторного перехода.
•
СЭ - емкость коллекторного перехода.
•
ТП max - максимально допустимая температура перехода.
•
Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
