2Т862В
Транзисторы 2Т862В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в схемах импульсных модуляторов, вторичных источниках электропитания, переключающих устройствах.
Используются для работы в составе электронной аппаратуры специального назначения.
Транзисторы 2Т862Б, 2Т862В, 2Т862Г выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами типа КТ-57.
Транзистор 2Т862А в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами типа КТ-9.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора в металлокерамическом корпусе не более 6,0 г, в металлическом - не более 20,0 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
- приемка «5» - аА0.339.417ТУ.
Зарубежный аналог: BUW24.
Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
- 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
- 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Технические характеристики транзисторов 2Т862А, 2Т862Б, 2Т862В, 2Т862Г:
Тип
транзистора
|
Структура
|
Предельные значения параметров при Тп=25°С
|
Значения параметров при Тп=25°С
|
TП
max
|
Т
max
|
IК
max
|
IК. И.
max
|
UКЭ0 max
|
UКБ0 max
|
UЭБ0 max
|
РК. Т. max
|
h21Э
|
UКЭ
нас.
|
IКБО
|
IЭБО
|
IКЭR
|
f гp.
|
СК
|
СЭ
|
|
А
|
А
|
В
|
В
|
В
|
Вт
|
|
В
|
мА
|
мА
|
мА
|
МГц
|
пФ
|
пФ
|
°С
|
°С
|
|
2Т862А
|
n-p-n
|
15
|
25
|
250
|
450
|
5
|
70
|
10…100
|
<2
|
<2,5
|
25
|
-
|
20
|
300
|
4700
|
150
|
-60…+125
|
|
2Т862Б
|
n-p-n
|
15
|
25
|
250
|
450
|
5
|
50
|
10…100
|
<2
|
<2,5
|
25
|
-
|
20
|
300
|
4700
|
150
|
-60…+125
|
|
2Т862В
|
n-p-n
|
10
|
15
|
350
|
600
|
5
|
50
|
12…50
|
<1,5
|
<2,5
|
10
|
-
|
20
|
250
|
4700
|
150
|
-60…+125
|
|
2Т862Г
|
n-p-n
|
10
|
15
|
400
|
600
|
5
|
50
|
12…50
|
<1,5
|
<2,5
|
10
|
-
|
20
|
250
|
4700
|
150
|
-60…+125
|
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
•
IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
•
IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
•
UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
•
UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
•
UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
•
UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
•
РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
•
РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
•
h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
•
UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
•
IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
•
IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
•
IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
•
f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
•
СК - емкость коллекторного перехода.
•
СЭ - емкость коллекторного перехода.
•
ТП max - максимально допустимая температура перехода.
•
Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
