+7(473)277-14-34
+7(473)277-35-34
Ваша корзина
пуста

Транзистор 2Т912Б

shadow

2Т912Б


Купить:
528.00 руб
Цена с НДС
+ -
В корзину
2Т912Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в линейных усилителях мощности на частотах 1.5...30 МГц при напряжении питания 27 В.
Транзисторы 2Т912А, 2Т912Б выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом.
Внутри корпуса имеется полупроводниковый диод-датчик температуры.
Тип прибора указываются на корпусе.
Транзисторы 2Т912А-5, 2Т912Б-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлокерамическом корпусе не более 45 г, кристалла не более 0,01 г.
Тип корпуса: КТ-5 (ТО-63).
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:
  - приемка «ВП» ЖК3.365.241ТУ;
  - приемка «ОС» ЖК3.365.241ТУ, аА0.339.190ТУ.
Зарубежный аналог: 2N5535, 2N5536.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т912Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 90 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 70 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора:  20 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 50 мА (70В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 100;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 200 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 10 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 70 Вт на частоте 30 МГц

Технические характеристики транзисторов 2Т912А, 2Т912Б, 2Т912А-5, 2Т912Б-5:

Тип
транзистора
Структура Предельные значения параметров при Тп=25°С Значения параметров при Тп=25°С TП
max
Т
max
IК
max
IК. И.
max
UКЭR max UКБ0 max UЭБ0 max UПИТ max РК. Т. max h21Э UКЭ
нас.
IКЭR IЭБО f гp. PВЫХ КУР
А А В В В В Вт В мА мА МГц Вт дБ °С °С
2Т912А n-p-n 20 - 70 - 5 27 30 10…50 - <50 <250 >90 >70 >13 150 -60…+125
2Т912Б n-p-n 20 - 70 - 5 27 30 20…100 - <50 <250 >90 >70 >13 150 -60…+125
2Т912А-5 n-p-n 20 - 70 - 5 27 30 10…50 - <50 <250 >90 >70 >13 150 -60…+125
2Т912Б-5 n-p-n 20 - 70 - 5 27 30 20…100 - <50 <250 >90 >70 >13 150 -60…+125

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
UКЭR max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи база-эмиттер.
UКЭ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю.
UКБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю.
UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
UПИТ max - максимально допустимое напряжение питания.
РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
PВЫХ - выходная мощность транзистора.
КУР - коэффициент усиления по мощности транзистора.
ТП max - максимально допустимая температура перехода.
Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.

Характеристики, параметры, схема, описание:

2Т912Б

Технические характеристики; Datasheet: Скачать PDF файл

shadow

Справочник, характеристики, параметры, маркировка, цоколевка:



ООО Компания "Электроника и связь" - квалифицированный поставщик электронных компонентов и оборудования ©
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ группы 59 ЕКПС Вооруженных Сил РФ - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ Р ИСО 9001-2015, ГОСТ РВ 0015-002-2012, СРПП ВТ.


Лучшие цены
Комплексная поставка электрорадиоизделий
Мы гарантируем качество поставляемой продукции и выполнение обязательств по поставке.
Гарантия 100%
Лучшие цены, сроки поставки
25 лет успешной работы
Купить радиодетали в одном месте и и оформить доставку
Доставка в кратчайшие сроки
ы можете получить купленные электрорадиоизделия всего через несколько дней после оплаты
Быстрый и дружественный сервис