КТ3102Д
Транзисторы КТ3102Д кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные.
Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,4 г.
Тип корпуса: КТ-1-7 (TO-18).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
- приемка «1» - аА0.336.122ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: BCY59-X, BC184A, 2N2484.
Характеристики транзисторов КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3102Е, КТ3102Ж, КТ3102И, КТ3102К:
Тип
транзистора
|
Структура
|
Предельные значения параметров при Тп=25°С
|
Значения параметров при Тп=25°С
|
TП
max
|
Т
max
|
IК
max
|
IК. И.
max
|
UКЭ0 max
|
UКБ0 max
|
UЭБ0 max
|
РК max
|
h21Э
|
UКЭ
нас.
|
IКБО
|
f гp.
|
КШ
|
СК
|
СЭ
|
|
мА
|
мА
|
В
|
В
|
В
|
мВт
|
|
В
|
мкА
|
МГц
|
дБ
|
пФ
|
пФ
|
°С
|
°С
|
|
КТ3102А
|
n-p-n
|
100
|
200
|
50
|
50
|
5
|
250
|
100…250
|
-
|
0,05
|
300
|
10
|
6
|
-
|
125
|
-40…+85
|
|
КТ3102Б
|
n-p-n
|
100
|
200
|
50
|
50
|
5
|
250
|
200…500
|
-
|
0,05
|
300
|
10
|
6
|
-
|
125
|
-40…+85
|
|
КТ3102В
|
n-p-n
|
100
|
200
|
30
|
30
|
5
|
250
|
200…500
|
-
|
0,015
|
300
|
10
|
6
|
-
|
125
|
-40…+85
|
|
КТ3102Г
|
n-p-n
|
100
|
200
|
20
|
20
|
5
|
250
|
400…1000
|
-
|
0,015
|
300
|
10
|
6
|
-
|
125
|
-40…+85
|
|
КТ3102Д
|
n-p-n
|
100
|
200
|
30
|
30
|
5
|
250
|
200…500
|
-
|
0,015
|
300
|
4
|
6
|
-
|
125
|
-40…+85
|
|
КТ3102Е
|
n-p-n
|
100
|
200
|
20
|
20
|
5
|
250
|
400…1000
|
-
|
0,015
|
300
|
4
|
6
|
-
|
125
|
-40…+85
|
|
КТ3102Ж
|
n-p-n
|
100
|
200
|
50
|
50
|
5
|
250
|
100…250
|
-
|
0,05
|
300
|
-
|
6
|
-
|
125
|
-40…+85
|
|
КТ3102И
|
n-p-n
|
100
|
200
|
50
|
50
|
5
|
250
|
200…500
|
-
|
0,05
|
300
|
-
|
6
|
-
|
125
|
-40…+85
|
|
КТ3102К
|
n-p-n
|
100
|
200
|
30
|
30
|
5
|
250
|
200…500
|
-
|
0,015
|
300
|
-
|
6
|
-
|
125
|
-40…+85
|
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
•
IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
•
IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
•
UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
•
UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
•
UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
•
UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
•
РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
•
РК. И. max - максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
•
h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
•
h21Э - коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
•
UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
•
IКБО - обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
•
f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
•
f h21 - предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
•
КШ - коэффициент шума транзистора.
•
СК - емкость коллекторного перехода.
•
СЭ - емкость коллекторного перехода.
•
ТП max - максимально допустимая температура перехода.
•
Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
