П216
Транзисторы П216 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС».
Технические условия:
- приемка «1» аА0.336.342ТУ;
- приемка «5» СИ3.365.017ТУ;
- приемка «9» СИ3.365.017ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.
Зарубежный аналог: AD138, AD302, AD312, EFT212, EFT213, OC25, SFT238.
Технические характеристики транзисторов П216, П216А, П216Б, П216В, П216Г, П216Д:
Тип
транзистора
|
Структура
|
Предельные значения параметров при Тп=25°С
|
Значения параметров при Тп=25°С
|
TП
max
|
Т
max
|
IК
max
|
IК. И.
max
|
UКЭ0 max
|
UКБ0 max
|
UЭБ0 max
|
РК max
(РК. Т. max)
|
h21Э
|
UКЭ
нас.
|
IКБ
|
IЭБО
|
f гp.
|
КШ
|
СК
|
СЭ
|
|
А
|
А
|
В
|
В
|
В
|
Вт
|
|
В
|
мкА
|
мкА
|
МГц
|
дБ
|
пФ
|
пФ
|
°С
|
°С
|
|
П216
|
p-n-p
|
7,5
|
-
|
40
|
40
|
15
|
(30)
|
>18
|
0,75
|
0,5
|
40
|
0,1
|
-
|
-
|
-
|
85
|
-60…+70
|
|
П216А
|
p-n-p
|
7,5
|
-
|
40
|
40
|
15
|
(30)
|
20…80
|
0,75
|
0,5
|
40
|
0,1
|
-
|
-
|
-
|
85
|
-60…+70
|
|
П216Б
|
p-n-p
|
7,5
|
-
|
30
|
30
|
15
|
(24)
|
>10
|
0,5
|
1,5
|
20
|
0,1
|
-
|
-
|
-
|
85
|
-60…+70
|
|
П216В
|
p-n-p
|
7,5
|
-
|
30
|
30
|
15
|
(24)
|
>30
|
0,5
|
2
|
20
|
0,1
|
-
|
-
|
-
|
85
|
-60…+70
|
|
П216Г
|
p-n-p
|
7,5
|
-
|
50
|
50
|
15
|
(24)
|
>5
|
0,5
|
2,5
|
50
|
0,1
|
-
|
-
|
-
|
85
|
-60…+70
|
|
П216Д
|
p-n-p
|
7,5
|
-
|
50
|
50
|
15
|
(24)
|
15…30
|
0,5
|
2
|
20
|
0,1
|
-
|
-
|
-
|
85
|
-60…+70
|
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
•
IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
•
IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
•
UКЭR max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
•
UКЭ0 max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
•
UКБ0 max - максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
•
UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
•
РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
•
РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
•
h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
•
UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
•
IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
•
IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
•
f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
•
КШ - коэффициент шума транзистора.
•
СК - емкость коллекторного перехода.
•
СЭ - емкость коллекторного перехода.
•
ТП max - максимально допустимая температура перехода.
•
Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.
