3П602А-2
Транзисторы 3П602А-2 полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с барьером Шоттки и каналом п-типа сверхвысокочастотные генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, преобразователях частоты на частотах 3...12 ГГц в герметизированной аппаратуре.
Транзисторы 3П602А-2, 3П602Б-2, 3П602В-2, 3П602Г-2, 3П602Д-2 бескорпусные с гибкими выводами на металлокерамическом кристаллодержателе.
Тип прибора указывается на крышке кристаллодержателя.
Транзисторы 3П602Б-5, 3П602Д-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов для применения в гибридных интегральных микросхемах.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 1,5 г, кристалла не более 0,0006 г.
Тип корпуса: КТ-52.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
- приёмка «5» - аА0.339.227ТУ.
Зарубежный аналог: MGF1802, FSX52WF, FSX52X, DXL-3501, DXL3501A-P70, HMF-0620, HMF-0621, HMF-0301, HMF-0302.
Срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
- 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
- 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Характеристики арсенидгаллиевых полевых транзисторов с барьером Шотки и каналом n-типа
3П602А-2, 3П602Б-2, 3П602В-2, 3П602Г-2, 3П602Д-2, 3П602Б-5, 3П602Д-5:
Тип
полевого транзистора
|
Р МАКС
|
f МАКС
|
Предельные значения параметров при Т=25°С
|
Значения параметров при Т=25°С
|
Т ОКР
|
|
UСИ МАКС
|
UЗС МАКС
|
UЗИ МАКС
|
IС МАКС
|
UЗИ ОТС
|
RCИ отк
|
IЗ УТ
|
S
|
IС НАЧ
|
C11И
|
C12И
|
PВЫХ
|
КШ
|
КУР
|
|
мВт
|
ГГц
|
В
|
В
|
В
|
мА
|
В
|
Ом
|
мА
|
мА/В
|
мА
|
пФ
|
пФ
|
мВт
|
дБ
|
дБ
|
°С
|
|
3П602А-2
|
900
|
12
|
7
|
-
|
3,5
|
-
|
-
|
7,5
|
<0,3
|
20…100
|
>220
|
-
|
-
|
>180
|
-
|
>2,6
|
-60…+85
|
|
3П602Б-2
|
900
|
12
|
7
|
-
|
3,5
|
-
|
-
|
7,5
|
<0,3
|
20…80
|
>180
|
-
|
-
|
>100
|
-
|
>3
|
-60…+85
|
|
3П602В-2
|
900
|
8
|
7
|
-
|
3,5
|
-
|
-
|
7,5
|
<0,3
|
20…70
|
>110
|
-
|
-
|
>200
|
-
|
>3
|
-60…+85
|
|
3П602Г-2
|
1800
|
10
|
7,5
|
-
|
3,5
|
-
|
-
|
6
|
<0,3
|
40…200
|
>440
|
-
|
-
|
>450
|
-
|
>2,6
|
-60…+85
|
|
3П602Д-2
|
1800
|
8
|
7,5
|
-
|
3,5
|
-
|
-
|
6
|
<0,3
|
40…160
|
>360
|
-
|
-
|
>500
|
-
|
>3
|
-60…+85
|
|
3П602Б-5
|
900
|
12
|
7
|
-
|
3,5
|
-
|
-
|
7,5
|
<0,1
|
>20
|
>180
|
-
|
-
|
>100
|
-
|
>3
|
-60…+85
|
|
3П602Д-5
|
1800
|
12
|
7,5
|
-
|
3,5
|
-
|
-
|
6
|
<0,2
|
>40
|
>360
|
-
|
-
|
>500
|
-
|
>3
|
-60…+85
|
Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов:
•
Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора.
•
f МАКС - максимально допустимая рабочая частота полевого транзистора.
•
UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток.
•
UЗС МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-сток.
•
UЗИ МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-исток.
•
IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора.
•
UЗИ ОТС - напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
•
RСИ отк - сопротивление сток-исток в открытом состоянии полевого транзистора.
•
g22И - активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком.
•
IЗ УТ - ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.
•
S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
•
IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения.
•
C11И - входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком.
•
C12И - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
•
PВЫХ - выходная мощность полевого транзистора.
•
КШ - коэффициент шума транзистора.
•
КУР - коэффициент усиления по мощности транзистора.
•
Т ОКР - температура окружающей среды.
