Характеристики транзисторов 1Т403А, 1Т403Б, 1Т403В, 1Т403Г, 1Т403Д, 1Т403Е, 1Т403Ж, 1Т403И:
Тип
транзистора
|
Структура
|
Предельные значения параметров при Тп=25°С
|
Значения параметров при Тп=25°С
|
TП
max
|
Т
max
|
IК
max
|
IК. И.
max
|
UКЭ0 max
|
UКБ0 max
|
UЭБ0 max
|
РК max
|
h21Э
|
UКЭ
нас.
|
IКБО
|
IЭБО
|
f гp.
|
КШ
|
СК
|
СЭ
|
А
|
А
|
В
|
В
|
В
|
Вт
|
|
В
|
мкА
|
мкА
|
кГц
|
дБ
|
пФ
|
пФ
|
°С
|
°С
|
1Т403А
|
p-n-p
|
1,25
|
-
|
30
|
45
|
20
|
4
|
20...60
|
0,5
|
50
|
50
|
8
|
-
|
-
|
-
|
85
|
-60…+70
|
1Т403Б
|
p-n-p
|
1,25
|
-
|
30
|
45
|
20
|
4
|
50...150
|
0,5
|
50
|
50
|
8
|
-
|
-
|
-
|
85
|
-60…+70
|
1Т403В
|
p-n-p
|
1,25
|
-
|
45
|
60
|
20
|
5
|
20...60
|
0,5
|
50
|
50
|
8
|
-
|
-
|
-
|
85
|
-60…+70
|
1Т403Г
|
p-n-p
|
1,25
|
-
|
45
|
60
|
20
|
4
|
50...150
|
0,5
|
50
|
50
|
8
|
-
|
-
|
-
|
85
|
-60…+70
|
1Т403Д
|
p-n-p
|
1,25
|
-
|
45
|
60
|
30
|
4
|
50...150
|
0,5
|
50
|
50
|
8
|
-
|
-
|
-
|
85
|
-60…+70
|
1Т403Е
|
p-n-p
|
1,25
|
-
|
45
|
60
|
20
|
5
|
>30
|
0,5
|
50
|
50
|
8
|
-
|
-
|
-
|
85
|
-60…+70
|
1Т403Ж
|
p-n-p
|
1,25
|
-
|
60
|
80
|
20
|
4
|
20...60
|
0,5
|
70
|
70
|
8
|
-
|
-
|
-
|
85
|
-60…+70
|
1Т403И
|
p-n-p
|
1,25
|
-
|
60
|
80
|
20
|
4
|
>30
|
0,5
|
70
|
70
|
8
|
-
|
-
|
-
|
85
|
-60…+70
|
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
•
IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
•
IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
•
UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
•
UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
•
UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
•
UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
•
РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
•
h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
•
UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
•
IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
•
IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
•
f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
•
КШ - коэффициент шума транзистора.
•
СК - емкость коллекторного перехода.
•
СЭ - емкость коллекторного перехода.
•
ТП max - максимально допустимая температура перехода.
•
Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.